【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多晶硅太阳能电池，具体为一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺。
技术介绍
1、多晶硅太阳能电池其转换效率一般为18％-19％左右，稍低于单晶硅太阳能电池，没有明显效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池。
2、硅太阳电池更加经济，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。
3、单晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一，加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳能电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低，考虑到成本问题，多晶硅太阳能电池的使用较为广泛。
4、但目前多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺中，通常没有对多晶硅太阳能电池的背面进行镀膜和开槽处理，传统的镀膜工艺为镀氧化铝和氮化硅，需要二次镀膜，工序繁琐，浪费人力，相比较而言，背面传统的镀膜工艺不能得到介质膜钝化的低表面复合速度的好处，同时对光的内反射作用也大大减弱，这些工艺不对介质膜进行提前开孔，而采用刻蚀性的银铝浆一次印刷烧结形成欧姆接触，这种能够刻蚀介质膜并能够和p型硅衬底形成良好欧姆接触的银铝浆，采用此种工艺的太阳电池将具有非常大的串联电阻，降低了填充因子和电池效率，从而抵消了背场钝化带来的效率提升。
5、鉴于上述问题，非常有必要设计一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，来解决上述出现的问题。
技术实现思路
1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，采用对多晶硅太阳能电池的背面进行镀膜和开槽的形式，多晶电池片背面镀氮氧化硅，代替传统的镀氧化铝和氮化硅，氮氧化硅有良好的钝化效果，减少了工序，节省了人力，提高了填充因子和电池效率，优化了背场钝化带来的效率提升。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，所述的背场钝化工艺包括以下操作步骤：
3、s1、制绒：对p型多晶电池原始硅片进行表面处理，使用酸或碱去除电池片金属离子和死层，使硅片上表面形成蜂窝状绒面，用以扩大光伏电池表面比表面积，增加光的吸收，降低光的反射；
4、s2、扩散：在高温炉管内对p型多晶电池通三氯氧磷，通过物理扩散把磷元素扩散至硅片内部，磷和p型多晶硅片中已掺入的硼相结合，形成pn结；
5、s3、刻蚀：使用酸或碱对电池四周及背面的pn结和磷硅玻璃进行去除，同时对硅片背面进行抛光处理，增加光的反射；
6、s4、背面镀膜：在多晶电池片背面镀氮氧化硅，氮氧化硅有良好的钝化效果；
7、s5、正面镀膜：在多晶电池正面镀氮化硅层，降低电池表面的反射率，氮化硅有很好的钝化作用，增加了电池少子寿命，氮化硅具有很好的防水汽效果，起到抗pid的作用；
8、s6、开槽：使用激光机对电池背面进行开槽，开槽深度穿破氮氧化硅层，银铝浆会印刷烧结入这些开槽的孔洞用来收集电流；
9、s7、印刷电极：使用丝网印刷工艺在多晶电池正背面印刷银铝浆，通过高温烧结进电池片内部形成电池的正负电极。
10、优选的，步骤s4中，多晶电池片背面镀氮氧化硅的厚度为180-220nm，氮氧化硅有良好的钝化效果，在一定厚度情况下，氮氧化硅可代替氧化铝加上氮化硅的perc方案，减少工序，节省人力。
11、优选的，步骤s6中，开槽的形状为圆形，且开槽深度需穿透氮氧化硅层。
12、优选的，步骤s1中，所述酸为氢氟酸或硝酸。
13、优选的，步骤s3中，所述酸为氢氟酸或硝酸。
14、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
15、采用对多晶硅太阳能电池的背面进行镀膜和开槽的形式，多晶电池片背面镀氮氧化硅，代替传统的镀氧化铝和氮化硅，氮氧化硅有良好的钝化效果，在一定厚度情况下，氮氧化硅可代替氧化铝加上氮化硅的perc方案，不仅减少工序，节省了人力，而且减少了多晶硅太阳能电池少数载流子的表面复合速度，提高了介质膜钝化的低表面复合速度的好处，同时提高了对光的内反射作用，避免采用刻蚀性的银铝浆一次印刷烧结形成欧姆接触的方式，降低了太阳电池使用时的串联电阻，提高了填充因子和电池效率，优化了背场钝化带来的效率提升。
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1.一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，所述的背场钝化工艺包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，步骤S4中，多晶电池片背面镀氮氧化硅的厚度为180-220nm。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，步骤S6中，开槽的形状为圆形，且开槽深度要穿透背面的氮氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，步骤S1中，所述酸为氢氟酸或硝酸。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，步骤S3中，所述酸为氢氟酸或硝酸。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，所述的背场钝化工艺包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其特征在于，步骤s4中，多晶电池片背面镀氮氧化硅的厚度为180-220nm。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅太阳能电池的背场钝化工艺，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟战胜，赵俊，鹏宋东，
申请(专利权)人：江苏华恒新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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