【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及新能源蓄电池系统领域，特别是涉及一种继电器驱动电路及其装置。
技术介绍
1、蓄电池系统中充放电控制主要采用mos管或大功率继电器，驱动大功率继电器的主要方法有mos管、继电器及专业高低边驱动芯片。而现有技术中，mos管和继电器驱动不具备反馈及电路保护功能，专业的高低边驱动芯片虽具备短路、过流保护功能及状态反馈功能，但是专业高低边驱动芯片主要国外厂家生产，包括英飞凌、恩智浦、意法半导体，因此硬件成本较高。
2、此外，继电器驱动线圈失效可能线圈内阻过小，驱动线圈由电池管理系统(bms)驱动，线圈内阻过小会导致bms驱动电流过大，导致bms损坏。继电器驱动线圈电压过大，导致继电器驱动线圈电流过大，导致bms损坏。继电器驱动电路故障，导致继电器无法断开，导致蓄电池系统与充放电回路无法断开，导致蓄电池损坏。
技术实现思路
1、本技术实施例主要解决的技术问题是提供一种继电器驱动电路及其装置，能够以成本较低的元器件实现继电器驱动电路的高低边双边驱动、过流保护要以及短路保护。
2、为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种继电器驱动电路，包括：用于提供驱动电压的输出电源；用于驱动继电器并实现过流保护的高边驱动模块和低边驱动模块，所述输出电源的正极连接至所述高边驱动模块的电压输入端，所述高边驱动模块的电流输出端连接至所述继电器的驱动线圈的正极；所述继电器的驱动线圈的负极连接至所述低边驱动模块的电流输入端，所述低边驱动模块的电流输出端连接至所述输出
3、在一些实施例中，所述高边驱动模块包括mos管q11、电流检测电阻r19、防倒灌二极管d8、驱动三极管q8、驱动三极管q9、驱动三极管q10、驱动电阻r20、驱动电阻r21、驱动电阻r22、驱动电阻r23、驱动电阻r24、驱动电阻r25、驱动电阻r26、齐纳二极管d7和延时电容c20，其中，所述输出电源的正极连接至所述电流检测电阻r19的第一端、所述驱动三极管q8的集电极、所述齐纳二极管d7的阴极和所述驱动电阻r21的第一端，所述电流检测电阻r19的第二端连接至所述驱动电阻r20的第一端和所述mos管q11的漏极，所述驱动电阻r20的第二端连接至所述驱动三极管q8的基极和所述驱动三极管q9的集电极，所述驱动三极管q9的基极连接至所述驱动电阻r23的第一端和所述延时电容c20的第一端，所述驱动电阻r23的第二端连接至所述驱动电阻r25的第一端，所述驱动三极管q9的发射极连接至所述mos管q11的栅极、所述延时电容c20的第二端、所述驱动电阻r25的第二端、所述齐纳二极管d7的阳极、所述驱动电阻r21的第二端和所述驱动电阻r22的第一端；所述驱动电阻r22的第二端连接至所述驱动三极管q10的集电极，所述驱动三极管q10的基极连接至所述驱动电阻r24的第一端和所述驱动电阻r26的第一端，所述驱动电阻r24的第二端连接至所述控制模块的第一输出端，所述驱动电阻r26的第二端和所述驱动三极管q10的发射极接地；所述mos管q11的源极连接至所述防倒灌二极管d8的阳极和所述高边反馈模块的输入端，所述防倒灌二极管d8的阴极连接至所述驱动线圈的正极。
4、在一些实施例中，所述高边反馈模块包括电阻r27、电阻r28、电阻r29、电阻r30、三极管q12和双向瞬态抑制二极管d9，其中，所述双向瞬态抑制二极管d9的第一端连接至所述高边驱动模块的电流输出端和所述电阻r28的第一端，所述电阻r28的第二端连接至所述电阻r30的第一端和所述三极管q12的基极，所述双向瞬态抑制二极管d9的第二端、所述电阻r28的第二端和所述三极管q12的发射极接地；所述三极管q12的集电极连接至所述电阻r27的第一端和所述电阻r29的第一端，所述电阻r27的第二端连接至第一电压源，所述电阻r29的第二端连接至所述控制模块的第一输入端。
5、在一些实施例中，所述低边驱动模块包括mos管q14、电流检测电阻r50、驱动三极管q16、驱动三极管q18、驱动光耦p3、驱动电阻r49、驱动电阻r44、驱动电阻r42、驱动电阻r47、驱动电阻r40、驱动电阻r38、齐纳二极管d13和延时电容c22，其中，所述mos管q14的漏极连接至所述低边反馈模块的输入端和所述驱动线圈的负极，所述mos管q14的栅极连接至所述驱动三极管q16的发射极、所述延时电容c22的第一端、所述驱动电阻r42的第一端、所述齐纳二极管d13的阴极、所述驱动光耦p3的三极管发射极，所述mos管q14的源极连接至所述驱动电阻r49的第一端和所述电流检测电阻r50的第一端，所述电流检测电阻r50的第二端接地；所述驱动三极管q16的基极连接至所述延时电容c22的第二端和所述驱动电阻r44的第一端，所述驱动三极管q16的集电极连接至所述驱动电阻r49的第二端和所述驱动三极管q18的基极，所述驱动三极管q18的集电极连接至所述驱动电阻r44的第二端和所述驱动电阻r42的第二端，所述驱动三极管q18的发射极、所述齐纳二极管d13的阳极和所述驱动电阻r47的第二端接地；所述驱动光耦p3的三极管集电极连接至所述驱动电阻r40的第一端，所述驱动电阻r40的第二端连接至所述输出电源的正极，所述驱动光耦p3的二极管阳极连接至所述驱动电阻r38的第一端，所述驱动电阻r38的第二端连接至第一电压源，所述驱动光耦p3的二极管阴极连接至所述控制模块的第二输出端。
6、在一些实施例中，所述低边反馈模块包括电阻r32、电阻r34、电阻r36、驱动光耦p2和双向瞬态抑制二极管d11，其中，所述双向瞬态抑制二极管d11的第一端连接至所述输出电源的正极和所述电阻r32的第一端，所述电阻r32的第二端连接至所述电阻r34的第一端和所述驱动光耦p2的二极管阳极，所述驱动光耦p2的二极管阴极连接至所述电阻r34的第二端、所述双向瞬态抑制二极管d11的第二端连接和所述低边驱动模块的输出端；所述驱动光耦p2的三极管集电极连接至第一电压源，所述驱动光耦p2的三极管发射极连接至所述电阻r36的第一端和所述控制模块的第二输入端，所述电阻r36的第二端接地。
7、在一些实施例中，所述控制模块包括微控制器电路。
8、在一些实施例中，所述输出电源为bms控制电源。
9、在一些实施例中，所述第一电压源的输出电压为3.3v。
10、在一些实施例中，所述输出电源的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种继电器驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高边驱动模块包括MOS管Q11、电流检测电阻R19、防倒灌二极管D8、驱动三极管Q8、驱动三极管Q9、驱动三极管Q10、驱动电阻R20、驱动电阻R21、驱动电阻R22、驱动电阻R23、驱动电阻R24、驱动电阻R25、驱动电阻R26、齐纳二极管D7和延时电容C20，其中，
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高边反馈模块包括电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、三极管Q12和双向瞬态抑制二极管D9，其中，
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低边驱动模块包括MOS管Q14、电流检测电阻R50、驱动三极管Q16、驱动三极管Q18、驱动光耦P3、驱动电阻R49、驱动电阻R44、驱动电阻R42、驱动电阻R47、驱动电阻R40、驱动电阻R38、齐纳二极管D13和延时电容C22，其中，
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低边反馈模块包括电阻R32、电阻R34、电阻R36、驱动光耦P2和双向瞬态抑制二极管D11，其中
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制模块包括微控制器电路。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输出电源为BMS控制电源。
8.根据权利要求3-5任一项所述的电路，其特征在于，所述第一电压源的输出电压为3.3V。
9.根据权利要求1-7任一项所述的电路，其特征在于，所述输出电源的输出电压为24V。
10.一种继电器驱动装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种继电器驱动电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高边驱动模块包括mos管q11、电流检测电阻r19、防倒灌二极管d8、驱动三极管q8、驱动三极管q9、驱动三极管q10、驱动电阻r20、驱动电阻r21、驱动电阻r22、驱动电阻r23、驱动电阻r24、驱动电阻r25、驱动电阻r26、齐纳二极管d7和延时电容c20，其中，
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高边反馈模块包括电阻r27、电阻r28、电阻r29、电阻r30、三极管q12和双向瞬态抑制二极管d9，其中，
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低边驱动模块包括mos管q14、电流检测电阻r50、驱动三极管q16、驱动三极管q18、驱动光耦p3、驱动电阻r4...
【专利技术属性】
技术研发人员：舒利中，罗毅，谷鹏，杨益，赵福元，
申请(专利权)人：湖南麦格米特电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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