【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及领域，具体为一种超导体用铌锭的熔炼工艺。
技术介绍
1、铌化学符号nb，原子序数为41，是一种过渡金属元素，铌单质是一种带光泽的灰色金属，高纯度铌金属的延展性较高，但会随杂质含量的增加而变硬，铌对于热中子的捕获截面很低，因此在核工业上有相当的用处，超导体，又称为超导材料，指在某一温度下，电阻为零的导体，在实验中，若导体电阻的测量值低于10—25ω，可以认为电阻为零，超导体不仅具有零电阻的特性，另一个重要特征是完全抗磁性，铌金属在超导体领域中通常生产为铌锭以达到其使用目的，而现有铌锭熔炼生产通常采用加热熔炼的方式对其进行熔炼，常见的容量器械为熔炼炉；
2、现有熔炼炉对其进行熔炼过程中通常需要对铌锭用以火焰喷枪对其进行加热熔炼，而熔炼的铌锭在下落以及输送至熔炼炉内部的过程中，导致其内部出现大量的空气，现有的去除空气方式为对其内部加入金属铝，借助铝来去除铌材中的氧，此方法可以做到1次熔炼就能使氧含量降低到10ppm以下，提升效率，降低成本。
3、该方式中，其内部的空气容易残留于熔炼炉内壁，由于熔炼温度较高导致其内部的空气难以有效地对其进行排出，因此存在一定的局限性，并且在加入金属滤同时，需要使其充分混合，由于其高温熔炼的特性导致其混合难度大大提高，并且导致其效率大大降低。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种超导体用铌锭的熔炼工艺，以解决上述背景中提出的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超导体
3、所述熔炼炉本体包括有熔炼座，所述熔炼座顶端固定有固定底座；
4、所述驱动机构包括有与熔炼座转动连接的转轴，所述转轴端部固定有偏心盘；
5、所述往复滑动机构包括有滑动于偏心盘一侧的滑盘，且滑盘内壁固定有多组与偏心盘侧壁接触的内推挤盘，所述滑盘顶端固定有导向杆；
6、所述自转机构包括有固定于转轴端部的内固定齿盘，且内固定齿盘位于偏心盘下方，所述熔炼座顶端转动有与内固定齿盘相咬合的传动齿轮，所述熔炼座顶端转动有与固定底座转动连接的转盘座，所述转盘座内壁固定有与传动齿轮相咬合的内齿环，且导向杆与转盘座滑动连接，所述转盘座顶端开设有与导向杆相匹配的导向总槽。
7、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，多组所述内推挤盘呈环形阵列分布，所述导向杆为十字型，所述导向杆位于转盘座内部。
8、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述导向总槽包括有多组方形槽，多组所述方形槽呈环形阵列分布，且多组方形槽数量与内推挤盘数量相等同，所述导向总槽包括有位于多组方形槽之间的直滑槽，且直滑槽为方形。
9、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述方形槽内壁固定有与导向杆侧壁接触的伸缩杆，且伸缩杆内部设置有复位弹簧与阻尼器。
10、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述熔炼座底端开设有与转轴相匹配的转孔，所述熔炼座底端固定有驱动电机，且转轴与驱动电机之间通过联轴器连接。
11、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述导向杆顶端固定有与转盘座滑动连接的外滑筒，所述熔炼总成包括有滑动于外滑筒内部的熔炼筒，所述熔炼筒底端固定有延伸至转盘座内部的下固定杆，所述下固定杆底端固定有与偏心盘侧壁接触的半球块。
12、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述熔炼总成包括有固定于熔炼筒内部的倾斜块，所述熔炼筒侧壁设置有延伸至熔炼筒内部的出液管，所述出液管内部设置有蝶阀。
13、作为本专利技术的一种超导体用铌锭的熔炼工艺优选技术方案，所述熔炼座底端固定有多组支撑腿，且多组支撑腿呈矩形整列分布。
14、综上所述，本专利技术主要具有以下有益效果：
15、1.本专利技术通过启动驱动电机，可使得偏心轮推挤多组内推挤盘，并在导向杆以及伸缩杆的相互配合下，可使得导向杆顶端固定的外滑筒滑动于转盘座顶端，可起到充分混合的作用；
16、2.本专利技术通过可在传动齿轮、内齿环以及转盘座的相互配合下，可使得转盘座围绕与熔炼座接触位置处转动，起到了自转的作用，可对熔炼的铌锭进行充分混合的作用；
17、3.本专利技术通过驱动电机的启动可使得偏心盘转动，继而可使其与多组下固定杆底端固定的半球块接触，可推挤下固定杆顶端固定的熔炼筒滑动于外滑筒内部，可使得熔炼筒内壁存在的气泡进行抖动，可起到去除气泡的作用，避免了传统对熔炼筒静置所存在效率低的问题，大大提高了其生产效率。
18、4.本专利技术通过打开蝶阀，并在倾斜块的配合下，可使得熔炼的铌锭沿着其倾斜面滑动，继而通过出液管排出，起到了便于排出的作用。
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1.一种超导体用铌锭的熔炼工艺，包括熔炼炉本体(100)，其特征在于：所述熔炼炉本体(100)顶端设置有延伸至其下方的驱动机构(200)，所述驱动机构(200)顶端转动有往复滑动机构(300)，所述驱动机构(200)侧设置有自转机构(400)，所述自转机构(400)顶端设置有熔炼总成(500)；
2.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：多组所述内推挤盘(320)呈环形阵列分布，所述导向杆(330)为十字型，所述导向杆(330)位于转盘座(440)内部。
3.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述导向总槽(350)包括有多组方形槽(351)，多组所述方形槽(351)呈环形阵列分布，且多组方形槽(351)数量与内推挤盘(320)数量相等同，所述导向总槽(350)包括有位于多组方形槽(351)之间的直滑槽(352)，且直滑槽(352)为方形。
4.根据权利要求3所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述方形槽(351)内壁固定有与导向杆(330)侧壁接触的伸缩杆(340)，且伸缩杆(340)内
5.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述熔炼座(110)底端开设有与转轴(220)相匹配的转孔，所述熔炼座(110)底端固定有驱动电机(210)，且转轴(220)与驱动电机(210)之间通过联轴器连接。
6.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述导向杆(330)顶端固定有与转盘座(440)滑动连接的外滑筒(360)，所述熔炼总成(500)包括有滑动于外滑筒(360)内部的熔炼筒(510)，所述熔炼筒(510)底端固定有延伸至转盘座(440)内部的下固定杆(520)，所述下固定杆(520)底端固定有与偏心盘(230)侧壁接触的半球块(530)。
7.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述熔炼总成(500)包括有固定于熔炼筒(510)内部的倾斜块(540)，所述熔炼筒(510)侧壁设置有延伸至熔炼筒(510)内部的出液管(550)，所述出液管(550)内部设置有蝶阀。
8.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述熔炼座(110)底端固定有多组支撑腿(120)，且多组支撑腿(120)呈矩形整列分布。
...【技术特征摘要】
1.一种超导体用铌锭的熔炼工艺，包括熔炼炉本体(100)，其特征在于：所述熔炼炉本体(100)顶端设置有延伸至其下方的驱动机构(200)，所述驱动机构(200)顶端转动有往复滑动机构(300)，所述驱动机构(200)侧设置有自转机构(400)，所述自转机构(400)顶端设置有熔炼总成(500)；
2.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：多组所述内推挤盘(320)呈环形阵列分布，所述导向杆(330)为十字型，所述导向杆(330)位于转盘座(440)内部。
3.根据权利要求1所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述导向总槽(350)包括有多组方形槽(351)，多组所述方形槽(351)呈环形阵列分布，且多组方形槽(351)数量与内推挤盘(320)数量相等同，所述导向总槽(350)包括有位于多组方形槽(351)之间的直滑槽(352)，且直滑槽(352)为方形。
4.根据权利要求3所述的一种超导体用铌锭的熔炼工艺，其特征在于：所述方形槽(351)内壁固定有与导向杆(330)侧壁接触的伸缩杆(340)，且伸缩杆(340)内部设置有复位弹簧与阻尼器。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴正伍，冯中慧，李莹，
申请(专利权)人：稀美贵阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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