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接合装置及接合方法制造方法及图纸

技术编号:41670619 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-14 15:27
本发明专利技术提供一种能够以简单的结构提高晶片等基板的凸块或引线的接合中的基板的生产性的接合装置及接合方法。接合载台(5)包含第一接合载台(6)及第二接合载台(8),第一接合载台与第二接合载台经由θ轴而相向地配设于具有能够以θ轴(27)为中心旋转的θ轴旋转机构(26)的旋转工作台(25),且构成为能够调换第一接合载台与第二接合载台的位置,接合装置(1)具有能够使旋转工作台沿XY方向移动的XY移动机构(35)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种接合装置及接合方法,且特别涉及一种将凸块或引线接合于载置在接合载台的基板的接合装置及接合方法。


技术介绍

1、之前,已知有一种在半导体芯片的电极上形成凸块作为连接端子的接合装置。

2、专利文献1中公开了一种在形成于晶片的半导体芯片的电极上形成凸块的接合方法。根据专利文献1,通过搭载有接合载台的x轴驱动机构,接合载台移动至将搭载有晶片的载带自料盒拉出的位置,并通过x轴驱动机构将自料盒推出的载带搬送至晶片交接位置。

3、然后,使接合载台移动至晶片交接位置,将载带保持于接合载台上并通过x轴驱动机构将接合载台移动至接合区域,预热后进行接合。

4、晶片的接合结束后,通过x轴驱动机构将接合载台搬送至晶片交接位置,并使用x轴驱动机构的臂将载带推出并收纳于料盒中。然后,将下一进行接合的载带自料盒拉出并进行接合。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本专利第6409033号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、在凸块或引线的接合中,按照以下程序进行载置于接合载台的晶片的更换。此时,特别是当对薄的晶片进行急加热、急冷时,晶片有可能会破裂,因此温度管理变得重要。

3、1.为了防止晶片因热的影响而破裂,接合载台维持晶片不易破裂的数10℃~100℃左右的温度,将晶片搭载于接合载台。

4、2.搭载晶片后,将接合载台的真空吸附机构打开(on)而固定晶片。>

5、3.另外,将接合载台的加热器打开而进行晶片的加热。

6、4.然后,接合载台移动至接合位置。

7、5.确认接合载台的温度上升至规定的接合温度,开始进行接合。

8、6.接合结束后,将接合载台的加热器关闭(off)。

9、7.另外,接合载台向冷却位置移动。

10、8.通过冷却用鼓风进行冷却或待机至接合载台的温度自然地下降至冷却的规定温度为止。

11、9.在接合载台的温度缓冷至数十度~100℃左右(晶片不易因热的影响破裂的温度)后,将晶片自接合载台排出。

12、通过以上操作,进行晶片向接合载台的搭载、接合、接合完毕的晶片的排出。对于下一晶片的接合也重复进行自1开始的程序。

13、根据所述程序,每当进行一片晶片的接合时均需要接合载台的温度自待机温度上升至接合温度的加热时间及自接合温度下降至待机温度的冷却时间,在所述加热及冷却期间中无法进行接合,因此生产性降低。

14、如此,在现有技术中,晶片的接合完成后在冷却、晶片更换、晶片加热、及晶片更换时需要时间。例如自150℃冷却至100℃需要6分钟~7分钟,晶片更换后自100℃加热至150℃需要相同程度的时间。

15、因此,晶片更换需要13分钟~15分钟左右,在此期间接合载台无法用于接合,因此在此期间停止了接合动作。

16、在此种状况下,本申请专利技术者为了改善所述课题而反复进行了研究、实验,之前在晶片的更换、晶片的加热、晶片的冷却中停止了接合动作,为了解决所述状态,想到了如下的本专利技术,即,将接合载台分为进行晶片更换的载台及进行接合的载台此两个载台,使搭载有两个接合载台的旋转工作台旋转来更换进行晶片更换及接合的载台,其中一个载台在晶片更换过程中在另一个载台进行接合,由此,能够通过简单的结构减少伴随晶片更换的接合动作时间的损失,从而增加生产数。

17、由此,本专利技术的目的在于提供一种能够以简单的结构提高接合中的晶片等基板的生产性的接合装置及接合方法。

18、解决问题的技术手段

19、为了实现所述目的,本专利技术的接合装置为经由接合头将凸块或引线接合于载置在接合载台的基板的接合装置,所述接合装置的特征在于,所述接合载台包含第一接合载台及第二接合载台,所述第一接合载台与所述第二接合载台经由θ轴而相向地配设于具有能够以所述θ轴为中心旋转的θ轴旋转机构的旋转工作台,且构成为能够通过利用所述θ轴旋转机构使所述旋转工作台以所述θ轴为中心旋转来调换所述第一接合载台与所述第二接合载台的位置,所述接合装置具有能够使所述旋转工作台沿xy方向移动的xy移动机构。

20、另外,本专利技术的接合装置中的所述第一接合载台及所述第二接合载台的特征在于,通过所述旋转工作台的旋转及向xy方向的移动,能够移动至接合区域及所述基板的与所述接合装置外的交接位置。

21、另外,本专利技术的接合装置中的所述第一接合载台与所述第二接合载台的各者的特征在于,通过载台旋转机构以所述基板的主面的中心为旋转中心而旋转自如地配设于所述旋转工作台。

22、另外,本专利技术的接合方法为使用经由接合头将凸块接合于载置在接合载台的晶片的接合装置的接合方法,所述接合方法的特征在于,所述接合载台包含分别具有加热器且构成为能够进行加热的第一接合载台及第二接合载台,所述第一接合载台与所述第二接合载台经由θ轴而相向地配设于具有能够以所述θ轴为中心旋转的θ轴旋转机构的旋转工作台上,且构成为能够调换所述第一接合载台与所述第二接合载台的位置,所述接合装置具有能够使所述旋转工作台沿xy方向移动的xy移动机构,所述接合方法包含:第一工序,在将凸块接合于载置在所述第一接合载台并通过所述加热器加热至规定温度的第一晶片的同时,通过所述加热器对载置于所述第二接合载台的第二晶片进行加热;第二工序,通过所述旋转工作台的旋转来调换载置有接合完成后的所述第一晶片的所述第一接合载台与载置有所述第二晶片的所述第二接合载台的位置;第三工序,在将凸块接合于载置在所述第二接合载台并通过所述加热器加热至规定温度的所述第二晶片的同时,通过所述加热器的关闭状态将载置于所述第一接合载台的所述第一晶片冷却至规定温度;第四工序,通过载置于所述第一接合载台的所述第一晶片冷却至规定温度,将对载置于所述第二接合载台的所述第二晶片的接合中断,通过利用所述xy移动机构移动所述旋转工作台,使所述第一接合载台移动至晶片的与所述接合装置外的交接位置,排出所述第一晶片,将第三晶片搬入并载置于所述第一接合载台;以及第五工序,在通过所述xy移动机构使所述旋转工作台移动,重新进行对载置于所述第二接合载台的所述第二晶片的接合并继续进行的同时,通过所述加热器对载置于所述第一接合载台的所述第三晶片进行加热。

23、另外,本专利技术的接合方法中的所述第一接合载台及所述第二接合载台的各者的特征在于,通过载台旋转机构以所述晶片的主面的中心为旋转中心而旋转自如地配设于所述旋转工作台,在接合时通过旋转动作来扩大所述晶片的可接合区域。

24、专利技术的效果

25、根据本专利技术,接合载台包含第一接合载台及第二接合载台,第一接合载台与第二接合载台经由θ轴而相向地配设于具有能够以θ轴为中心旋转的θ轴旋转机构的旋转工作台,且构成为能够调换第一接合载台与第二接合载台的位置,且具有能够使旋转工作台沿xy方向移动的xy移动机构即xy工作台,由此使搭载有两个接合载台的旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合装置,经由接合头将凸块或引线接合于载置在接合载台的基板,所述接合装置的特征在于,

2.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,所述第一接合载台及所述第二接合载台通过所述旋转工作台的旋转及向XY方向的移动,能够移动至接合区域及所述基板的与所述接合装置外的交接位置。

3.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,所述第一接合载台与所述第二接合载台分别通过载台旋转机构以所述基板的主面的中心为旋转中心而旋转自如地配设于所述旋转工作台。

4.一种接合方法,使用经由接合头将凸块接合于载置在接合载台的晶片的接合装置,所述接合方法的特征在于,

5.根据权利要求4所述的接合方法,其特征在于,所述第一接合载台及所述第二接合载台分别通过载台旋转机构以所述晶片的主面的中心为旋转中心而旋转自如地配设于所述旋转工作台,在接合时通过旋转动作来扩大所述晶片的可接合区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合装置,经由接合头将凸块或引线接合于载置在接合载台的基板,所述接合装置的特征在于,

2.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,所述第一接合载台及所述第二接合载台通过所述旋转工作台的旋转及向xy方向的移动,能够移动至接合区域及所述基板的与所述接合装置外的交接位置。

3.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,所述第一接合载台与所述第二接合载台分别通过载台旋转机构以所...

【专利技术属性】
技术研发人员:山口穂隆吉野秀纪
申请(专利权)人:株式会社海上
类型:发明
国别省市:

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