【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电源门控电路(power gating circuit)及包括电源门控电路的半导体芯片。
技术介绍
1、半导体存储器件是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体材料实现的一种类型的存储器件。半导体存储器件可以被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。
2、减小泄漏电流是半导体存储器件中的重要问题。电源门控方法是一种用于减小泄漏电流的技术。一般而言，减小电源门控晶体管的尺寸带来泄漏电流的减小。然而，尺寸的这种减小导致电源门控晶体管在导通状态下的电阻增大，因此导致更高的功耗。相比之下，增大电源门控晶体管的尺寸以减小其导通状态下的电阻可能导致泄漏电流的不完全阻断。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例提供了一种电源门控电路，该电源门控电路可以在减小泄漏电流的同时显著地减小导通状态下的电阻。
2、根据本公开的示例实施例，提供了一种电源门控电路，所述电源门控电路包括：电源门控晶体管；栅极偏压生成电路，所述栅极偏压生成电路连接到所述电源门控晶体管的栅极，并且被配置为向所述电源门控晶体管的所述栅极提供栅极偏压控制信号；以及本体(body)偏压生成电路，所述本体偏压生成电路连接到所述电源门控晶体管的本体，并且被配置为向所述电源门控晶体管的所述本体提供本体偏压控制信号，其中，当所述电源门控晶体管导通时，所述栅极偏压生成电路向所述电源门控晶体管的所述栅极提供具有正电压电平的所述栅极偏压控制信号，并且所述本体偏压生成电路向所述电源门
3、根据本公开的示例实施例，提供了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：第一电源门控晶体管，所述第一电源门控晶体管连接到第一内部电路，并且被配置为向所述第一内部电路提供第一供电电压；第二电源门控晶体管，所述第二电源门控晶体管连接到不同于所述第一内部电路的第二内部电路，并且被配置为向所述第二内部电路提供第二供电电压；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述第一电源门控晶体管和所述第二电源门控晶体管的开关操作，其中，提供给所述第一电源门控晶体管的本体的电压的电平不同于提供给所述第二电源门控晶体管的本体的电压的电平。
4、根据本公开的示例实施例，提供了一种电源门控电路，所述电源门控电路包括：第一电源门控晶体管，所述第一电源门控晶体管设置在内部电路与接地电压之间；第二电源门控晶体管，所述第二电源门控晶体管设置在所述内部电路与供电电压之间；栅极偏压生成电路，所述栅极偏压生成电路被配置为向所述第一电源门控晶体管的栅极提供栅极偏压控制信号；以及本体偏压生成电路，所述本体偏压生成电路被配置为向所述第一电源门控晶体管的本体提供本体偏压控制信号，其中，当所述第一电源门控晶体管和所述第二电源门控晶体管导通时，所述栅极偏压生成电路和所述本体偏压生成电路分别向所述第一电源门控晶体管提供具有正电压电平的所述栅极偏压控制信号和具有正电压电平的所述本体偏压控制信号，以及当所述第一电源门控晶体管和所述第二电源门控晶体管关断时，所述栅极偏压生成电路和所述本体偏压生成电路分别向所述第一电源门控晶体管提供具有接地电压电平或负电压电平的所述栅极偏压控制信号和具有所述接地电压电平或所述负电压电平的所述本体偏压控制信号。
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1.一种电源门控电路，所述电源门控电路包括：
2.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
3.根据权利要求2所述的电源门控电路，其中，
4.根据权利要求3所述的电源门控电路，其中，
5.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
6.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
7.根据权利要求6所述的电源门控电路，其中，
8.根据权利要求7所述的电源门控电路，其中，
9.根据权利要求1所述的电源门控电路，所述电源门控电路还包括：
10.根据权利要求9所述的电源门控电路，所述电源门控电路还包括：
11.根据权利要求10所述的电源门控电路，其中，
12.根据权利要求11所述的电源门控电路，其中，
13.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：
14.根据权利要求13所述的半导体芯片，所述半导体芯片还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中，
16.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中，
18.一种电源门控电路，所述电源门控电路包括：
19.根据权利要求18所述的电源门控电路，所述电源门控电路还包括：
20.根据权利要求19所述的电源门控电路，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种电源门控电路，所述电源门控电路包括：
2.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
3.根据权利要求2所述的电源门控电路，其中，
4.根据权利要求3所述的电源门控电路，其中，
5.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
6.根据权利要求1所述的电源门控电路，其中，
7.根据权利要求6所述的电源门控电路，其中，
8.根据权利要求7所述的电源门控电路，其中，
9.根据权利要求1所述的电源门控电路，所述电源门控电路还包括：
10.根据权利要求9所述的电源门控电路，所述电源门控电路还包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑振旭，朴宰佑，郭明保，崔桢焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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