【技术实现步骤摘要】
本揭示涉及一种场效应晶体管。
技术介绍
1、目前，作为使用氮化镓(gan)等iii-v族半导体的场效应晶体管(fet：fieldeffect transistor)之一的高电子迁移率晶体管(hemt：high electron mobilitytransistor)的产品化不断发展。hemt使用形成在半导体异质结的界面附近的二维电子气体(2deg：2dimensional electron gas)，作为导电路径(沟道)(例如，参考专利文献1)。与典型的硅(si)功率晶体管相比，认定使用hemt的功率晶体管能进行低接通电阻及高速、高频动作的器件。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2017-73506号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、在功率用途的hemt中，寻求减少切换损耗且实现高速切换。为了响应所述要求，寻求进一步减少栅极/漏极间寄生电容与栅极配线电阻。
3、[解决问题的技术手段]
4、本揭示的一方面的场效应晶体管具备：衬底；第1氮化物半导体层，配置在所述衬底的上方；第2氮化物半导体层，配置在所述第1氮化物半导体层上，且具有比所述第1氮化物半导体层大的带隙；多个源极电极，在所述第2氮化物半导体层上，俯视时各自沿第1方向延伸且在所述第1方向及与所述第1方向正交的第2方向上排列配置；多个漏极电极，在所述第2氮化物半导体层上，各自沿所述第1方向延伸且在所述
5、[专利技术的效果]
6、本揭示的一方面的场效应晶体管能减少栅极/漏极间寄生电容与栅极配线电阻，由此能减少切换损耗且实现高速切换。
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1.一种场效应晶体管，具备：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述栅极配线的配线宽度为所述第1方向上的所述第1高电阻区域的宽度以下。
3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，还具备：
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述漏极电极与所述第1高电阻区域之间的距离，大于所述第2方向上的所述漏极电极与所述栅极构造之间的距离。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的场效应晶体管，还具备：
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中各所述漏极电极在俯视时由所述源极电极延伸部包围。
9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中
10.根据权利要求6所述的场效应晶体管，还具备：
11.根据权利要求6到10中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述漏极开口部与所述第1高电阻区域之间的距离
12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的场效应晶体管，还具备：
13.根据权利要求12所述的场效应晶体管，其中所述栅极配线在所述第1方向上与所述源极配线相邻。
14.根据权利要求12或13所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述栅极配线的配线宽度小于所述第1方向上的所述源极配线的配线宽度，且小于所述第1方向上的所述漏极配线的配线宽度。
15.根据权利要求1到14中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第1高电阻区域包含形成比形成在所述第1氮化物半导体层的二维电子气体的沟道区域高电阻的区域的杂质。
16.根据权利要求15所述的场效应晶体管，其中所述第1高电阻区域包含通过离子注入而导入的所述杂质。
17.根据权利要求15或16所述的场效应晶体管，其中所述杂质为He、B、N、O、F及Ar中的至少1种。
18.根据权利要求3或4所述的场效应晶体管，其中所述第3氮化物半导体层包含受体型杂质。
19.根据权利要求18所述的场效应晶体管，其中所述栅极电极由与所述第3氮化物半导体层形成肖特基接合的金属形成。
20.根据权利要求18或19所述的场效应晶体管，其中所述金属为TiN、WSi及WSiN中的至少1种。
21.根据权利要求1到20中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第3氮化物半导体层包含受体型杂质。
22.根据权利要求1到21中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述栅极电极由与所述第3氮化物半导体层形成肖特基接合的金属形成。
23.根据权利要求22所述的场效应晶体管，其中所述金属为TiN、WSi及WSiN中的至少1种。
...【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，具备：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述栅极配线的配线宽度为所述第1方向上的所述第1高电阻区域的宽度以下。
3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，还具备：
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述漏极电极与所述第1高电阻区域之间的距离，大于所述第2方向上的所述漏极电极与所述栅极构造之间的距离。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的场效应晶体管，还具备：
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中各所述漏极电极在俯视时由所述源极电极延伸部包围。
9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中
10.根据权利要求6所述的场效应晶体管，还具备：
11.根据权利要求6到10中任一权利要求所述的场效应晶体管，其中所述第1方向上的所述漏极开口部与所述第1高电阻区域之间的距离，大于所述第2方向上的所述漏极开口部与所述栅极构造之间的距离。
12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的场效应晶体管，还具备：
13.根据权利要求12所述的场效应晶体管，其中所述栅极配线在所述第1方向上与所述源极配线相邻。
14.根据权利要...
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