【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及半导体存储器件。
技术介绍
1、随着半导体存储器件的设计规则减少，已经开发了制造技术来提高半导体存储器件的集成密度、操作速度和产量。因此，已经提出了具有垂直沟道的晶体管来提高晶体管的集成密度、电阻和电流驱动能力。
技术实现思路
1、在一方面，一种半导体存储器件可以包括设置在衬底上并且在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线、以及在第一有源图案上的第一导电图案。第一字线可以包括面对第一方向的第一侧表面。第一有源图案可以包括在第一字线和第一导电图案之间的第一部分、在第一字线和位线之间的第二部分、以及在第一字线的第一侧表面上延伸以将第一部分连接到第二部分的第三部分。
2、在一方面，一种半导体存储器件可以包括设置在衬底上并且在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线、在位线上的第一有源图案、以及在平行于衬底的底表面并与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案交叉的第一字线。第一有源图案可以包括在第一方向上彼此相反的第一侧表面和第二侧表面。第一字线可以包括在第一方向上彼此相反的第一侧表面和第二侧表面。第一字线的第二侧表面可以与第一有源图案的第二侧表面对准。第一字线的第一侧表面可以位于第一有源图案的第一侧表面和第一字线的第二侧表面之间。
3、在一方面，一种半导体存储器件可以包括设置在衬底上并且在平行于衬底的底表面的第一方向上延伸的位线
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一字线进一步包括与所述第一侧表面相反的第二侧表面，所述第二侧表面被所述第一有源图案的所述第一部分和所述第二部分暴露。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括字线绝缘图案，所述字线绝缘图案在所述第一有源图案的所述第一部分和所述第一字线之间、在所述第一有源图案的所述第二部分和所述第一字线之间、以及在所述第一有源图案的所述第三部分和所述第一字线之间延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一字线的所述第一侧表面上的背栅电极，所述第一有源图案的所述第三部分在所述第一字线和所述背栅电极之间。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述字线绝缘图案和所述背栅绝缘图案中的每个独立地包括硅氧化物、高k电介质材料、低k电介质材料和铁电材料中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的背栅电极。
10.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二有源图案的所述第三部分在所述第一有源图案的所述第三部分和所述第二字线之间。
11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案的所述第三部分包括与所述第一部分和所述第二部分相同的材料或者与所述第一部分和所述第二部分的材料不同的材料。
13.一种半导体存储器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述第一字线的所述第一侧表面与所述第一有源图案的所述第一侧表面和所述第一有源图案的所述第二侧表面间隔开。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案覆盖所述第一字线的顶表面和底表面并且延伸到所述第一字线的所述第一侧表面上。
16.根据权利要求13所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一有源图案的所述第一侧表面上的背栅电极，所述第一有源图案在所述第一字线和所述背栅电极之间。
17.根据权利要求13所述的半导体存储器件，进一步包括：
18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一有源图案的所述第一侧表面和所述第二有源图案的所述第一侧表面之间的背栅电极。
19.一种半导体存储器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体存储器件，其中所述字线在所述有源图案的顶表面和所述有源图案的底表面之间。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一字线进一步包括与所述第一侧表面相反的第二侧表面，所述第二侧表面被所述第一有源图案的所述第一部分和所述第二部分暴露。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括字线绝缘图案，所述字线绝缘图案在所述第一有源图案的所述第一部分和所述第一字线之间、在所述第一有源图案的所述第二部分和所述第一字线之间、以及在所述第一有源图案的所述第三部分和所述第一字线之间延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一字线的所述第一侧表面上的背栅电极，所述第一有源图案的所述第三部分在所述第一字线和所述背栅电极之间。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述字线绝缘图案和所述背栅绝缘图案中的每个独立地包括硅氧化物、高k电介质材料、低k电介质材料和铁电材料中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，进一步包括在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的背栅电极。
10.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二有源图案的所述第三部分在...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑文泳，卢亨俊，李相昊，洪润基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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