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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置。
技术介绍
1、近年来,作为代替液晶显示装置的显示装置,使用有机电致发光(electroluminescence,以下也称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置受到关注。在该有机el显示装置中,针对作为图像的最小单位的每个子像素设置有薄膜晶体管(thinfilm transistor,以下也称为“tft”)。在此,作为构成tft的半导体层,例如众所周知有由迀移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的in-ga-zn-o等氧化物半导体构成的半导体层等。
2、例如,在专利文献1中,作为使用具备具有氧化物半导体层的tft的tft基板的显示装置,例示了有机el显示装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特许第6311900号公报
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、但是,在具备具有由氧化物半导体构成的半导体层的tft的高精细的显示装置中,由于制造工序中积蓄的静电放电所导致的绝缘膜的破坏、以及来自外部的水分侵入,使用氧化物半导体的tft的特性有可能降低。
3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,抑制使用由静电放电和水分侵入引起的氧化物半导体的薄膜晶体管的特性的降低。
4、用于解决技术问题的技术方案
5、为了达成上述目的,本专利技术的显示装置具备:基底基板;以及薄膜晶体管层,其设置在所述基底基板上,并依次层叠有由多晶硅构成的
6、有益效果
7、根据本专利技术,能够抑制使用由静电放电及水分侵入引起的氧化物半导体的薄膜晶体管的特性的降低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的显示装置,其特征在于,
8.根据权利要求1~7中任一项所述的显示装置,其特征在于,
9.根据权利要求1~8中任一项所述的显示装置,其特征在于,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
11.根据权利要求10所述的显示装置,其特征在于,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种显示装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
7....
【专利技术属性】
技术研发人员:宫本忠芳,
申请(专利权)人:夏普显示科技株式会社,
类型:发明
国别省市:
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