【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及温度控制方法、装置、系统及设备。
技术介绍
1、目前，主要利用汽化的异丙醇对清洗后的晶圆进行干燥处理，例如采用汽化的异丙醇与氮气的混合气体对晶圆进行干燥处理。由于异丙醇的蒸汽流量会对晶圆表面的水痕比例造成影响，因此，在异丙醇的汽化过程中，需要对异丙醇的加热温度进行精细化控制。
2、在相关技术中，主要是以恒功率的加热方式对异丙醇进行加热。但是，这种加热方式，在升温阶段中容易导致温度过冲较大，而在温度稳定阶段的温度调节范围较大，从而导致异丙醇汽化过程中的温度控制精度较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种温度控制方法、装置、系统及设备，以解决温度控制精度较低的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种温度控制方法，所述方法包括：
3、获取目标物质的实际温度值；
4、基于所述实际温度值从多个温度范围中确定出目标温度范围，所述多个温度范围是基于所述目标物质的目标温度值划分得到的；
5、基于所述目标温度范围确定目标加热功率，所述目标加热功率与所述目标温度范围的温度值呈负相关；
6、基于所述目标加热功率对目标加热装置的加热功率进行控制，以利用所述目标加热装置将所述目标物质加热至所述目标温度值。
7、在该方式中，基于目标物质的目标温度值划分多个温度范围，且温度范围的温度值与加热功率呈负相关。在温度控制过程中，基于目标物质的实际温度值所属的目标温度范围确定对应的目标
8、在一种可选的实施方式中，所述基于所述目标温度范围确定目标加热功率，包括：
9、基于所述目标温度范围从多个功率控制参数中确定出目标功率控制参数，所述多个功率控制参数与所述多个温度范围一一对应；
10、基于所述实际温度值、所述目标温度值以及所述目标功率控制参数，确定所述目标加热功率。
11、在该方式中，对于不同的温度范围采用不同的功率控制参数，然后基于实际温度值、目标温度值以及目标温度范围对应的目标功率控制参数，确定目标加热功率。因此，能够在同一目标温度范围下，对目标加热装置的加热功率进行更精细的控制，以进一步提高温度控制的控制精度。
12、在一种可选的实施方式中，所述目标功率控制参数包括比例控制参数、积分控制参数以及微分控制参数中至少之一；所述基于所述实际温度值、所述目标温度值以及所述目标功率控制参数，确定所述目标加热功率，包括：
13、基于所述目标温度范围确定阶段升温温度值；
14、基于所述实际温度值与所述阶段升温温度值的差值，确定温度控制偏差；
15、基于所述温度控制偏差以及所述目标功率控制参数进行目标控制，得到所述目标加热功率，所述目标控制包括比例控制、积分控制以及微分控制中至少之一。
16、在该方式中，基于实际温度值与目标温度范围对应的阶段升温温度值的差值，确定温度控制偏差，然后基于温度控制偏差以及目标功率控制参数进行目标控制，得到目标加热功率。因此，能够根据目标物质的实际温度值动态调节目标加热功率，以在避免温度过冲过大以及温度震荡时间的过长的同时，减小实际温度值与阶段升温温度值的温度偏差，提高每个温度范围内的温度控制精度，以进一步提高整体的温度控制的控制精度。
17、在一种可选的实施方式中，所述基于所述目标加热功率对目标加热装置的加热功率进行控制，包括：
18、将所述目标加热功率转换为标准模拟量信号，得到功率控制信号；
19、基于所述功率控制信号对所述目标加热装置的加热功率进行控制。
20、在该方式中，将目标加热功率转换为标准模拟量信号，得到功率控制信号，再基于功率控制信号对目标加热装置的加热功率进行控制。因此，能够在保证加热功率调控实时性的前提下减小干扰。
21、在一种可选的实施方式中，所述基于所述功率控制信号对所述目标加热装置的加热功率进行控制，包括：
22、将所述功率控制信号发送至目标功率控制装置，以利用所述目标功率控制装置对所述目标加热装置的加热功率进行控制。
23、在该方式中，利用目标功率控制装置对目标加热装置的加热功率进行控制。因此，能够根据温度范围变化调节对应的目标加热装置的加热功率，将固定加热功率变为可调节加热功率，以减小升温过程中的温度过冲，并减小温度稳定阶段的温度调节范围，使得温度控制更加稳定。
24、在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：
25、获取所述目标功率控制装置的输出功率；
26、基于所述输出功率与所述目标加热功率的差值，得到功率控制偏差；
27、在所述功率控制偏差超过预设偏差范围的情况下，判定当前功率控制不满足预设安全运行条件。
28、在该方式中，基于目标功率控制装置的输出功率与目标加热功率的差值，判断当前功率控制是否满足预设安全运行条件。因此，能够避免目标功率控制装置的输出功率与目标加热功率相差过大，以提高温度控制精度。同时，避免目标物质或者目标加热装置过热而对温度控制装置造成损坏，以保证温度控制的安全性。
29、第二方面，本专利技术提供了一种温度控制装置，所述装置包括：
30、温度获取模块，用于获取目标物质的实际温度值；
31、范围确定模块，用于基于所述实际温度值从多个温度范围中确定出目标温度范围，所述多个温度范围是基于所述目标物质的目标温度值划分得到的；
32、功率确定模块，用于基于所述目标温度范围确定目标加热功率，所述目标加热功率与所述目标温度范围的温度值呈负相关；
33、温度控制模块，用于基于所述目标加热功率对目标加热装置的加热功率进行控制，以利用所述目标加热装置将所述目标物质加热至所述目标温度值。
34、第三方面，本专利技术提供了一种温度控制系统，所述系统包括：
35、第一加热装置，用于对晶圆处理设备的汽化腔室内的第一目标物质进行加热，所述第一目标物质用于对目标晶圆进行干燥处理；
36、第一温度检测装置，用于检测所述第一目标物质的第一实际温度值；
37、温度控制装置，与所述第一加热装置以及所述第一温度检测装置分别连接，其用于：
38、获取所述第一温度检测装置检测的所述第一实际温度值；
39、基于所述第一实际温度值从多个第一温度范围中确定出第一目标温度范围，所述多个第一温度范围是基于所述第一目标物质的第一目标温度值划分得到的；
40、基于所述第一目标温度范围确定第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述基于所述目标温度范围确定目标加热功率，包括：
3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，所述目标功率控制参数包括比例控制参数、积分控制参数以及微分控制参数中至少之一；所述基于所述实际温度值、所述目标温度值以及所述目标功率控制参数，确定所述目标加热功率，包括：
4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述基于所述目标加热功率对目标加热装置的加热功率进行控制，包括：
5.根据权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，所述基于所述功率控制信号对所述目标加热装置的加热功率进行控制，包括：
6.根据权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.一种温度控制装置，其特征在于，所述装置包括：
8.一种温度控制系统，其特征在于，所述系统包括：
9.根据权利要求8所述的温度控制系统，其特征在于，所述系统还包括：
10.一种晶圆处理设备，其特征在于，所述设
...【技术特征摘要】
1.一种温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述基于所述目标温度范围确定目标加热功率，包括：
3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，所述目标功率控制参数包括比例控制参数、积分控制参数以及微分控制参数中至少之一；所述基于所述实际温度值、所述目标温度值以及所述目标功率控制参数，确定所述目标加热功率，包括：
4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述基于所述目标加热功率对目标加热装置的加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛张松，张为强，廉金武，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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