System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法技术_技高网

一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法技术

技术编号:41664666 阅读:4 留言:0更新日期:2024-06-14 15:24
本发明专利技术公开了一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,包括:将含有二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠与氧化钾的石膏标准样加入硝酸钡与掩蔽剂,进行反应,将反应生成物中滤液蒸干,再加入高密度聚乙烯粉,进行压片后进行X射线荧光光分析,得到标准曲线;对石膏待测样进行预处理,制备待测样压片;通过X射线荧光光分析待测样压片,根据标准曲线和石膏待测样的浓缩倍率,计算得到石膏待测样中二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠与氧化钾的含量。本发明专利技术能够同时测试出石膏中多种杂质组分二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠、氧化钾含量,而且方法稳定性强、准确度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于石膏分析,具体涉及一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法


技术介绍

1、石膏是自然界中一种珍贵的矿产原料,经工业加工后可用于食品、医药和建筑等领域。石膏中有效组分是硫酸钙,但常会含有多种杂质组分,如若杂质含量超标,将会导致使用效果大打折扣。

2、石膏的常见杂质组分包括二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠、氧化钾等,依据gb/t5484-2012《石膏化学分析方法》逐一处理、分别检测。1)二氧化硅测定采用氟硅酸钾容量法,使硅酸沉淀为氟硅酸钾、洗涤、中和残余酸、水解后,再用氢氧化钠标液滴定、计算。2)三氧化二铁测定采用邻菲罗啉分光光度法,加入抗坏血酸溶液,再与邻菲罗啉生成红色络合物,使用分光光度计测定溶液吸光度。3)三氧化二铝测定时,采用滴定反应得到铁铝含量,再扣除三氧化二铁含量。4)氧化镁测定时,调节溶液环境为碱性,加药、滴定,差减、计算。5)氧化钾和氧化钠采用火焰光度法,经酸化、蒸发、浸取残渣、分离铁铝钙镁杂质,再使用光焰光度计分别绘制标准曲线,分别测定氧化钾和氧化钠。

3、上述过程需使用到几十种化学试剂、几十种仪器设备,成本过高,极其耗时耗力,容易产生系统误差和过失误差。


技术实现思路

1、为了解决以上问题,本专利技术的目的在于提供一种高效、便捷、准确的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,该方法可以同时测定石膏中杂质组分二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化钙、氧化镁、氧化钠与氧化钾含量。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:

3、一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,包括如下步骤:

4、1)将若干含有二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠与氧化钾的石膏标准样,研磨、烘干、加酸、煮沸,制得石膏标准样的液体;

5、2)向石膏标准样的液体中加入硝酸钡,进行复分解反应,然后加入掩蔽剂,进行配位反应,将反应生成物中的沉淀过滤掉,将过滤液蒸干,得到高倍浓缩的预处理后标准样;

6、3)向高倍浓缩的预处理后标准样中加入高密度聚乙烯粉,进行压片制得标准样压片;

7、4)通过x射线荧光光谱分析标准样压片,得到标准曲线;

8、5)对石膏待测样进行预处理,制备待测样压片;

9、6)通过x射线荧光光谱分析待测样压片,根据标准曲线和石膏待测样的浓缩倍率,计算得到石膏待测样中二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠与氧化钾的含量。

10、进一步的,石膏标准样中二氧化硅的质量百分数为0.63%~13.3%,三氧化二铝的质量百分数为0.14%~1.14%,三氧化二铁的质量百分数为0.11%~0.38%,氧化镁的质量百分数为0.02%~3.19%,氧化钠的质量百分数为0.014%~0.11%,氧化钾的质量百分数为0.026%~0.23%。

11、进一步的,研磨至粒度不大于200目。

12、进一步的,向石膏标准样的液体中,先加入硝酸钡,3~5min后,加入掩蔽剂,反应3~5min。

13、进一步的,石膏标准样与硝酸钡的质量比为136:391。

14、进一步的,掩蔽剂为edta,石膏标准样与edta的质量比为294:656。

15、进一步的,进行复分解反应时,反应至再无沉淀生成时停止,进行配位反应时,反应至再无沉淀生成时停止。

16、进一步的,通过x射线荧光光谱分析标准样压片,得到标准曲线,包括以下步骤:

17、对二氧化硅,谱线si ka1-hs-min/shigao-rp,电压30kv,电流100ma固定,准直器0.46,晶体pet,脉冲高度pha50%-150%,测试时间20s,探测器flow-counter;

18、对三氧化二铝,谱线al ka1-hs-min/shigao-rp,电压30kv,电流100ma固定,准直器0.46,晶体pet,脉冲高度pha50%-150%,测试时间20s,探测器flow-counter;

19、对三氧化二铁,谱线fe ka1-hs-min/shigao-rp,电压60kv,电流50ma固定,准直器0.46,晶体lif200,脉冲高度pha50%-150%,测试时间10s,探测器scintillation-counter;

20、对氧化镁,谱线mg ka1-hs-min/shigao-rp,电压30kv,电流100ma固定,准直器0.46,晶体xs-55,脉冲高度pha40%-160%,测试时间20s,探测器flow-counter;

21、对氧化钠,谱线na ka1-hs-min/shigao-rp,电压30kv,电流100ma,准直器0.46,晶体xs-55,脉冲高度pha50%-150%,测试时间20s,探测器flow-counter;

22、对氧化钾,谱线k ka1-hs-min/shigao-rp,电压50kv,电流60ma,准直器0.46,晶体lif200,脉冲高度pha50%-150%,测试时间6s,探测器flow-counter。

23、进一步的,待测样压片通过以下过程制得:将石膏待测样研磨、烘干、熔融、反应,将反应生成物中沉淀过滤,再将过滤液蒸干、压片。

24、进一步的,石膏待测样的浓缩倍率通过以下过程计算:将石膏待测样经沉淀过滤,并将过滤液蒸干,浓缩倍率=(m1-m2)/m1;其中,m1石膏待测样质量,m2为过滤液蒸干后质量。

25、与现有技术相比,本专利技术具有的有益效果:

26、本专利技术提供的预处理过程包括酸化溶解、复分解反应和配位反应等,该过程不仅有效去除了石膏中主成分,解决了高含量的主成分(80%~98%)对低含量的杂质组分准确定量的干扰影响,而且浓缩提高了石膏中杂质组分相对含量,解决了杂质组分含量较低(0.01%~15%)、不易检出的重大难题。本专利技术选择加入的反应试剂硝酸钡在前、掩蔽剂在后,确保硝酸钡将主成分硫酸根沉淀完全为硫酸钡之后,过量的硝酸钡还可以通过掩蔽剂被络合、消除。

27、进一步的,本专利技术选择加入的掩蔽剂为edta,不仅可以同时完全掩蔽硝酸钡和主成分钙离子,避免加入多种掩蔽剂;而且edta是有机化合物c10h16n2o8,其组成元素c、h、n、o属于轻质元素,在x射线荧光光谱分析时其发射的荧光强度极弱、穿透能力极弱,探测器无法捕捉到任何响应信号,不会引入干扰。

28、进一步的,本专利技术提供的x射线荧光光谱测试条件是通过先定性分析高含量标样、确定各组分出峰位置,再调试、优化测定各组分的工作参数,而获得明显出峰强度,实现了常见的六种杂质组分的同时准确定性、定量。使用浓缩倍率对根据标准曲线计算的初步结果进行校核,即可得到原始态石膏中杂质成分二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化镁、氧化钠、氧化钾含量。重复性试验和对比性试验结果证明,本专利技术提供的检测方法技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,石膏标准样中二氧化硅的质量百分数为0.63%~13.3%,三氧化二铝的质量百分数为0.14%~1.14%,三氧化二铁的质量百分数为0.11%~0.38%,氧化镁的质量百分数为0.02%~3.19%,氧化钠的质量百分数为0.014%~0.11%,氧化钾的质量百分数为0.026%~0.23%。

3.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,研磨至粒度不大于200目。

4.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,向石膏标准样的液体中加入硝酸钡,进行复分解反应3~5min,再加入掩蔽剂,进行配位反应3~5min。

5.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,石膏标准样与硝酸钡的质量比为136:391。

6.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,掩蔽剂为EDTA,石膏标准样与EDTA的质量比为294:656。

7.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,进行复分解反应时,反应至再无沉淀生成时停止,进行配位反应时,反应至再无沉淀生成时停止。

8.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,通过X射线荧光光谱仪定量分析标准样压片,得到标准曲线,包括以下步骤:

9.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,待测样压片通过以下过程制得:将石膏待测样研磨、烘干、熔融、反应,将反应生成物中沉淀过滤,再将过滤液蒸干、压片。

10.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,石膏待测样的浓缩倍率通过以下过程计算:将石膏待测样经沉淀过滤,并将过滤液蒸干,浓缩倍率=(m1-m2)/m1;其中,m1石膏待测样质量,m2为过滤液蒸干后质量。

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【技术特征摘要】

1.一种高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,石膏标准样中二氧化硅的质量百分数为0.63%~13.3%,三氧化二铝的质量百分数为0.14%~1.14%,三氧化二铁的质量百分数为0.11%~0.38%,氧化镁的质量百分数为0.02%~3.19%,氧化钠的质量百分数为0.014%~0.11%,氧化钾的质量百分数为0.026%~0.23%。

3.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,研磨至粒度不大于200目。

4.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,向石膏标准样的液体中加入硝酸钡,进行复分解反应3~5min,再加入掩蔽剂,进行配位反应3~5min。

5.根据权利要求1所述的高倍浓缩、同时测定石膏中多种杂质组分含量的方法,其特征在于,石膏标准样与硝酸钡的质量比为136:391。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭丹彭章华孟艳王小芬安广禄王梦娇刘雨程
申请(专利权)人:西安热工研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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