【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及农业种植，尤其涉及一种超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法。
技术介绍
1、传统玉米种植过程中，一般是直接将玉米种子均匀的播种在垄沟中，垄间距一般为50～60cm，靠土壤湿度生长，遇有春季较旱年份，出苗率仅为70～80％，严重影响产量；部分地块虽然通过灌溉浇水可以解决干旱的问题，但也会导致用水量较大，浪费水资源费用较高的问题。并且，玉米苗在成苗过程中也容易受到害虫啃食致死，或受冷空气影响冻死。即使在气候合适的年份，出苗率勉强到达90％，也会因为玉米种植密度大、通风效果差，导致成穗率较低、容易倒伏等问题。
2、另外，伴随玉米生长杂草也在生长，而杂草的生长则会影响玉米生长，为去除杂草需使用除草剂。而使用除草剂，不仅很难达到绿色有机玉米的种植要求，而且除草剂的毒性还会破坏土壤，导致土壤里重金属等有害物质超标，进而影响玉米的品质，影响人们健康。
3、并且，为保证玉米产量，种植玉米过程中还需要使用大量化肥，而常年使用化肥肥料，会进一步使土壤板结无活性，影响持续性玉米种植。可即便是大量使用化肥和除草剂，目前的玉米种植产量也很难大面积超过每亩2000斤以上。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供一种超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法。
2、为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：
3、一种超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，所述方法包括以下步骤：
4、根据
5、当种植的玉米株高低于2.7m时，垄间距设定为1.4±0.05m；
6、当种植的玉米株高在2.7m至3m之间时，垄间距设定为1.5±0.05m；
7、当种植的玉米株高高于3m时，垄间距设定为1.6±0.05m；
8、依据垄间距挑槽，并在所得种植槽中施用含硒秸秆腐熟肥和足量多品种有机肥进行集中多样施肥进行土壤培肥；
9、取玉米种子播种于营养罐中进行育苗，得待移栽的充足茁壮的玉米苗(玉米苗肥壮且能保成活99.9％)；
10、移栽前先进行第一次除草，再对待移栽的玉米苗进行移栽，然后继续培养，即得所述有机富硒高产玉米。
11、进一步的，所述育苗的具体过程如下：
12、取4颗玉米种子均匀播种于营养罐中，播种深度为25～30mm，4颗玉米种子呈正方形分布，两颗相邻玉米种子之间的间隔为80～90mm；
13、播种完成后浇透水，并覆盖塑料薄膜保温层育苗；
14、当营养罐中的玉米苗全部长出4叶1芯且春季寒潮过去后，移除保温层，浇水，并接着培养，即得所述待移栽的玉米苗。
15、进一步的，所得待移栽的玉米苗移栽过程中，先在种植槽内挖栽植穴，再将单个营养罐中的4株玉米苗全部移入同一栽植穴内，进行培养，如有不足4株玉米苗的可切割其它玉米苗进行补齐。
16、进一步的，营养罐中加入高温烧炒过的种植土和有机肥。
17、进一步的，营养罐内部的土壤自上至下分为开始生长层和营养土层；
18、开始生长层采用高温烧炒过的种植土和总体积10±1％的散状有机肥混合而成的顶层土壤；开始生长层的土壤厚度为60～70mm；
19、营养土层采用种植土和总体积50％的有机肥混合获得的底层土壤。
20、进一步的，待移栽的玉米苗的高度为20～30cm。
21、进一步的，移栽完成后，所述继续培养过程是先培养玉米长至60～70cm高时，进行培垄同时挑出第二年种植培肥槽并施用含硒秸秆腐熟肥进行翻耕，培垄后待玉米长至全高，进行第二、三次除草，然后继续种植至有机富硒高产玉米收获。
22、进一步的，第一次除草和第二、三次除草均采用机械除草或火烧除草。
23、进一步的，所述依据垄间距挑槽是先挑第一条种植槽，然后依次间隔垄间距的距离挑其余的种植槽，，并进行施用含硒秸秆腐熟肥进行培肥土壤；
24、第二年种植槽在第一年需要培垄时挑出；
25、种植槽的上宽均为50～52cm、下宽均为40～42cm、深均为7～8cm；
26、所述培肥土壤是在培垄时和玉米种植前，在种植槽均匀施加含硒秸秆腐熟肥和多品种足量有机肥进行翻耕，翻耕深度为22～25cm。
27、进一步的，所述继续培养过程中，根据玉米生长需求喷施多元素、硒叶面肥，实现增加口感品质和获得高富硒高品质有机玉米目的。
28、本专利技术的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法的有益效果为：
29、由于玉米的干物质有94％左右来自于空气，良好的通风、透光对玉米高产起着重要作用，本专利技术中超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其利用边行优势技术有效保障了玉米种植过程中获得充分的通风、透光，达到了有机玉米种植亩产3000斤以上的目的，有效提高了有机玉米产量，比传统玉米产量提高30％以上；并且由于本专利技术中采用超大垄轮耕种植的方式，能够方便采用机械除草、耕耘、施肥等耕作操作，有效节约了人工成本和种植成本；
30、由于在移栽前进行第一次除草、并在玉米长至全高后进行第二、三次除草，几次除草过程均可以采用机械除草或火烧除草，不会损伤玉米苗，且整个有机玉米种植过程无需使用除草剂，除草工艺简单方便、效率高；
31、本专利技术通过在种植槽内利用含硒秸秆腐熟肥和多品种足量有机肥进行培肥，能够有效改善土壤环境，使土壤变为有机含硒肥沃土壤，为高品质富硒有机玉米生长提供充足的营养物质；
32、本专利技术通过种植槽轮耕培肥的方式，能够有效培养有机富硒土壤；
33、本专利技术通过将4颗玉米种子播种在同一营养罐中，配合特定的育苗方式，培养至玉米苗长至高25cm左右后再移栽，能够有效提高玉米苗的成苗率，整体可达保苗99.9％以上；
34、采用本专利技术的育苗方式，由于玉米苗期采用塑料薄膜保温层内(即形成临时的塑料棚)，并集中培育生长，有效解决了旱涝、冷空气冻苗及虫咬等问题，且能够集中施肥、浇灌，使玉米苗能充分生长，大大提高了水肥利用效率，且在相同的时间内比直接播种玉米的玉米苗的长势更加旺盛，而苗期粗壮会影响整个玉米生长期的生长，并且能够提高产量的15～20％；
35、本专利技术通过在每个营养罐中育苗4株，并在移栽即后期种植过程中，将同一营养罐中的4株置于同一栽植穴培养，能够有效提高育苗效率和移栽效率而且还能充分生长，从而降低种植成本和人工成本；
36、本专利技术的超大垄轮耕种植的方式能够达到边行优势玉米秆粗壮的目的，每穴栽植穴种植4株玉米能够使4株玉米根系盘结在一起，因此采用本专利技术的超大垄轮耕种植的方式配合每穴栽植穴种植4株玉米，能够有效提高玉米抗倒伏能力，配合边行优势秸秆粗壮的现象，进一步提高玉米抗倒伏能力(本专利技术种植的有机玉米的抗伏倒能力约提高50％左右)；
37、本专利技术的营养罐内可以分两部分土壤本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所述育苗的具体过程如下：
3.根据权利要求2所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所得待移栽的玉米苗移栽过程中，先在种植槽内挖栽植穴，再将单个营养罐中的4株玉米苗全部移入同一栽植穴内，进行培养。
4.根据权利要求2或3所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，营养罐中加入高温烧炒过的种植土和有机肥。
5.根据权利要求4所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，
6.根据权利要求2、3或5所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，待移栽的玉米苗的高度为20~30cm。
7.根据权利要求1、2、3或5所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，移栽完成后，所述继续培养过程是先培养
8.根据权利要求7所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，第一次除草和第二、三次除草均采用机械除草或火烧除草。
9.根据权利要求1、2、3、5或8所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，
10.根据权利要求1、2、3、5或8所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所述继续培养过程中，根据玉米生长需求喷施叶面肥。
...【技术特征摘要】
1.一种超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所述育苗的具体过程如下：
3.根据权利要求2所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，所得待移栽的玉米苗移栽过程中，先在种植槽内挖栽植穴，再将单个营养罐中的4株玉米苗全部移入同一栽植穴内，进行培养。
4.根据权利要求2或3所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，营养罐中加入高温烧炒过的种植土和有机肥。
5.根据权利要求4所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富硒高产玉米的方法，其特征在于，
6.根据权利要求2、3或5所述的超大垄轮耕培肥土壤育苗移栽种植有机富...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宗辉，
申请(专利权)人：辽宁省元昊农业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。