【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路封装，尤其涉及一种集成电路封装结构及封装方法。
技术介绍
1、随着对芯片集成度和性能要求越来越高，但制成节点几乎即将达到工艺极限时，如何进一步的提高芯片性能，成为需要解决的问题。现有的先进封装方案将晶粒放置在硅转接板上，再通过硅通孔技术将晶粒引脚引出到基板上。
2、然而，现有封装技术中，在晶粒的一面即引脚面实现与基板的连接，与引脚面相对的晶粒背面与其它部件如基板无互连走线，导致封装面积较大，增加后续工艺制作的难度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种集成电路封装结构及封装方法，能够减小封装面积。
2、第一方面，本申请实施例提供一种集成电路封装结构，包括：基板；第一连接层，所述第一连接层设于所述基板上；第一晶粒或第一晶粒组，所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第一表面上的第一金属连接部通过所述第一连接层与所述基板相连；所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部通过第一连接结构与所述基板相连。
3、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；所述第二晶粒的第一表面上的第一金属连接部通过所述第一连接层与所述基板相连；所述第二晶粒的第二表面的金属连接部和所述第三晶粒的第一表面的金属连接部相键合；所述第三晶粒的第二表面上的第一金属连接部通过所述第一连接结构与所述基板相连。
4、根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：第四晶粒和/或第二晶粒组；所述第四晶粒和/或所述第二晶粒
5、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第二连接结构包括第二连接层；所述第四晶粒的第二表面上的第一金属连接部，通过所述第二连接层与所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面的第二金属连接部相连；和/或，所述第三连接结构包括第二连接层；所述第二晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，通过所述第二连接层与所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面的第二金属连接部相连。
6、根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括第二连接层；所述第二连接层设于所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上；所述第一连接结构包括第一连接段、第二连接段和第三连接段；其中，所述第一连接段为所述第二连接层中的导电段；所述第二连接段为与所述第一连接层相连接的导电段；所述第三连接段为所述第一连接层中的导电段；所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，依次通过所述第一连接段、所述第二连接段和所述第三连接段与所述基板相连。
7、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一连接结构包括第一连接段、第二连接段和第三连接段；其中，所述第一连接段为金属连接线；所述第二连接段为与所述第一连接层相连接的导电段；所述第三连接段为所述第一连接层中的导电段；所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，依次通过所述金属连接线、所述第二连接段和所述第三连接段与所述基板相连。
8、根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括第一塑封层，所述第一塑封层设于所述第一连接层上，且包围在所述第一晶粒或所述第一晶粒组的侧部；所述第二连接段设在所述第一塑封层中。
9、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述集成电路封装结构还包括第二塑封层；所述第二塑封层设于所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面；所述金属连接线设于所述第二塑封层中。
10、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一连接层的第一表面上的金属连接部，与所述基板上对应的金属连接部相键合；所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第一表面上的至少部分金属连接部与所述第一连接层的第二表面上对应的金属连接部相键合。
11、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一连接层为重布线层。
12、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第二连接层为重布线层。
13、第二方面，本申请实施例提供一种集成电路封装方法，包括：将第一晶粒或第一晶粒组设在第一过渡连接体上，并使所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第一表面上的第一金属连接部，与所述第一过渡连接体上的第一连接层相连接，得到第一封装结构；在所述第一封装结构的基础上，将所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，通过第一连接结构与所述第一连接层相连接，得到第二封装结构；将所述第二封装结构中的所述第一连接层与基板相连接。
14、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；其中，所述第二晶粒的第二表面的金属连接部和所述第三晶粒的第一表面的金属连接部相键合；所述使所述第一晶粒组的第一表面上的第一金属连接部，与所述第一过渡连接体上的第一连接层相连接，包括：将所述第二晶粒的第一表面上的第一金属连接部，与所述第一过渡连接体上的第一连接层相连接。
15、根据本申请实施例的一种具体实现方式，在将第一晶粒组设在所述第一过渡连接体上之前，所述方法还包括：预制晶粒组；其中，所述预制晶粒组包括：将第一晶圆上的晶粒与第二晶圆上的晶粒相键合；切割所述第一晶圆和/或所述第二晶圆，得到至少一个晶粒组；得到的各晶粒组中包括相互键合的两个晶粒。
16、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述将第一晶圆上的晶粒与第二晶圆上的晶粒相键合，包括：将第一晶圆上的至少一个晶粒从第一晶圆上切割下来，得到至少一个单体晶粒；将所述至少一个单体晶粒，与第二晶圆上的晶粒一一对应并相键合。
17、根据本申请实施例的一种具体实现方式，在将第一晶粒或第一晶粒组设在第一过渡连接体上之前，所述方法还包括：预制第一过渡连接体；其中，所述预制第一过渡连接体包括:在第一过渡载板上设置临时键合材料；在所述临时键合材料上形成所述第一连接层。
18、根据本申请实施例的一种具体实现方式，在使所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第一表面上的第一金属连接部，与所述第一过渡连接体上的第一连接层相连接之后，得到第一封装结构之前，所述方法还包括：在所述第一连接层上形成第一塑封层，以使所述第一塑封层包围在所述第一晶粒或所述第一晶粒组的侧部。
19、根据本申请实施例的一种具体实现方式，在所述第一封装结构的基础上，将所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，通过第一连接结构与所述第一连接层相连接，得到第二封装结构，包括：将所述第一封装结构与第二过本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；
3.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括：第四晶粒和/或第二晶粒组；所述第四晶粒和/或所述第二晶粒组设于所述第一连接层上；
4.根据权利要求3所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括第二连接层；
5.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括第二连接层；
6.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括第一连接段、第二连接段和第三连接段；其中，所述第一连接段为金属连接线；所述第二连接段为与所述第一连接层相连接的导电段；所述第三连接段为所述第一连接层中的导电段；
7.根据权利要求5或6所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括第一塑封层，所述第一塑封层设于所述第一连接层上，且包围在所述第一晶粒或所述第一晶粒组的侧部；
8.根据权利要求6所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述集成电路封装
9.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一连接层为重布线层。
11.根据权利要求4或5所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第二连接层为重布线层。
12.一种集成电路封装方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；其中，所述第二晶粒的第二表面的金属连接部和所述第三晶粒的第一表面的金属连接部相键合；
14.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，在将第一晶粒组设在所述第一过渡连接体上之前，所述方法还包括：预制晶粒组；
15.根据权利要求14所述的集成电路封装方法，其特征在于，所述将第一晶圆上的晶粒与第二晶圆上的晶粒相键合，包括：
16.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，在将第一晶粒或第一晶粒组设在第一过渡连接体上之前，所述方法还包括：预制第一过渡连接体；
17.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，在使所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第一表面上的第一金属连接部，与所述第一过渡连接体上的第一连接层相连接之后，得到第一封装结构之前，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的集成电路封装方法，其特征在于，在所述第一封装结构的基础上，将所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，通过第一连接结构与所述第一连接层相连接，得到第二封装结构，包括：
19.根据权利要求18所述的集成电路封装方法，其特征在于，在将所述第一封装结构与第二过渡连接体相连接之前，所述集成电路封装方法还包括：预制第二过渡连接体；
20.根据权利要求17所述的集成电路封装方法，其特征在于，在所述第一封装结构的基础上，将所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面上的第一金属连接部，通过第一连接结构与所述第一连接层相连接，得到第二封装结构，包括：
21.根据权利要求20所述的集成电路封装方法，其特征在于，在将所述第二封装结构中的所述第一连接层与基板相连接之前，所述集成电路封装方法还包括：
22.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，所述将所述第二封装结构中的所述第一连接层与基板相连接，包括：
23.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；
3.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括：第四晶粒和/或第二晶粒组；所述第四晶粒和/或所述第二晶粒组设于所述第一连接层上；
4.根据权利要求3所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括第二连接层；
5.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括第二连接层；
6.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括第一连接段、第二连接段和第三连接段；其中，所述第一连接段为金属连接线；所述第二连接段为与所述第一连接层相连接的导电段；所述第三连接段为所述第一连接层中的导电段；
7.根据权利要求5或6所述的集成电路封装结构，其特征在于，还包括第一塑封层，所述第一塑封层设于所述第一连接层上，且包围在所述第一晶粒或所述第一晶粒组的侧部；
8.根据权利要求6所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述集成电路封装结构还包括第二塑封层；所述第二塑封层设于所述第一晶粒或所述第一晶粒组的第二表面；所述金属连接线设于所述第二塑封层中。
9.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一连接层为重布线层。
11.根据权利要求4或5所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第二连接层为重布线层。
12.一种集成电路封装方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路封装方法，其特征在于，所述第一晶粒组包括第二晶粒和第三晶粒；其中，所述第二晶粒的第二表面的金属连接部和所述第三晶粒的第一表面的金属连接部相键合；
【专利技术属性】
技术研发人员：汤红，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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