【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及测量晶圆的厚度的晶圆厚度测量装置及晶圆厚度测量方法。
技术介绍
1、近年来，为了记录密度的高密度化或电路的高集成化等，对成为例如磁盘的基板或集成电路的素材等的晶圆(wafer)要求了高平坦度。例如，已实现了7纳米级或5纳米级的集成电路。为了追求该平坦度，例如需要以10纳米以下的等级，高精度地测量晶圆的厚度。测量该晶圆的厚度的晶圆厚度测量装置例如已公开在专利文献1中。
2、该专利文献1所公开的晶圆厚度测量装置是利用光外差干涉测量装置的晶圆厚度测量装置，其包括：试料片，与所述晶圆的高度位置对应地被配置，并以与由所述晶圆的挠曲引起的倾斜角实质对应的规定的角度倾斜地被配置，且具有与所述晶圆等效的已知的固定厚度；第1检测器，产生如下检测信号，该检测信号对应于从所述晶圆的表面侧的规定的基准位置到与所述光外差干涉测量装置的测量点对应的所述晶圆的表面位置为止的距离；第2检测器，产生如下检测信号，该检测信号对应于从所述晶圆的背面侧的规定的基准位置到与所述光外差干涉测量装置的测量点对应的所述晶圆的背面位置为止的距离；以及数据采集/存储单元，由所述光外差干涉测量装置在多个测量点测量所述试料片的所述表面或背面的位移量，对应于各所述测量点，与该测量点的所述位移量对应地存储此时在各所述测量点获得的由所述第1检测器及第2检测器的所述检测信号产生的检测值，在表背面处于所述试料片的表背面的高度范围的所述晶圆的任意的测量点，获得由所述第1检测器及第2检测器的检测信号产生的各个检测值，根据该各个检测值，分别获得与数据采集/存储单元所存储的由
3、然而，根据所述专利文献1的[0006]段落及[0007]段落等的各记载，该专利文献1所公开的晶圆厚度测量装置通过将成为基准的厚度固定的试料片的厚度加上或减去表背面的偏差量，求出应测量的晶圆的厚度。因此，导致所述专利文献1所公开的晶圆厚度测量装置中的测量精度依赖于试料片的厚度的固定性。若想要高精度地测量晶圆的厚度，则需要精度高且厚度固定的试料片，所述专利文献1所公开的晶圆厚度测量装置未充分有效地利用光干涉仪(在所述专利文献1中为光外差干涉仪)的性能。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利公开公报特开2000-234912号
技术实现思路
1、本专利技术是鉴于上述情况而完成的专利技术，其目的在于提供能够有效地利用光干涉仪的性能来高精度地测量晶圆的厚度的晶圆厚度测量装置及晶圆厚度测量方法。
2、本专利技术的晶圆厚度测量装置及晶圆厚度测量方法，基于由a面光干涉仪及b面光干涉仪测量具有已知厚度的基准测量点的基准片中的所述基准测量点而获得的第1干涉仪基准测量结果及第2干涉仪基准测量结果、由a面测距仪及b面测距仪测量所述基准测量点而获得的第1测距仪基准测量结果及第2测距仪基准测量结果、由a面光干涉仪及b面光干涉仪测量所述晶圆的测量点而获得的第1干涉仪测量结果及第2干涉仪测量结果、以及由a面测距仪及b面测距仪测量所述测量点而获得的第1测距仪测量结果及第2测距仪测量结果，求出基于所述第1干涉仪基准测量结果及第2干涉仪基准测量结果的基准位移与基于所述第1干涉仪测量结果及第2干涉仪测量结果的位移之间的相位数，从而求出所述测量点处的晶圆的厚度。
3、上述以及本专利技术的其他目的、特征及优点根据以下的详细记载和附图而变得明确。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆厚度测量装置，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆厚度测量装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的晶圆厚度测量装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的晶圆厚度测量装置，其特征在于，
5.一种晶圆厚度测量方法，其特征在于包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶圆厚度测量装置，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆厚度测量装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的晶圆...
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