出光均匀的发光二极管结构及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种出光均匀的发光二极管结构及其制造方法，该出光均匀的发光二极管结构，包括一反射杯；一发光二极管系设于该反射杯的底部；及一荧光基板设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的顶部；其中该荧光基板的厚度的误差小于１％。该出光均匀的发光二极管结构的制造方法，其步骤包括将一发光二极管设于一反射杯的底部；及将一荧光基板设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的顶部。本发明专利技术能减少发光二极管结构发出的光源的色温不均匀及黄圈光晕的现象，使发光二极管结构能发出均匀的白光。

Light emitting diode structure with uniform light emitting and manufacturing method thereof

The present invention relates to a light uniform light emitting diode structure and manufacturing method thereof, the light uniformity of light emitting diode structure comprises a reflector; a light emitting diode is arranged on the bottom of the reflection cup above; and a fluorescent light emitting diode arranged on the substrate, and is arranged on the top of the reflective cup; the error the fluorescent substrate thickness is less than 1%. The manufacturing method of a light uniform light emitting diode structure, comprising the steps of a light-emitting diode is arranged at the bottom of a reflective cup; and above a substrate arranged on the fluorescent light emitting diode, and is arranged at the top of the reflecting cup. The invention can reduce the uneven color temperature of the light source emitted by the light-emitting diode structure and the phenomenon of yellow ring halo, so that the light-emitting diode structure can emit uniform white light.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于 一种发光二极管结构及其制造方法，尤其指 一种，其应用于改善发 光二极管结构发光的领域。
技术介绍
现有技术中的发光二极管的结构1 (如图1所示)，是一发光二极管11设于一反射杯12的底部，再将荧光粉13混合光学胶 材14，并将混合光学胶材14后的荧光粉13倒在发光二极管11 上，这方法虽然简单，但无法控制混合含光学胶材的焚光粉层 15于发光二极管上的厚度HI,故会造成出光时色温不均匀，且 会有黄圏光暈产生，且发出的光内白外黄及亮度也不均匀的现 象。本专利技术人鉴于现有技术的缺点，故提供一种出光均匀的发光 二极管结构及其制造方法，其能减少发光二极管结构发出的光源 的色温不均匀及黄圈光晕的现象，使发光二极管结构能发出均匀 的白光。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种出光均勻的发光二极管结 构及其制造方法，其能使发光二极管结构能发出均匀的白光。本专利技术的目的之二在于提供一种出光均匀的发光二极管结 构及其制造方法，其能减少发光二极管结构发出的光源的色温不均匀现象。本专利技术的目的之三在于提供一种出光均匀的发光二极管结 构及其制造方法，其能减少发光二极管结构发出的光源的黄圏光 晕的现象。为实现本专利技术的目的及解决其技术问题是通过以下技术方 案来实现的。本专利技术提供的所述，出光均匀的发光二极管结构，包括一反射杯； 一发光二极管 设于该反射杯的底部；及一荧光基板设于该发光二极管的上方， 并设于该反射杯的顶部；其中该荧光基板的厚度的误差小于1%。 前述的出光均勻的发光二极管结构及其制造方法，其中该焚 光基板包括一基板及一荧光粉层，该焚光粉层设于该基板的下表 面。前述的，更包括一 增亮膜设于该基板的上表面。前述的，其中该基 板及该焚光粉层的厚度的误差分别小于1%。前述的，其中该焚 光粉层中更包括复数个光扩散粉。前述的出光均勻的发光二极管结构及其制造方法，其中该荧 光基板为一荧光片。前述的，其中该荧 光片中更包括复数个光扩散粉。本专利技术还同时公开了一种出光均匀的发光二极管结构，包括一反射杯；一发光二极管设于该反射杯的底部；及一荧光膜覆于该发光二极管上。其中该荧光基板厚度的误差小于1%。前述的一种出光均匀的发光二极管结构，其中该荧光膜中更 包括复数个光扩散粉。前述的一种出光均勻的发光二极管结构，其中该荧光膜厚度 的误差小于1%。前述的一种出光均匀的发光二极管结构，其中该荧光膜贴覆 于该发光二极管上。本专利技术所述的 一种出光均匀的发光二极管结构的制造方法， 其步骤包括将一发光二极管设于一反射杯的底部；及 将一荧光基板设于该发光二极管的上方，并i殳于该反射 杯的顶部。前述的一种出光均匀的发光二^^管结构的制造方法，更包括 将复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于一基板的下表面，形成该 焚光基板的一步骤。前述的一种出光均匀的发光二极管结构的制造方法，其中将 该复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于该基板的该下表面的该 步骤中的该分布方式包括旋转涂布、含浸涂布、刮刀涂布、溅镀 镀膜、蒸镀镀膜或离子镀膜。前述的一种出光均匀的发光二^ l管结构的制造方法，将该复 数个荧光粉及扩散粉混合后分布于该基板的该下表面，形成该荧 光基板的该步骤后更包括将一增亮膜设于该基板的上表面的一 步骤。前述的一种出光均匀的发光二^f及管结构的制造方法，其中该荧光基板为一荧光片。前述的一种出光均匀的发光二^ L管结构的制造方法，其中更 包括将复数个荧光粉及扩散粉混合后压制成该荧光片的 一 步骤。本专利技术还同时公开了 一种出光均匀的发光二极管结构的制 造方法，其步骤包括将一发光二极管设于该反射杯的底部；及将一荧光膜覆于该发光二极管上。前述的一种出光均匀的发光二才及管结构的制造方法，更包括 将复数个荧光粉及扩散粉混合后压制成该焚光膜的 一 步骤。前述的一种出光均匀的发光二^l管结构的制造方法，其中将 该荧光膜覆于该发光二极管上的该步骤为将该荧光膜贴覆于该 发光二极管上的一步骤。本专利技术的有益效果是本专利技术能减少发光二极管结构发出的 光源的色温不均匀及黄圈光暈的现象，使发光二极管结构能发出 均匀的白光。附图说明图1为现有技术发光二极管的结构的侧浮见图； 图2为本专利技术第一实施例的出光均匀的发光二极管结构的 侧牙见图3为本专利技术第一实施例的出光均匀的发光二极管结构的 制造方法的步骤流程图4为本专利技术第二实施例的出光均匀的发光二极管结构的 侧一见图5为本专利技术第二实施例的出光均勻的发光二极管结构的 制造方法的步骤流程图；图6为本专利技术第三实施例的出光均匀的发光二极管结构的 侧-f见图7为本专利技术第三实施例的出光均匀的发光二^l管结构的 制造方法的步骤流程图8为本专利技术第四实施例的出光均匀的发光二才及管结构的 侧视图9为本专利技术第四实施例的出光均匀的发光二才及管结构的 制造方法的步骤流程图。图号说明1发光二极管结构11发光二极管12反射杯13荧光粉14光学胶材15含光学胶材的荧光粉层Hl厚度2发光二极管结构21反射杯22发光二极管23荧光基玲反231基板232荧光粉层2321光扩散粉2322荧光斗分24增亮膜25荧光片251光扩散粉252焚光粉26荧光膜261光扩散粉262荧光粉H2 荧光基板厚度H21基板厚度H22荧光粉层厚度H3荧光片厚度H4 荧光膜厚度具体实施例方式为使审查员对本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下本专利技术第一实施例的出光均匀的发光二极管结构2(如图2 所示)，包括 一反射杯21; —发光二极管22设于该反射杯21 的底部；及一荧光基板23设于该发光二极管22的上方，并设于 该反射杯21的顶部；其中该荧光基板厚度H2的误差小于1%, 该荧光基板23包括一基^反231及一荧光粉层232,该荧光粉层 232设于该基板231的下表面，基板厚度H21及荧光粉层厚度H22 的误差分别小于1%,且该焚光粉层232中包括复数个光扩散粉 2321及焚光粉2322。本专利技术第 一 实施例的出光均匀的发光二极管结构的制造方 法(如图3所示)，其步骤包括 Sll将一发光二极管设于一反射杯的底部；及 S12将一荧光基板设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的 顶部。S12步骤中包括将复数个荧光粉及扩散粉混合后分布于一基板的 下表面，形成该荧光基板的一步骤。将该复数个荧光粉及扩散粉 混合后分布于该基板的该下表面的步骤中的该分布方式包括旋 转涂布、含浸涂布、刮刀涂布、溅镀镀膜、蒸镀镀膜或离子镀膜。 本专利技术第二实施例的出光均匀的发光二极管结构2(如图4 所示)和第一实施例不同之处，在于增加一增亮膜24设于该基板 231的上表面。本专利技术第二实施例的出光均匀的发光二极管结构的制造方 法(如图5所示)，其步骤包括 S21将一发光二极管设于一反射杯的底部；S22将一荧光基板(该荧光基板包括一基板及一荧光粉层，该荧10光粉层设于该基板的下表面)设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的顶部；及S23将一增亮膜设于该基板的上表面。本专利技术第三实施例的出光均匀的发光二极管结构2(如图6 所示)和第一实施例不同之处在于该荧光基板也可为一焚光片 25，该荧光片25中包括复数个光扩散粉251及焚光粉252,且 该荧光片厚度H3的误差小于1%。本专利技术第三实施例的出光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种出光均匀的发光二极管结构，其特征在于，包括：　一反射杯；　一发光二极管设于该反射杯的底部；及　一荧光基板设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的顶部；　其中该荧光基板厚度的误差小于１％。

【技术特征摘要】
1.一种出光均匀的发光二极管结构，其特征在于，包括一反射杯；一发光二极管设于该反射杯的底部；及一荧光基板设于该发光二极管的上方，并设于该反射杯的顶部；其中该荧光基板厚度的误差小于1％。2. 根据权利要求1所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光基板包括一基板及一荧光粉层，该荧光粉 层设于该基板的下表面。3. 根据权利要求2所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征在于，更包括一增亮膜设于该基板的上表面。4. 根据权利要求2所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征在于，其中该基板及该荧光粉层的厚度的误差分别小于1°/。。5. 根据权利要求2所述的出光均勻的发光二极管结构，其特征在于，其中该荧光粉层中更包括复数个光扩散粉。6. 根据权利要求1所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光基板为一荧光片。7. 根据权利要求6所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光片中更包括复数个光扩散粉。8. —种出光均匀的发光二极管结构，其特征在于，包括一反射杯；一发光二极管设于该反射杯的底部；及 一荧光膜覆于该发光二极管上。 其中该荧光基板厚度的误差小于1%。9. 根据权利要求8所述的出光均勻的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光膜中更包括复数个光扩散粉。10. 根据权利要求8所述的出光均勻的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光膜厚度的误差小于1%。11. 根据权利要求8所述的出光均匀的发光二极管结构，其特征 在于，其中该荧光膜贴覆于该发光二极管上。12. —种出光均匀的发光二极管结构的制造方法，其特征在于， 其步骤包括将一发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱维铭，钱玉树，陈佳珍，刘忠祺，
申请(专利权)人：国立勤益科技大学，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]