【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电磁兼容，特别是涉及复合吸波材料、制备方法及器件。
技术介绍
1、由于电子元件对电磁场的高灵敏度，任何微小干扰都可能导致设备在高度集成的电子装置中发生故障。如果没有任何电磁干扰（emi）屏蔽的电子设备暴露在附近设备产生的电磁场中，电子设备将很容易发生故障。
2、但是当前对于太赫兹电磁波电磁兼容问题的解决方案基本没有，由于太赫兹频率很高，波长很短，其穿透能力比较强，所以传统的电磁屏蔽无法对其进行电磁屏蔽。
3、上述的陈述仅用于提供与本申请有关的
技术介绍
信息，而不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本申请主要解决的技术问题是提供一种复合吸波材料、制备方法及器件，该复合吸波材料吸波性能较强，且能够重点吸收太赫兹的电磁波。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种复合吸波材料，该复合吸波材料包括多孔碳化硅和吸波材料，所述吸波材料为叠层有序空穴结构，所述多孔碳化硅的至少部分嵌入至所述吸波材料的有序空穴中。
3、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种复合吸波材料的制备方法，该制备方法包括：将多孔碳化硅和具有叠层有序空穴结构的吸波材料融合，以使所述多孔碳化硅的至少部分嵌入至所述吸波材料的有序空穴中。
4、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种器件，该器件包括上述的复合吸波材料；或包括上述的方法制得的复合吸波材料。
5、本申请复合吸波材料包括多孔碳化硅和
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1.一种复合吸波材料，其特征在于，所述复合吸波材料包括多孔碳化硅和吸波材料，所述吸波材料为叠层有序空穴结构，所述多孔碳化硅的至少部分嵌入至所述吸波材料的有序空穴中。
2.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料为钛碳化硅。
3.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料中的空穴为类椭圆状，
4.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料在所述空穴之间的接合处共价键合。
5.一种复合吸波材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将多孔碳化硅和具有叠层有序空穴结构的吸波材料融合，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将所述多孔碳化硅和所述吸波材料进行研磨混合，包括：
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将多孔碳化硅和具有叠层有序空穴结构的吸波材料融合，之前包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述将所述均匀叠层钛碳化硅和膨化剂混合，得到均匀
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述对钛碳化硅原料进行刻蚀处理，得到均匀叠层钛碳化硅，包括：
11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将多孔碳化硅和具有叠层有序空穴结构的吸波材料融合，之前包括：
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述以碳化硅颗粒为基底，进行氧化硅和纳米炭黑的高温气固反应，得到纳米碳化硅，包括：
13.一种器件，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的复合吸波材料；或包括权利要求5至12中任一项所述的制备方法制得的复合吸波材料。
...【技术特征摘要】
1.一种复合吸波材料，其特征在于，所述复合吸波材料包括多孔碳化硅和吸波材料，所述吸波材料为叠层有序空穴结构，所述多孔碳化硅的至少部分嵌入至所述吸波材料的有序空穴中。
2.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料为钛碳化硅。
3.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料中的空穴为类椭圆状，
4.根据权利要求1所述的复合吸波材料，其特征在于，所述吸波材料在所述空穴之间的接合处共价键合。
5.一种复合吸波材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将多孔碳化硅和具有叠层有序空穴结构的吸波材料融合，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将所述多孔碳化硅和所述吸波材料进行研磨混合，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：舒金表，王雷，陈阿龙，郜春山，孔阳，邓志吉，孔维生，吴望哲，张雪峰，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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