System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法技术_技高网

一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法技术

技术编号:41656717 阅读:4 留言:0更新日期:2024-06-14 15:19
本发明专利技术公开了一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,涉及显示屏制备技术领域;本发明专利技术通过对MicroLED阵列在通电检查测试时间段内的的电压估值、差异估值、预期漏电电流以及极端漏电电流进行综合分析得到修复评估指数,为MicroLED阵列的修复和优化提供了一个综合的评估指标,进一步计算修复差值并将其与设定的差值取值范围匹配,可以快速确定每个MicroLED阵列的修复等级,从而将其送往最合适的修复车间,提高了制备得到效率和智能化程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示屏制备,特别涉及一种microled柔性显示屏制备监测方法。


技术介绍

1、microled显示技术具有发光效率高、色域宽以及寿命长等优点,广泛用于大屏幕和高亮度信息显示;在microled柔性显示屏进行制备过程中,需要在阵列经通电检查修复后,采用注模方法将阵列浸泡到透明硅胶、树脂或者透明聚酰亚胺等胶体材料中,胶体固化后将像素和导线固定形成薄膜结构柔性显示屏体。

2、但上述制备过程中还存在以下不足:

3、不能根据阵列通电检查的结果将阵列分为不同的修复等级,并将其分送至对应的车间进行修复,都是将问题产品直接输送至人工处进行分选,智能化程度较低的同时影响柔性显示屏的制备效率;

4、阵列浸泡到胶体材料进行固化的过程中,不能对固化的过程进行监测和调节,导致注模的质量得不到保证,出现气泡和缺陷,影响产品最终的质量。

5、为此,推出一种microled柔性显示屏制备监测方法。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供一种microled柔性显示屏制备监测方法,以解决上述
技术介绍
提出的问题。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:一种microled柔性显示屏制备监测方法,包括:

3、步骤一:制备mi croled阵列,采用自动化检测设备对每个microled阵列进行通电检查,并记录相关参数进行分析,得到对应microled阵列的修复评估指数α;

4、步骤二:基于制备的质量标准,设定修复评估指数α的参考阈值,进一步根据对应mi croled阵列修复评估指数α的比对结果,将对应microled阵列输送至对应车间;

5、步骤三:选取胶体材料后,将对应microled阵列浸泡到选取的胶体材料中,基于胶体材料的特性,设定microled阵列的固化时间段,并实时监测固化过程,在到达设定固化时间段中间点时,对中间点前监测时间段内固化过程的参数变化进行分析,得到优化调节指数β;

6、步骤四:基于对应mi croled阵列在中间点前监测时间段内的优化调节指数β,将得到的优化调节指数β与设定的参考阈值进行比对,若大于设定的参考阈值,则触发预警信令,暂停microled阵列的固化,并将触发的预警信令以及优化调节指数β发送至管理人员的移动终端内,管理人员在接收到预警信令后,基于优化调节指数β对加热元件和压力控制系统进行远程调节,调节后,对mi croled阵列基于中间点剩余固化时间段继续进行固化;

7、步骤五:胶体固化完成后,对显示屏进行一系列的预处理步骤,形成薄膜结构的柔性显示屏体,并进行后续的测试和检查。

8、在一些实施例中,得到修复评估指数α的具体过程为:

9、设定通电检查的测试时间段,获取测试时间段内microled阵列在正常工作条件下的正向电压变化情况,提取测试时间段内各时间点的正向电压,利用标准差公式对各时间点的正向电压进行计算,得到microled阵列的电压变值,同时提取各时间点正向电压中的最高正向电压和最低正向电压,对两者进行差值的计算,作为microled阵列的电压差值;

10、设定microled阵列电压变值和电压差值的权重系数,将microled阵列的电压变值和电压差值分别与对应的权重系数相乘,然后将相乘的结果求和,作为microled阵列的电压估值da;

11、获取测试时间段内microled阵列在不同电压下的电流值,同时测量microled阵列电极的有效面积,将获取的电流值与有效面积通过公式j=k/a进行计算,得到电流密度;其中k是电流值,a是电极的有效面积;

12、进一步测量microled阵列在不同电流密度下的亮度和发光面积,将亮度乘以发光面积,得到光通量,对得到的光通量进行转换,得到microled阵列的发光功率并记为p光;

13、并通过公式p电=j×a×v计算microled阵列的电功率p电;其中v为具体施加的电压;

14、进一步通过进行计算,得到microled阵列在不同电流密度下的发光效率x效,利用标准差公式对不同电流密度下的发光效率x效进行计算,将计算的值作为microled阵列的差异估值db;

15、对测试时间段内microled阵列施加设定的反向偏压,设定的反向偏压包括预期反向偏压和极端反向偏压,并在每个施加的反向偏压下,测量通过microled阵列的反向漏电电流并进行记录,将预期反向偏压和极端反向偏压下的漏电电流值分别标记为dc和ds;

16、将microled阵列在通电检查测试时间段内的的电压估值da、差异估值db、预期漏电电流dc以及极端漏电电流ds代入公式进行加权计算得到对应microled阵列的修复评估指数α;其中da允许、db允许、dc允许以及ds允许分别表示允许最大电压估值、允许最大差异估值、允许最高预期漏电电流以及允许最高极端漏电电流;ea1、ea2、ea3以及ea4分别为电压估值da、差异估值db、预期漏电电流dc以及极端漏电电流ds的影响权重因子。

17、在一些实施例中,根据对应microled阵列修复评估指数α的比对结果,将对应microled阵列输送至对应车间,具体为:

18、将microled阵列的修复评估指数α与设定的参考阈值进行比对,若小于设定的参考阈值,则生成输送至固化车间进行固化工序;若大于设定的参考阈值,则生成修复信令,进一步计算修复评估指数α与参考阈值之间的差值,并将计算的差值记为修复差值,设定修复差值对应的各差值取值范围,每个差值取值范围分别对应一个修复等级,将microled阵列的修复差值与设定的各差值取值范围进行匹配,得到microled阵列的修复等级;修复等级分为一般修复等级、中等修复等级以及严重修复等级;设定一般修复、中等修复以及严重修复分别对应一般修复车间、中等修复车间以及严重修复车间;

19、基于microled阵列的修复等级,将microled阵列输送至对应的修复车间。

20、在一些实施例中,根据对应microled阵列修复评估指数α的比对结果,将对应microled阵列输送至对应车间,进一步还包括:

21、输送的过程中获取对应修复车间的待修复数量,设定待修复数量的参考值,若对应修复车间的待修复数量大于设定的参考值,则生成输送优化信令,获取对应修复车间外其他两个修复车间的待修复数量,若均大于对应修复车间的待修复数量,则继续将microled阵列输送至对应的修复车间;

22、若小于对应修复车间的待修复数量,则进一步分别获取对应修复车间与其他两个修复车间之间的输送距离,设定待修复数量和输送距离所对应的权重系数,分别将其他两个修复车间的待修复数量和输送距离与对应的权重系数进行相乘,然后求和得到结果一;基于一般修复车间、中等修复车间以及严重修复车间预设的使用优先系数;将其他两个修复车间的结果一与对应的使用优先系数进行相乘计算,得到其他两个修复车间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,得到修复评估指数α的具体过程为:

3.根据权利要求2所述的一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,根据对应MicroLED阵列修复评估指数α的比对结果,将对应MicroLED阵列输送至对应车间,具体为:

4.根据权利要求3所述的一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,根据对应MicroLED阵列修复评估指数α的比对结果,将对应MicroLED阵列输送至对应车间,进一步还包括:

5.根据权利要求4所述的一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,对中间点前监测时间段内固化过程的参数变化进行分析,具体为:

6.根据权利要求5所述的一种MicroLED柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,得到优化调节指数β的具体步骤为:

【技术特征摘要】

1.一种microled柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种microled柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,得到修复评估指数α的具体过程为:

3.根据权利要求2所述的一种microled柔性显示屏制备监测方法,其特征在于,根据对应microled阵列修复评估指数α的比对结果,将对应microled阵列输送至对应车间,具体为:

4.根据权利要求3所述的一种mi...

【专利技术属性】
技术研发人员:李璟郭德博
申请(专利权)人:扬州君瑞得科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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