【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示照明，特别是涉及一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件及其制备方法。
技术介绍
1、量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)与其他类型的发光器件相比，具有发射波长可调、半高宽窄、量子效率高以及色纯度高的优势，成为新一代固态照明和显示技术的理想候选者。其中，qled器件的工作原理是在外部驱动电压的作用下，从阳极和阴极分别通过空穴传输层和电子传输层将空穴和电子注入量子点发射层，并伴有辐射复合和光子发射。
2、场致发光qled器件作为qled衍生出的类型，其是一种没有外部载流子注入器件内部的量子点发光器件，通过在电极和功能材料层之间增设绝缘层来阻挡外部的电子和空穴的注入，仅在外部驱动电场的作用下依靠材料内部固有载流子的周期性震荡来实现周期性光输出。在此情况下，场致发光qled器件的性能很大程度上取决于载流子的复合效率。
3、然而，目前的场致发光qled器件的载流子复合效率普遍较低，使得场致发光qled器件的性能不佳。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术旨在提出一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件及其制备方法，以解决当前场致发光qled器件的载流子复合效率较低，导致其性能不佳的问题。
2、本专利技术的第一方面，提供了一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，包括：
3、透明基底，以及依次位于所述透明基底一侧表面的第一绝缘层、空穴产
4、其中，所述空穴传输层包括磷光发光材料和空穴传输材料，所述量子点发光层包括量子点材料，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％-20％，所述磷光发光材料的homo能级位于所述空穴传输材料的homo能级与所述量子点发光层的量子点材料的homo能级之间。
5、进一步地，所述空穴传输材料包括pvk、tfb以及pf8cz中的任一种。
6、进一步地，所述磷光发光材料为ir(ppy)3、ir(mdq)2(acac)以及pt(ppy)中的任一种。
7、进一步地，所述量子点材料包括cdse/zns量子点、cdse/znse量子点、inp/zns量子点以及znse/zns量子点中的任一种。
8、进一步地，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为5％。
9、进一步地，所述电子产生层包括zno和znmgo中的任一种。
10、进一步地，所述透明基底为硬质基底或柔性基底；其中，所述硬质基底包括玻璃、二氧化硅或石英中的任意一种，所述柔性基底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
11、本专利技术的第二方面，提供一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件的制备方法，所述制备方法应用于制备上述第一方面所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，所述制备方法包括：
12、步骤1，对透明基底进行清洁处理，并在清洁后的透明基底表面依次涂覆绝缘材料和空穴产生材料，以依次形成第一绝缘层和空穴产生层；
13、步骤2，在所述步骤1得到的透明基底上涂覆混合溶液，以形成空穴传输层；其中，所述混合溶液由磷光发光材料和空穴传输材料混合得到，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％-20％；
14、步骤3，在所述步骤2得到空穴传输层上依次涂覆量子点、电子产生材料以及绝缘材料，以依次形成量子点发光层、电子产生层以及第二绝缘层；
15、步骤4，在所述步骤3所得的透明基底上蒸镀金属电极，得到所述基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件。
16、进一步地，所述步骤3中，所述混合溶液的制备步骤包括：
17、步骤3-1，将所述空穴传输材料和所述磷光发光材料分别以相同浓度溶解至溶剂中，得到第一溶液和第二溶液；
18、步骤3-2，将所述第二溶液以1％-20％的浓度比例掺杂进入所述第一溶液，得到所述混合溶液。
19、进一步地，所述步骤1中，所述对透明基底进行清洁处理，包括：
20、步骤1-1，将所述透明基底分别通过含有洗片液、去离子水和无水乙醇的超声波清洗仪进行超声波清洗；
21、步骤1-2，对完成所述超声波清洗后的透明基底进行氮气吹干处理，以去除所述透明基底上的有机物和灰尘。
22、本专利技术提供的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，包括透明基底，以及依次位于所述透明基底一侧表面的第一绝缘层、空穴产生层、空穴传输层、量子点发光层、电子产生层、第二绝缘层以及金属电极；其中，所述空穴传输层包括磷光发光材料和空穴传输材料，所述量子点发光层包括量子点材料，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％-20％，所述磷光发光材料的homo能级位于所述空穴传输材料的homo能级与所述量子点发光层的量子点材料的homo能级之间；由此，本专利技术在制备空穴传输层的空穴传输材料中掺杂磷光发光材料，由于磷光发光材料的homo能级位于空穴传输材料的homo能级和量子点材料的homo能级之间，导致空穴传输材料的homo能级产生缺陷能级，这使得部分中性的电子-空穴对中的电子被磷光发光材料捕获，产生空穴；由此，空穴传输层的空穴浓度增加，空穴迁移率增加，有助于平衡注入量子点发光层的电子的浓度和空穴的浓度，并且将磷光发光材料掺杂进入空穴传输材料使得qled器件内部空穴产生效率大幅提升，缓解了空穴传输层及量子点材料间较大的注入势垒，有助于平衡量子点发光层注入的电子和空穴浓度，进而提高电子和空穴在量子点发光层的载流子复合效率，使得场致发光qled器件的发光效率得到明显提升。
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1.一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，所述空穴传输材料包括PVK、TFB以及PF8CZ中的任一种。
3.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，所述磷光发光材料为Ir(ppy)3、Ir(MDQ)2(acac)以及Pt(ppy)中的任一种。
4.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括CdSe/ZnS量子点、CdSe/ZnSe量子点、InP/ZnS量子点以及ZnSe/ZnS量子点中的任一种。
5.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为5％。
6.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，所述电子产生层包括ZnO和ZnMgO中的任一种。
7.根据权利要求1所述的基于新型高
8.一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法应用于制备上述权利要求1-7任一所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，所述混合溶液的制备步骤包括：
10.根据权利要求8所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，所述对透明基底进行清洁处理，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，其特征在于，所述空穴传输材料包括pvk、tfb以及pf8cz中的任一种。
3.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，其特征在于，所述磷光发光材料为ir(ppy)3、ir(mdq)2(acac)以及pt(ppy)中的任一种。
4.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，其特征在于，所述量子点材料包括cdse/zns量子点、cdse/znse量子点、inp/zns量子点以及znse/zns量子点中的任一种。
5.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生结构的场致发光qled器件，其特征在于，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为5％。
6.根据权利要求1所述的基于新型高效空穴产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵谡玲，巩晓婕，赵泽邦，乔泊，宋丹丹，徐征，梁志琴，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：
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