【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装领域，具体而言，涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。
技术介绍
1、电子产品自始至终都是朝着更小的尺寸、更轻的质量、更快的速度、更高的频率、更低的成本、更高的可靠性方向演进。
2、传统qfn(quad flat no-leads package，方形扁平无引脚封装)，基于基岛与管脚高度齐平的qfn引线框架，在基岛上固晶、打线、塑封。
3、传统qfn封装工艺无法实现sip封装(systemin package，系统级封装)。传统qfn散热设计优化只能期待塑封材料，但塑封材料的散热性能改善跟不上需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供了一种芯片封装方法及芯片封装结构，能够在降低芯片厚度的基础上，大大提高封装芯片的散热性能，同时实现多器件的sip封装。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括以下步骤：
4、提供一qfn引线框架；其中，所述qfn引线框架包括基岛和多个第一管脚；所述第一管脚环绕设置在所述基岛的侧面；所述基岛与所述第一管脚具有预设高度差；
5、将至少一晶粒嵌入所述qfn引线框架，所述晶粒的背面与所述基岛的第一表面接触；其中，所述晶粒与所述基岛贴合后形成基岛结构，所述基岛结构与所述第一管脚的垂直高度齐平；
6、在所述qfn引线框架上制备第一塑封层；其中，所述第一塑封层填充所述基岛结构与所述第一
7、在晶粒功能面所处的表面制备至少一rdl层；其中，所述晶粒的第二管脚和所述第一管脚的第一表面通过所述rdl层连接；所述晶粒功能面为所述晶粒上设置第二管脚的面；
8、在所述rdl层上制备第二塑封层，得到板级封装体；所述第二塑封层覆盖所述rdl层、所述晶粒功能面以及所述第一管脚的第一表面；
9、沿切割道切割所述板级封装体，分离出至少一芯片粒。
10、第二方面，本申请还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构通过上述第一方面中任一项方法制备而成；
11、其中，所述芯片封装结构包括一qfn引线框架；所述qfn引线框架包括基岛和第一管脚；所述第一管脚环绕设置在所述基岛的侧面；所述基岛与所述第一管脚具有预设高度差。
12、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
13、本专利技术的实施例提供了一种芯片封装方法及芯片封装结构，涉及集成电路封装领域。基于qfn引线框架实现芯片的扇出封装，其中，qfn引线框架中基岛及第一管脚形成预设的高度差，从而可将chiplet/die(简称晶粒)和无源器件嵌入至该引线框架的基岛上，并设置第一塑封层。然后在晶粒功能面(或无源器件)、第一管脚及塑封材料构成的界面上rdl，进而实现器件与第一管脚的连接。本专利技术将qfn引线框架与扇出封装技术结合，实现了多器件sip型qfn芯片封装。本专利技术中的qfn引线框架，继承了qfn芯片散热功能。基于扇出封装的先进性，进一步降低产热，同时还可以实现芯片顶部散热设计，较传统qfn芯片散热功能更强大。晶粒嵌在qfn引线框架中，且封装芯片结构中各层，例如，rdl层或第二塑封层都容易控制厚度，从整体上降低qfn芯片成品的厚度。本专利技术中rdl层优选为一层，且为板级封装，加工效率高，成本低。
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1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述基岛与所述第一管脚的预设高度差值大于所述晶粒的厚度；其中，所述预设高度差的差值为0.05-0.3mm。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述将至少一晶粒嵌入所述QFN引线框架，所述晶粒的背面与所述基岛的第一表面接触的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述QFN引线框架上制备第一塑封层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述将至少一晶粒嵌入所述QFN引线框架，所述晶粒的背面与所述基岛的第一表面接触的步骤还包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述QFN引线框架上制备第一塑封层的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在晶粒功能面所处的表面制备至少一RDL层的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在晶粒功能面所处的表面制备至少
9.根据权利要求8所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述RDL层上制备第二塑封层，得到板级封装体的步骤包括：
10.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构通过权利要求1至9中任一项方法制备而成；
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述基岛与所述第一管脚的预设高度差值大于所述晶粒的厚度；其中，所述预设高度差的差值为0.05-0.3mm。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述将至少一晶粒嵌入所述qfn引线框架，所述晶粒的背面与所述基岛的第一表面接触的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述qfn引线框架上制备第一塑封层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述将至少一晶粒嵌入所述qfn引线框架，所述晶粒的背面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮迎军，
申请(专利权)人：深圳市知音科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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