【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，尺寸小型化、结构和功能高度集成化已成为半导体元器件的发展趋势。为了满足高集成度和尺寸小型化的需求，三维堆叠封装技术已成为主流的封装技术。为了得到性能更优异的封装结构，封装结构内集成的芯片的数量不断地增多，封装结构的尺寸也随之不断地变大。封装结构中通常还设置有用于承载芯片并向芯片传输控制信号或者将芯片中的信号引出的封装基板。然而，随着封装结构内集成的芯片的数量增多，芯片与封装基板内被动元器件之间连接线的长度增加，不仅导致所述芯片与所述封装基板内的被动元器件之间的信号传递难度增加，还会导致封装基板内的走线结构更为复杂，增大了封装结构制造工艺的难度。而且，随着封装结构内芯片数量的增加，由多个芯片和塑封料构成的封装体的尺寸也不断增大，而大尺寸的封装体自身的翘曲较大，这就对封装体与封装基板之间的焊接形成了巨大挑战，尤其是封装体的边缘与封装基板之间的焊接难度增大，从而降低了封装结构的制造效率和制造良率。
2、因此，如何在增大封装结构集成度的同时，缩短所述封装结构内的连接线长度，以改善封装结构内部的信号传输效果，并降低封装结构的制造难度，同时提高封装结构的制造效率和制造良率，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种封装结构及其形成方法，用于在增大封装结构的集成度的同时，缩短所述封装结构内的连接线长度，以改善封装结构内部的信号传输效果，并降低封装结构的制造难度
2、根据一些实施例，本专利技术提供了一种封装结构，包括：
3、封装基板；
4、封装体，位于所述封装基板上，所述封装体包括塑封层、第一重布线层、位于所述第一重布线层背离所述封装基板一侧的功能芯片和位于所述第一重布线层朝向所述封装基板一侧的桥接芯片，所述功能芯片和所述桥接芯片均与所述第一重布线层电连接，所述桥接芯片与所述封装基板电连接，所述塑封层至少包覆所述功能芯片和所述桥接芯片。
5、在一些实施例中，所述封装体还包括：
6、第一被动元件，位于所述第一重布线层与所述封装基板之间，所述第一被动元件与所述第一重布线层电连接，所述塑封层包覆所述第一被动元件；
7、所述功能芯片和所述桥接芯片沿第一方向分布于所述第一重布线层的相对两侧，所述桥接芯片和所述第一被动元件沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相交。
8、在一些实施例中，所述封装体还包括：
9、第二被动元件，位于所述桥接芯片与所述封装基板之间，且所述第二被动元件与所述桥接芯片电连接，所述塑封层包覆所述第二被动元件；
10、第三被动元件，位于所述第一被动元件与所述封装基板之间，且所述第三被动元件与所述第一被动元件电连接，所述塑封层包覆所述第三被动元件。
11、在一些实施例中，所述封装体还包括：
12、第一导电连接柱，位于所述封装基板上，所述第一导电连接柱的一端与所述第一重布线层电连接、另一端与所述封装基板电连接。
13、在一些实施例中，所述塑封层包括：
14、第一塑封层，位于所述第一重布线层背离所述封装基板的一侧，且所述第一塑封层至少包覆所述功能芯片；
15、第二塑封层，位于所述第一重布线层与所述封装基板之间，且所述第二塑封层至少包覆所述桥接芯片，所述第二塑封层的模量高于所述第一重布线层的模量。
16、在一些实施例中，还包括：
17、散热层，覆盖于所述功能芯片背离所述第一重布线层的表面上。
18、在一些实施例中，所述功能芯片和所述桥接芯片沿第一方向分布于所述第一重布线层的相对两侧；
19、所述封装体内包括至少沿第二方向排布的多个所述功能芯片，且多个所述功能芯片均与所述第一重布线层电连接，所述第一方向与所述第二方向相交。
20、根据另一些实施例，本专利技术还提供了一种封装结构的形成方法，包括如下步骤：
21、形成封装体，所述封装体包括塑封层、第一重布线层、以及位于所述第一重布线层相对两侧的功能芯片和桥接芯片，所述功能芯片和所述桥接芯片均与所述第一重布线层电连接，所述塑封层至少包覆所述功能芯片和所述桥接芯片；
22、连接所述封装体至、封装基板上，使得所述桥接芯片位于所述第一重布线层与所述封装基板之间，且电连接所述桥接芯片与所述封装基板。
23、在一些实施例中，形成封装体的具体步骤包括：
24、形成第一重布线层，所述第一重布线层包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；
25、连接所述功能芯片于所述第一重布线层的所述第一表面上；
26、形成位于所述第一重布线层的所述第一表面上且至少包覆所述功能芯片的第一塑封层；
27、连接所述桥接芯片于所述第一重布线层的所述第二表面上；
28、形成位于所述第一重布线层的所述第二表面上且至少包覆所述桥接芯片的第二塑封层，所述第二塑封层的模量高于所述第一重布线层的模量，所述第一塑封层和所述第二塑封层共同作为所述塑封层。
29、在一些实施例中，连接所述功能芯片于所述第一重布线层的所述第一表面上的具体步骤包括：
30、于所述第一重布线层的所述第一表面上形成第一导电凸块；
31、于所述功能芯片的正面上形成第二导电凸块；
32、以所述功能芯片的正面朝向所述第一重布线层的方向电连接所述第一导电凸块和所述第二导电凸块；
33、形成填充于所述功能芯片与所述第一重布线层的所述第一表面之间的第一粘结层。
34、在一些实施例中，所述桥接芯片包括第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；连接所述桥接芯片于所述第一重布线层的所述第二表面上的具体步骤包括：
35、于所述第一重布线层的所述第二表面上形成第三导电凸块；
36、于所述桥接芯片的所述第三表面上形成第四导电凸块；
37、以所述桥接芯片的所述第三表面朝向所述第一重布线层的所述第二表面的方向电连接所述第三导电凸块和所述第四导电凸块；
38、形成填充于所述桥接芯片与所述第一重布线层的所述第二表面之间的第二粘结层。
39、在一些实施例中，以所述桥接芯片的所述第三表面朝向所述第一重布线层的所述第二表面的方向电连接所述第三导电凸块和所述第四导电凸块之前，还包括如下步骤：
40、于所述第一重布线层的所述第二表面上形成第一导电连接柱。
41、在一些实施例中，还包括如下步骤：
42、于所述第一重布线层的所述第二表面上形成第五导电凸块；
43、于第一被动元件的的第五表面上形成第六导电凸块；
44、以所述第一被动元件的所述第五表面朝向所述第一重布线层的所述第二表面的方向电连接所述第五导电凸块和所述第六导电凸块；
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【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层包括：
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述功能芯片和所述桥接芯片沿第一方向分布于所述第一重布线层的相对两侧；
7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成封装体的具体步骤包括：
9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，连接所述功能芯片于所述第一重布线层的所述第一表面上的具体步骤包括：
10.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述桥接芯片包括第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；连接所述桥接芯片于所述第一重布线层的所述第二表面上的具体步骤包括：
11.根据权利要求1
12.根据权利要求11所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括如下步骤：
13.根据权利要求11所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一重布线层的所述第二表面上且至少包覆所述桥接芯片的第二塑封层之前，还包括如下步骤：
14.根据权利要求13所述的封装结构的形成方法，其特征在于，连接所述封装体至封装基板上，使得所述桥接芯片位于所述第一重布线层与所述封装基板之间，且电连接所述桥接芯片与所述封装基板的具体步骤包括：
15.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层包括：
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述功能芯片和所述桥接芯片沿第一方向分布于所述第一重布线层的相对两侧；
7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成封装体的具体步骤包括：
9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，连接所述功能芯片于所述第一重布线层的所述第一表面上的具体步骤包括：
10.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述桥接芯片包括第三表...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵强，刘涛，王长文，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：
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