System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 抗蚀剂混合物制造技术_技高网

抗蚀剂混合物制造技术

技术编号:41646933 阅读:19 留言:0更新日期:2024-06-13 02:38
一种用于制造离子导体的抗蚀剂混合物。在一些示例中,所述混合物是可交联的并且包含:聚合物,所述聚合物包含硅氧烷;交联剂;以及盐,所述盐包含阳离子组分和阴离子组分。在其他示例中,所述混合物是可聚合的并且包含:聚合物,所述聚合物包含硅氧烷;单体;以及盐,所述盐包含阳离子组分和阴离子组分。所述阳离子组分或所述阴离子组分中的至少一者结合到所述聚合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、诸如电池、传感器、光伏设备等装置在其操作期间依赖于离子流动。这可通过使用液体电解质来实现,例如包含溶解离子的允许离子流动的液体。然而,此类电解质可能会发生泄漏和/或蒸发,进而影响给定目的所需的导电性。期望能够缓解此类问题。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种用于制造离子导体的可交联的抗蚀剂混合物,所述混合物包含:

2.一种用于制造离子导体的可聚合的抗蚀剂混合物,所述混合物包含:

3.如权利要求2所述的混合物,所述混合物包含交联剂。

4.如权利要求3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述单体。

5.如权利要求1或3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述聚合物。

6.如权利要求1或3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述阳离子组分或所述阴离子组分中的至少一者。

7.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分或所述阴离子组分中的所述至少一者通过连接子结合到所述聚合物,所述连接子共价地结合到所述阳离子组分或所述阴离子组分中的所述至少一者以及所述聚合物。

8.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述聚合物是第一聚合物,并且所述混合物还包含第二聚合物,所述第二聚合物包含硅氧烷或非硅氧烷物质。

9.如权利要求8所述的混合物,当从属于权利要求1、3、6或7时,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂共价地结合到所述第二聚合物。

10.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述盐包含碳-碳键或碳-氢键中的至少一者。

11.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含光引发剂。

12.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述混合物是光刻胶混合物。

13.如权利要求12所述的混合物,其中所述光刻胶是负性光刻胶。

14.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分包括以下各者中的至少一者:三唑鎓、硫代咪唑鎓、季铵、质子化叔胺、咪唑鎓、取代的咪唑鎓、季鏻鎓、质子化叔膦、氯鎓、吡咯烷鎓、取代的吡咯烷鎓、吡啶鎓、取代的吡啶鎓、锍或取代的锍。

15.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阴离子组分包括以下各者中的至少一者:磺酸盐、膦酸盐、醇盐、硫醇盐、咪唑盐、四(五氟苯基)硼酸盐、双(氟磺酰)亚胺、甲苯磺酸盐、(甲基)丙烯酸盐、羧酸盐、乙酸盐、氯化物、溴化物、碘化物、二甲基磷酸盐、甲基硫酸盐、六氟磷酸盐、三氟甲磺酸盐、双(三氟甲烷)磺酰亚胺(三氟双酰亚胺/TFSI)或四氟硼酸盐。

16.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂包括以下各者中的至少一者:乙烯基、丙烯酸酯基、叠氮化物、炔烃、环氧化物、硫醇、烯烃、醇、醛、羧酸盐、胺、膦或二烯。

17.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂包括二乙二醇二乙烯醚或二乙二醇二丙烯酸酯中的至少一者。

18.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,所述混合物包含用于改变交联密度的添加剂。

19.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含增塑剂。

20.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含氧化还原活性添加剂。

21.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含发色团。

22.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含表面活性剂。

23.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分包括多阳离子组分。

24.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阴离子组分包括多阴离子组分。

25.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述盐包含两性离子。

26.一种制造离子导体的方法,所述方法包括:

27.如权利要求26所述的方法,所述方法包括至少部分地去除所述混合物的尚未交联的所述区域或所述混合物的尚未聚合的所述区域。

28.如权利要求27所述的方法,其中去除包括溶解。

29.如权利要求27或28所述的方法,其中至少部分地去除所述混合物的尚未交联的所述区域或所述混合物的尚未聚合的所述区域在所述衬底上产生所述离子导体的图案。

30.一种制造离子导体的方法,所述方法包括:

31.如权利要求26至30中任一项所述的方法,其中沉积所述混合物包括将所述混合物涂覆在所述衬底上。

32.如权利要求31所述的方法,其中涂覆包括旋涂。

33.如权利要求26至30中任一项所述的方法,其中沉积所述混合物包括打印所述混合物。

34.如权利要求26至33中任一项所述的方法,所述方法包括将所述混合物暴露于辐射以引起所述交联或所述聚合中的至少一者。

35.如权利要求34所述的方法,其中所述辐射包括电子束或电磁辐射中的至少一者。

36.如权利要求26至35中任...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造离子导体的可交联的抗蚀剂混合物,所述混合物包含:

2.一种用于制造离子导体的可聚合的抗蚀剂混合物,所述混合物包含:

3.如权利要求2所述的混合物,所述混合物包含交联剂。

4.如权利要求3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述单体。

5.如权利要求1或3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述聚合物。

6.如权利要求1或3所述的混合物,其中所述交联剂共价地结合到所述阳离子组分或所述阴离子组分中的至少一者。

7.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分或所述阴离子组分中的所述至少一者通过连接子结合到所述聚合物,所述连接子共价地结合到所述阳离子组分或所述阴离子组分中的所述至少一者以及所述聚合物。

8.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述聚合物是第一聚合物,并且所述混合物还包含第二聚合物,所述第二聚合物包含硅氧烷或非硅氧烷物质。

9.如权利要求8所述的混合物,当从属于权利要求1、3、6或7时,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂共价地结合到所述第二聚合物。

10.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述盐包含碳-碳键或碳-氢键中的至少一者。

11.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含光引发剂。

12.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述混合物是光刻胶混合物。

13.如权利要求12所述的混合物,其中所述光刻胶是负性光刻胶。

14.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分包括以下各者中的至少一者:三唑鎓、硫代咪唑鎓、季铵、质子化叔胺、咪唑鎓、取代的咪唑鎓、季鏻鎓、质子化叔膦、氯鎓、吡咯烷鎓、取代的吡咯烷鎓、吡啶鎓、取代的吡啶鎓、锍或取代的锍。

15.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阴离子组分包括以下各者中的至少一者:磺酸盐、膦酸盐、醇盐、硫醇盐、咪唑盐、四(五氟苯基)硼酸盐、双(氟磺酰)亚胺、甲苯磺酸盐、(甲基)丙烯酸盐、羧酸盐、乙酸盐、氯化物、溴化物、碘化物、二甲基磷酸盐、甲基硫酸盐、六氟磷酸盐、三氟甲磺酸盐、双(三氟甲烷)磺酰亚胺(三氟双酰亚胺/tfsi)或四氟硼酸盐。

16.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂包括以下各者中的至少一者:乙烯基、丙烯酸酯基、叠氮化物、炔烃、环氧化物、硫醇、烯烃、醇、醛、羧酸盐、胺、膦或二烯。

17.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,其中所述交联剂包括二乙二醇二乙烯醚或二乙二醇二丙烯酸酯中的至少一者。

18.如任一前述权利要求所述的混合物,当从属于权利要求1或3时,所述混合物包含用于改变交联密度的添加剂。

19.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含增塑剂。

20.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含氧化还原活性添加剂。

21.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含发色团。

22.如任一前述权利要求所述的混合物,所述混合物包含表面活性剂。

23.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阳离子组分包括多阳离子组分。

24.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述阴离子组分包括多阴离子组分。

25.如任一前述权利要求所述的混合物,其中所述盐包含两性离子。

26.一种制造离子导体的方法,所述方法包括:

27.如权利要求26所述的方法,所述方法包括至少部分地去除所述混合物的尚未交联的所述区域或所述混合物的尚未聚合的所述区域。

28.如权利要求27所述的方法,其中去除包括溶解。

29.如权利要求27或28所述的方法,其中至少部分地去除所述混合物的尚未交联的所述区域或所述混合物的尚未聚合的所述区域在所述衬底上产生所述离子导体的图案。

30.一种制造离子导体的方法,所述方法包括:

31.如权利要求26至30中任一项所述的方法,其中沉积所述混合物包括将所述混合物涂覆在所述衬底上。

32.如权利要求31所述的方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:瑞安·居特曼
申请(专利权)人:法拉第微电子传感器有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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