【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体存储器装置。
技术介绍
1、半导体存储器装置可应用于诸如汽车、医疗和数据中心的各种领域的电子装置以及小型电子装置，并且对半导体存储器装置的需求不断增加。
2、电子装置可包括配置存储装置的半导体存储器装置。半导体存储器装置可包括多个存储器单元。正在开发用于改进多个存储器单元的集成度的各种技术。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，一种半导体存储器装置可包括：源极接合结构，其包括彼此接合的第一源极层和第二源极层；第一存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第一源极层；以及第二存储器单元阵列结构，其连接到源极接合结构的第二源极层，并且源极接合结构可包括半导体接合区域和金属接合区域。
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一源极层和所述第二源极层中的每一个包括形成所述源极接合结构的所述半导体接合区域的掺杂半导体层和形成所述源极接合结构的所述金属接合区域的金属层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述金属层由电阻率低于所述掺杂半导体层的电阻率的材料形成。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述掺杂半导体层包括掺杂硅，该掺杂硅包括n型杂质和p型杂质中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一存储器单元阵列结构包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述焊盘接合结构包括半导体接合区域和金属接合区域，并且
9.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
10.
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述金属接合区域形成为网状结构。
12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
14.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一源极层和所述第二源极层中的每一个包括形成所述源极接合结构的所述半导体接合区域的掺杂半导体层和形成所述源极接合结构的所述金属接合区域的金属层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述金属层由电阻率低于所述掺杂半导体层的电阻率的材料形成。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述掺杂半导体层包括掺杂硅，该掺杂硅包括n型杂质和p型杂质中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一存储器单元阵列结构包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔殷硕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。