【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及线路板，尤其涉及一种封装基板及其加工方法、半盲孔管脚单体及其加工方法。
技术介绍
1、直插式封装工艺作为电子元器件加工中的常用封装方式，被广泛应用于电路板和直插式电源管理产品中。
2、利用直插式封装工艺可实现使电子元器件直接插入电路板上的孔洞或插槽中，实现简化电路板的布线和设计过程。然而，现有的直插式封装工艺在实施时，通常需要较大的空间以及对穿的插件孔，这就极大地限制了密集化的布线空间及小型化的单体尺寸。因此，现有的直插式封装工艺不能很好的适用需要高度集成化的应用场景。
3、因此，亟需提供一种能够克服现有直插式封装工艺对于载板布线密集化和小型化设计限制的封装工艺，以推进直插式电源管理产品封装的高度集成化。
技术实现思路
1、为了克服上述缺陷，本专利技术提供了一种封装基板及其加工方法、半盲孔管脚单体及其加工方法，该加工方法简单、合理，加工灵活、易实施，封装成本低、封装良率及效率高；利用该加工方法所得的封装基板/和半盲孔管脚单体，既利于产品的密集化布线，又提高了产品性能及可靠性，可很好的应用于电子元器件生产中。
2、本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种封装基板的加工方法，包括：
3、提供第一加工板，所述第一加工板设有由内至外依次层叠设置的绝缘中间层、内层线路、绝缘增层和外层铜层；
4、对所述第一加工板进行镭射开窗和镭射烧槽加工，以在所述第一加工板上加工出若干开口于所述外层铜层并沿着所述第一加工板厚
5、利用通孔电镀工艺在所述盲槽内壁上镀上引脚焊盘，得到包含所述盲槽和所述引脚焊盘的管脚件；然后在带有所述管脚件的所述第一加工板的整个板面上镀上保护层；
6、对所述管脚件槽底的预设位置处依次进行破除保护层和蚀刻加工，以在所述管脚件的槽底上加工出能够露出与所述管脚件槽底相邻的一所述绝缘增层局部、并供后续切割加工用的切割道，且所述切割道还将所述管脚件分割成两个管脚半片体；随后将所有保护层去除，得到第二加工板；
7、对所得第二加工板依次进行外层线路制作和防焊制作，得到设有若干所述管脚半片体的封装基板。
8、作为本专利技术的进一步改进，利用通孔电镀工艺在所述盲槽的内侧壁和槽底内壁上分别镀上所述引脚焊盘，且所述通孔电镀工艺的具体加工参数为：电解溶液中的五水硫酸铜含量为90～120g/l，电解溶液温度为20～30℃，镀铜喷流压力为0.5～1.5kg/cm2，电镀时间为40～60min。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述引脚焊盘的铜厚为10～20μm，且铜厚极差≤3μm。
10、作为本专利技术的进一步改进，对所述管脚件槽底的预设位置处依次进行破除保护层和蚀刻加工，包括：
11、利用第一镭射钻孔机将所述管脚件槽底的预设位置处的所述保护层去除，以得到能够露出所述引脚焊盘局部的窗口；
12、利用碱性蚀刻工艺将与所得窗口对应的所述引脚焊盘局部及所述内层线路局部蚀刻掉，即加工出所述切割道。
13、作为本专利技术的进一步改进，对所得第二加工板进行外层线路制作时，还在所述管脚件内壁上覆设能够对铜面进行保护的保护膜；
14、待完成防焊制作后，选择性的在所得第二加工板的整板铜面上镀上镍金层。
15、作为本专利技术的进一步改进，所述切割道的两端分别延伸至所述管脚件槽底的相对两侧处，或者分别贯穿所述管脚件槽底的相对两侧；另外，所述切割道沿垂直于所述第一加工板厚度方向的中心线被用作为后续切割加工用的切割线。
16、作为本专利技术的进一步改进，利用第二镭射钻孔机对所述第一加工板进行开窗和控深环形绕烧，以加工出若干成排成列的所述盲槽；
17、且所述第二镭射钻孔机进行控深环形绕烧时所用的具体加工参数为：镭射脉宽为5～8μs，镭射能量为3.5～6.2mj，镭射发数为2～4发，镭射槽壁斜度≤15μm，槽壁粗糙度≤10μm。
18、本专利技术还提供了一种封装基板，采用如本专利技术所述的封装基板的加工方法制作而成。
19、本专利技术还提供了一种半盲孔管脚单体的加工方法，包括：
20、提供如本专利技术所述的封装基板；
21、以所述切割道沿垂直于所述第一加工板厚度方向的中心线作为切割线，并利用激光切割机对所述封装基板的所述切割道沿平行于所述第一加工板厚度方向的方向进行切割，即得到该半盲孔管脚单体。
22、本专利技术还提供了一种半盲孔管脚单体，采用如本专利技术所述的半盲孔管脚单体的加工方法制作而成。
23、本专利技术的有益效果是：相较于现有技术，①本申请通过工艺创新，制得了设有若干所述管脚半片体的封装基板、及通过切割封装基板制得的半盲孔管脚单体；且基于所得的半盲孔管脚单体，既解决了现有直插式插孔占用双面布线空间的问题，利于产品的密集化布线；又便于后续在封装半盲孔管脚单体时能够提供给引脚有效地三面立体式焊锡包裹，极大的提高了产品性能及可靠性。②因本申请所得封装基板和半盲孔管脚单体上的切割道为无铜结构，从而可有效避免切割封装基板作业时的掉屑问题，以及有效避免封装半盲孔管脚单体后划切金属披锋短路、掉屑等问题，极大的提升了生产良率。③本申请通过工艺创新，所得封装基板上可集成有设计所需的若干所述管脚半片体，从而可极大地提升半盲孔管脚单体的生产效率。总之，本专利技术所提供的加工方法简单、合理，加工灵活、易实施，封装成本低、封装良率及效率高；利用该加工方法所得的封装基板/和半盲孔管脚单体，既利于产品的密集化布线，又提高了产品性能及可靠性，可很好的应用于电子元器件生产中。
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1.一种封装基板的加工方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：利用通孔电镀工艺在所述盲槽（20）的内侧壁和槽底内壁上分别镀上所述引脚焊盘（21），且所述通孔电镀工艺的具体加工参数为：电解溶液中的五水硫酸铜含量为90～120g/L，电解溶液温度为20～30℃，镀铜喷流压力为0.5～1.5Kg/cm2，电镀时间为40～60min。
3.根据权利要求2所述的封装基板的加工方法，其特征在于：所述引脚焊盘（21）的铜厚为10～20μm，且铜厚极差≤3μm。
4.根据权利要求2所述的封装基板的加工方法，其特征在于：对所述管脚件（2）槽底的预设位置处依次进行破除保护层和蚀刻加工，包括：
5.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：对所得第二加工板进行外层线路制作时，还在所述管脚件（2）内壁上覆设能够对铜面进行保护的保护膜；
6.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：所述切割道（4）的两端分别延伸至所述管脚件（2）槽底的相对两侧处，或者分别贯穿所述管脚件（2）槽底的相对
7.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：利用第二镭射钻孔机对所述第一加工板进行开窗和控深环形绕烧，以加工出若干成排成列的所述盲槽（20）；
8.一种封装基板，其特征在于：采用如权利要求1-7中任一项所述的封装基板的加工方法制作而成。
9.一种半盲孔管脚单体的加工方法，其特征在于：包括：
10.一种半盲孔管脚单体，其特征在于：采用如权利要求9所述的半盲孔管脚单体的加工方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种封装基板的加工方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：利用通孔电镀工艺在所述盲槽（20）的内侧壁和槽底内壁上分别镀上所述引脚焊盘（21），且所述通孔电镀工艺的具体加工参数为：电解溶液中的五水硫酸铜含量为90～120g/l，电解溶液温度为20～30℃，镀铜喷流压力为0.5～1.5kg/cm2，电镀时间为40～60min。
3.根据权利要求2所述的封装基板的加工方法，其特征在于：所述引脚焊盘（21）的铜厚为10～20μm，且铜厚极差≤3μm。
4.根据权利要求2所述的封装基板的加工方法，其特征在于：对所述管脚件（2）槽底的预设位置处依次进行破除保护层和蚀刻加工，包括：
5.根据权利要求1所述的封装基板的加工方法，其特征在于：对所得第二加工板进行外层线路制作时，还在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏晨，陈保中，马洪伟，程分喜，
申请(专利权)人：江苏普诺威电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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