【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种离子注入机台工艺匹配方法。
技术介绍
1、为了改变导电性、改变半导体晶圆的晶体结构等目的，向半导体晶片注入离子的工艺已经变成典型的半导体制造工艺，并因半导体器件尺寸越来越小，导致对离子注入的精度和稳定性要求也越来越高。在该工艺中使用的装置称为离子注入装置。离子注入装置具有提取作为离子束的在离子源中离子化的离子，然后形成加速后的离子束的功能，并且具有将该离子束传送至半导体晶圆，以便将其注入所述半导体晶片的功能。在离子注入的过程中，对剂量、角度等要求非常严格，一般要求剂量误差不超过3%，剂量过大或者过少就可能会造成晶圆报废的后果。
2、在半导体制造过程中，通常同时使用多台离子注入装置。尽管在各个离子注入装置上设定了相同的离子注入数据，但实际进行离子注入的过程中，不同的离子注入装置的注入能量往往不同，注入剂量也不同，进而不可避免会造成离线剂量匹配和在线电性测试（waferlevelanalysistest，wat）的不匹配，严重者造成大批晶圆出现电性不良情况。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种离子注入机台工艺匹配方法，以降低晶圆出现电性不良的情况。
2、本申请提供一种离子注入机台工艺匹配方法，包括：
3、提供至少一第一组晶圆以及一第二组晶圆，旧离子注入机台对所述第一组晶圆以预设工艺参数进行离子注入，新离子注入机台对第二组晶圆以所述预设工艺参数进行离子注入，并获取所述第一组晶圆以及第二组晶圆的电性测试阈值，所述预设工
4、根据采用所述旧离子注入机台执行所述预设工艺参数进行离子注入的所述第一组晶圆时的真空度值，确定所述第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量；
5、根据采用所述旧离子注入机台进行离子注入的所述第一组晶圆的减速比率，获取形成所述第一组晶圆时的能量污染的污染能量；
6、提供第三组晶圆，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以及所述原始能量与所述污染能量之和对所述第三组晶圆进行剂量补偿以及能量补偿；
7、获取进行能量补偿以及剂量补偿之后的所述第三组晶圆的电性测试值；
8、根据所述第三组晶圆的所述电性测试值与所述第一组晶圆的所述电性测试阈值，确定所述新离子注入机台与所述旧离子注入机台的目标匹配参数。
9、在一些实施例中，所述根据采用所述旧离子注入机台执行所述预设工艺参数进行离子注入的所述第一组晶圆时的真空度值，确定所述第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量中，包括：
10、根据采用所述旧离子注入机台执行所述预设工艺参数进行离子注入的所述第一组晶圆时的真空度值，确定能量污染程度；
11、根据能量污染程度，确定所述第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量。
12、在一些实施例中，所述提供第三组晶圆，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以及所述原始能量与所述污染能量之和对所述第三组晶圆进行剂量补偿以及能量补偿中，包括：
13、所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿。
14、在一些实施例中，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿中，设置至少3个剂量补偿的doe。
15、在一些实施例中，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿中，包括：
16、所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和的95%、所述原始剂量与所述污染剂量之和的100%以及所述原始剂量与所述污染剂量之和的105%以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿。
17、在一些实施例中，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和的95%、所述原始剂量与所述污染剂量之和的100%以及所述原始剂量与所述污染剂量之和的105%以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿之后，还包括：
18、所述新离子注入机台根据所述原始剂量的95%、所述原始剂量的100%以及所述原始剂量的105%以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量注入。
19、在一些实施例中，所述电性测试阈值包括薄膜电阻值以及质谱分析数据。
20、在一些实施例中，采用四探针测试法获取所述薄膜电阻值。
21、本申请提供一种离子注入机台工艺匹配方法，包括：
22、提供至少第一组晶圆以及第二组晶圆，旧离子注入机台对所述第一组晶圆以预设工艺参数进行离子注入，新离子注入机台对第二组晶圆以所述预设工艺参数进行离子注入，并获取第一组晶圆以及第二组晶圆的电性测试阈值，预设工艺参数包括原始剂量和原始能量；根据采用旧离子注入机台执行预设工艺参数进行离子注入的第一组晶圆时的真空度值，确定第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量；根据采用旧离子注入机台进行离子注入的第一组晶圆的减速比率，获取形成第一组晶圆时的能量污染的污染能量；提供第三组晶圆，新离子注入机台根据原始剂量与污染剂量之和以及原始能量与污染能量之和对第三组晶圆进行剂量补偿以及能量补偿；获取进行能量补偿以及剂量补偿之后的第三组晶圆的电性测试值；根据第三组晶圆的电性测试值与第一组晶圆的电性测试阈值确定新离子注入机台与旧离子注入机台的目标匹配参数，降低晶圆出现电性不良的情况，进而保证了晶圆的可靠性。
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1.一种离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述根据采用所述旧离子注入机台执行所述预设工艺参数进行离子注入的所述第一组晶圆时的真空度值，确定所述第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量中，包括：
3.根据权利要求1所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述提供第三组晶圆，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以及所述原始能量与所述污染能量之和对所述第三组晶圆进行剂量补偿以及能量补偿中，包括：
4.根据权利要求3所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿中，设置至少3个剂量补偿的DOE。
5.根据权利要求3所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿中，包括：
6.根据权利要求5所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述新离子注入
7.根据权利要求1所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述电性测试阈值包括薄膜电阻值以及质谱分析数据。
8.根据权利要求7所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，采用四探针测试法获取所述薄膜电阻值。
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述根据采用所述旧离子注入机台执行所述预设工艺参数进行离子注入的所述第一组晶圆时的真空度值，确定所述第一组晶圆的能量污染产生的污染剂量中，包括：
3.根据权利要求1所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述提供第三组晶圆，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以及所述原始能量与所述污染能量之和对所述第三组晶圆进行剂量补偿以及能量补偿中，包括：
4.根据权利要求3所述的离子注入机台工艺匹配方法，其特征在于，所述新离子注入机台根据所述原始剂量与所述污染剂量之和以窗口检查的方式在所述第三组晶圆上进行划片剂量补偿中，设置至少3个剂量补偿的doe...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱红波，李德生，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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