【技术实现步骤摘要】
本公开一般地涉及光子(光学和/或光电)电路，并且更一般地涉及电光调制器及其形成方法。
技术介绍
1、已知电光吸收调制器，其中根据由光信号穿过的材料的偏振，该材料的吸收系数以及因此的该信号的光学功率被调制。
技术实现思路
1、期望具有一种电光吸收调制器和一种制造这种调制器的方法，从而克服已知的电光吸收调制器及其制造方法的全部或者部分缺点。
2、一个实施例提供了与特别是cmos型的集成电路制造技术相兼容的制造电光吸收调制器的方法。
3、一个实施例提供了电光吸收调制器，其中损耗比已知的电光调制器小。
4、一个实施例提供了比已知的电光调制器紧凑的电光调制器。
5、一个实施例提供了电光吸收调制器，其能够调制具有1310nm量级的一个波长或多个波长的信号的光学功率。
6、因此，一个实施例提供了包括波导的电光调制器，该波导包括在波导的腔体中的多个量子阱。
7、根据一个实施例，腔体横向地穿过波导。
8、根据一个实施例，腔体在波导的下表面的水平处出现。
9、根据一个实施例，腔体具有相对于波导的下表面的法线倾斜的壁。
10、根据一个实施例，波导包括位于腔体任一侧、优选地由硅制成的两个半导体区域，该两个区域掺杂有不同的导电类型。
11、根据一个实施例，多个量子阱通过第一量子阻挡层和第二量子阱层的交替而形成。
12、根据一个实施例，第一层由硅-锗制成，第二层由锗制成。
...【技术保护点】
1.一种电光调制器，包括：
2.根据权利要求1所述的调制器，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的调制器，其中所述腔体是从所述绝缘体上硅衬底的所述硅层的第一主表面向所述绝缘体上硅衬底的所述硅层的第二主表面延伸的贯通腔体。
【技术特征摘要】
1.一种电光调制器，包括：
2.根据权利要求1所述的调制器，进一步包括：
3.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·鲍多特，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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