【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光材料，涉及碳量子点发光二极管的制备，特别涉及一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
1、量子点发光材料是一类尺寸约为几纳米的可发光半导体材料的总称，其最大特点是可调控材料的尺寸和组分而使光色和光强相应发生连续变化。量子点发光二极管（qled）即是以上述材料为核心而构成的一类发光二极管。qled比目前广泛使用的lcd和oled拥有范围更广的色域，并在相同光强下较后两者能耗更低，因此在显示方面有独特的应用价值。目前，市场上已经出现基于qled技术的相关显示设备，因而具有潜在的极高的商业价值。qled按照层叠次序和出光方向等不同标准分类有不同种类的结构，但其基础部分结构相同，主要如下：依次为电子传输层(etl)、量子点发光层(qds-eml)、沉积空穴传输层(htl)。qled的发光机理为通电后在电场驱动下，电子和空穴分别由电子传输层和空穴传输层注入，两者在量子点发光层结合形成激子，以释放光子的形式辐射能量。该材料因其具有光谱缺陷少、光谱连续可调等其他发光材料不具有的优点，现已经成为国际发光材料研究热点。
2、量子点是一种≤10nm的纳米材料，具有良好的发光性能，常见的半导体量子点由于含有镉等有毒重金属，限制了其应用范围。碳量子点具有较高的光稳定性和化学稳定性，是一种良好的发光材料，具有广泛的应用前景。碳量子点作为发光材料，具有诸多优点，如：发光颜色可以通过控制量子点尺寸、浓度调节，色彩饱和度高；材料广泛，制备容易；抗氧化能力好，发光性能和结构的稳定性好。但在研制过程中还存在较多的技术难点，如碳
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，本专利技术先制备碳量子点，以碳量子点做发光材料，并按照实际需求制备不同形状的盐基结构，将不同碳量子点导入氯化钠阵列基层，制成发光二极管，所制备的碳量子点发光层发光性能优良，制备方法简单，可形成连续的工艺流程，便于推广应用。
2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
4、（1）水热合成制备碳量子点水溶液
5、将l-抗坏血酸与碳酰胺混合，并加入少量氨水调节ph值至3~5，搅拌使其溶解成混合溶液；将混合溶液进行超声分散，超声分散后，将混合溶液装入聚四氟乙烯容器，置于反应釜中并在恒温箱中加热反应，生成不同含氮的碳量子点，冷却后，离心获得上层溶液，将上层溶液透析后，进行冷冻干燥，获得固体荧光碳量子点粉末；
6、（2）制备盐基阵列结构
7、将cacl2溶入去离子水，形成饱和溶液，根据需求倒入不同形状的装置，并放到冰箱中冷却得晶体；将所得的晶体通过打磨形成具有不同形状的透明cacl2晶体；
8、（3）制备发光二极管
9、将步骤（1）得到的碳量子点粉末溶入饱和nacl盐水中，得到碳量子点溶液；将步骤（2）所制备的cacl2晶体浸入上述溶液中，冷冻一定时间后，碳量子点附着于cacl2晶体表面，将405 nm紫光灯作为激发光源，装入上述不同形状的晶体中，通过在晶体表面旋涂透明保护膜，即完成光致发光二极管的制备。
10、本专利技术的进一步改进方案为：
11、步骤（1）中l-抗坏血酸与碳酰胺的摩尔比为1：2~5。
12、进一步的，步骤（1）中加热反应的温度为110~130℃，时间为2~4小时。
13、进一步的，步骤（1）中冷冻干燥的温度为-10~-30℃，时间为22~26小时。
14、进一步的，步骤（3）中碳量子点溶液的浓度为0.5~1.5g/l。
15、进一步的，步骤（3）中可通过控制cacl2晶体浸入碳量子点溶液的次数，来调控晶体表面附着碳量子点的量。
16、本专利技术的有益效果为：
17、本专利技术针对发光二极管使用材料、结构特征、发光性能的弊端，将碳量子点导入盐基阵列，能够有效保护碳量子点表面活性位点，使碳量子点能够均匀分散到盐基阵列中，使其不发生团聚猝灭，发光均匀，且热稳定性高且发光波长可根据激发光波长有所变化，调控性能好。此制备方法工艺简单，数据精确翔实，从制备发光材料到发光二极管，可形成连续的工艺流程，是先进的用碳量子点做发光材料的发光二极管的制备方法。
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1.一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中L-抗坏血酸与碳酰胺的摩尔比为1：2~5。
3.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中加热反应的温度为110~130℃，时间为2~4小时。
4.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中冷冻干燥的温度为-10~-30℃，时间为22~26小时。
5.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（3）中碳量子点溶液的浓度为0.5~1.5g/L。
6.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（3）中可通过控制CaCl2晶体浸入碳量子点溶液的次数，来调控晶体表面附着碳量子点的量。
【技术特征摘要】
1.一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中l-抗坏血酸与碳酰胺的摩尔比为1：2~5。
3.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中加热反应的温度为110~130℃，时间为2~4小时。
4.根据权利要求1所述的一种盐基碳量子点发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩昊，陈顾婷，吴骏章，郑旭辰，宋志豪，张俊，
申请(专利权)人：淮阴工学院，
类型：发明
国别省市：
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