【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括即使在高分辨率下也被稳定地驱动的驱动晶体管的显示装置。
技术介绍
1、显示装置是显示图像的装置，并且近来，作为发射显示装置的类型的有机发光二极管显示器已经引起关注。
2、发射显示装置具有自发射特性，并且与液晶显示器(lcd)不同，它不需要单独的光源，因此可以减小其厚度和重量。另外，发射显示装置表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
3、通常，发射显示装置包括衬底、定位在衬底上的薄膜晶体管、布置在构成薄膜晶体管的布线之间的绝缘层和连接到薄膜晶体管的有机发光元件。
4、发射显示装置包括像素，并且每个像素包括晶体管。近来，随着使用高分辨率显示装置，一个像素的尺寸越来越小。
5、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对本技术的背景的理解，并且因此，其可以包含不构成在本国为本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、实施方式提供了能够提高高分辨率显示装置中的晶体管特性的显示装置。
2、然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，上述和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员而言将变得更加明显。
3、根据实施方式的显示装置包括：定位在衬底上并且包括驱动晶体管和多个晶体管的半导体层；定位在半导体层上的栅极导电层；以及定位在栅极导电层上的数据导电层。驱动晶体管具有其中形成有多个槽的线性形状。
4、
5、驱动晶体管的沟道在第一方向上的宽度可以是大约4微米或更小。
6、驱动晶体管的沟道在第二方向上的长度可以在大约8微米至大约12微米的范围内。
7、驱动晶体管的沟道在第一方向上的宽度可以在大约2.5微米至大约4微米的范围内。
8、多个槽可以沿驱动晶体管的边缘交替地形成。
9、多个槽中的每个在第二方向上的宽度可以在大约1微米至大约2微米的范围内。
10、多个槽中的每个在第一方向上的长度可以在大约1微米至大约2.5微米的范围内。
11、在其中形成有多个槽的线性形状中，驱动晶体管在第一方向上的宽度可以比多个槽中的每个在第一方向上的长度短。
12、多个槽中的每个在第一方向上的长度可以比驱动晶体管在第一方向上的宽度的一半长。
13、多个槽可以包括定位在驱动晶体管的中心的圆形槽。
14、圆形槽的直径可以在大约1微米至大约3微米的范围内。
15、多个槽可以包括定位在驱动晶体管的边缘处的半圆形槽。
16、半圆形槽的直径可以在大约2微米至大约4微米的范围内。
17、驱动晶体管可以包括其中电流集中的区和其中电流不集中的区。其中电流集中的区和其中电流不集中的区可以彼此交替。
18、显示装置可以进一步包括定位在衬底与半导体层之间的遮光层。
19、多个晶体管可以包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管。驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管可以包含在像素中。
20、像素在第二方向上的长度可以是大约35微米或更小。
21、像素在第一方向上的长度可以是大约70微米或更小。
22、显示装置可以进一步包括电连接到第六晶体管的发光元件。
23、根据实施方式，在高分辨率显示装置中可以改善晶体管的电气特性。
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1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管的所述沟道在所述第一方向上的所述宽度为4微米或更小。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管的所述沟道在所述第二方向上的所述长度在8微米至12微米的范围内。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管的所述沟道在所述第一方向上的所述宽度在2.5微米至4微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个槽沿所述驱动晶体管的边缘交替地形成。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个槽中的每个在所述第二方向上的宽度在1微米至2微米的范围内。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在形成有所述多个槽的所述线性形状中，所述驱动晶体管的所述沟道在所述第一方向上的所述宽度比所述多个槽中的每个在所述第一方向上的长度短。
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