【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种具有前侧焊盘结构和后侧焊盘结构的半导体管芯、具有该半导体管芯的半导体管芯层叠单元、具有该半导体管芯层叠单元的半导体管芯层叠结构以及具有该半导体管芯层叠结构的高带宽存储器。
技术介绍
1、高带宽存储器包括多个层叠的半导体管芯。随着层叠的半导体管芯的数量增加，散热问题和接合问题成为要解决的问题。
技术实现思路
1、一种半导体管芯层叠结构包括：基管芯；多个半导体管芯层叠单元，其层叠在基管芯上方；以及凸块，其位于基管芯与多个半导体管芯层叠单元之间以及位于多个半导体管芯层叠单元之间。多个半导体管芯层叠单元中的每一个包括下半导体管芯和层叠在下半导体管芯上方的上半导体管芯。下半导体管芯和上半导体管芯中的每一个包括具有前侧和后侧的主体以及设置在主体的前侧上方的前侧焊盘结构。前侧焊盘结构包括前侧焊盘种子层和前侧焊盘种子层上方的前侧焊盘图案。前侧焊盘图案包括：第一前侧焊盘部分，其具有板形状；第二前侧焊盘部分，其位于第一前侧焊盘部分上方，其中，第一前侧焊盘部分和第二前侧焊盘部分形成阶梯；以及第三前侧焊盘部分，其位于第一前侧焊盘部分下方。第一前侧焊盘部分和第三前侧焊盘部分形成反向阶梯。第一前侧焊盘部分、第二前侧焊盘部分和第三前侧焊盘部分包括相同的金属。
2、一种半导体管芯层叠结构包括：基管芯；多个半导体管芯层叠单元，其层叠在基管芯上方；以及凸块，其位于基管芯与多个半导体管芯层叠单元之间以及位于多个半导体管芯层叠单元之间。多个半导体管芯层叠单元中的每一个包括下半导体管芯和层叠在下半
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1.一种半导体管芯层叠结构，该半导体管芯层叠结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体管芯层叠结构，
3.根据权利要求2所述的半导体管芯层叠结构，
4.根据权利要求3所述的半导体管芯层叠结构，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体管芯层叠结构，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体管芯层叠结构，
7.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
8.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
9.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
10.根据权利要求9所述的半导体管芯层叠结构，
11.根据权利要求10所述的半导体管芯层叠结构，
12.根据权利要求9所述的半导体管芯层叠结构，其中，
13.根据权利要求1所述的半导体管芯层叠结构，该半导体管芯层叠结构还包括：
14.一种半导体管芯层叠结构，该半导体管芯层叠结构包括：
15.根据权利要求14所述的半导体管芯层叠结构，
16.根据权利要求14所述的半导体管芯层叠
17.根据权利要求16所述的半导体管芯层叠结构，
18.根据权利要求17所述的半导体管芯层叠结构，
19.根据权利要求17所述的半导体管芯层叠结构，
20.根据权利要求19所述的半导体管芯层叠结构，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯层叠结构，该半导体管芯层叠结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体管芯层叠结构，
3.根据权利要求2所述的半导体管芯层叠结构，
4.根据权利要求3所述的半导体管芯层叠结构，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体管芯层叠结构，其中，
6.根据权利要求2所述的半导体管芯层叠结构，
7.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
8.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
9.根据权利要求6所述的半导体管芯层叠结构，
10.根据权利要求9所述的半导体管芯层叠结构，
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金成圭，金钟延，罗松，任尚赫，权钟午，朴津佑，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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