【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体而言，涉及一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构。
技术介绍
1、压电绝缘体（poi）晶圆是一种以硅作为衬底的复合晶圆，其表面制作有二氧化硅层、压电材料层、金属材料层等多种材料，多种材料相互叠层复合加工而成。因为各自材料的热膨胀系数差异，容易在后续的封装组装以及使用过程中，因为热膨胀系数失配而出现分层、器件失效等风险。
技术实现思路
1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构，其能够有效防止基底中多个材料层的分层现象，提高结构可靠性。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种晶圆封装结构，包括：
4、基底，所述基底包括衬底、第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层依次层叠设置在所述衬底上；所述基底上开设有通槽，所述通槽贯穿所述第一材料层和所述第二材料层；
5、电极，所述电极设于所述第二材料层远离所述衬底的一侧；
6、叉指换能器，所述叉指换能器设于所述第二材料层远离所述衬底的一侧；所述叉指换能器与所述电极间隔设置；
7、盖体，所述盖体包括盖板和与所述盖板连接的侧板，所述盖板与所述基底相对设置，所述盖板覆盖所述电极和所述叉指换能器，且所述盖板和所述叉指换能器之间预留有间隙；所述侧板设于所述通槽内；
8、键合胶，所述键合胶设于所述通槽中，所述键合胶与所述侧板连接；且所述键
9、所述盖体、所述键合胶和所述基底共同形成容纳所述电极和所述叉指换能器的密闭空腔；
10、凸点，所述凸点连接在所述基底远离所述电极的一侧，所述凸点与所述电极电连接。
11、在可选的实施方式中，所述通槽贯穿部分所述衬底，所述通槽的深度大于所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之和。
12、在可选的实施方式中，所述键合胶设于所述通槽的槽底和所述侧板之间。
13、在可选的实施方式中，所述键合胶覆盖所述侧板的周侧预设高度。
14、在可选的实施方式中，所述基底上设有切割道，所述切割道位于所述通槽内，所述切割道上未设置所述键合胶。
15、在可选的实施方式中，所述侧板和所述盖板共同形成容置槽，所述叉指换能器和所述电极均位于所述容置槽内。
16、在可选的实施方式中，所述侧板和所述通槽的槽壁有间隙。
17、在可选的实施方式中，所述侧板采用金属，所述通槽的槽底设有金属层，所述侧板和所述金属层连接。
18、在可选的实施方式中，所述盖板和所述侧板均采用金属材质，或者所述盖板采用硅或玻璃材质。
19、在可选的实施方式中，所述通槽的槽底设有凹凸部。
20、在可选的实施方式中，所述衬底远离所述电极的一侧设有开孔，所述开孔贯穿所述第一材料层和所述第二材料层，以露出所述电极；所述开孔的孔壁设有有机保护层；
21、所述开孔内设有导电块，所述导电块的一端与所述电极电连接，另一端与所述凸点电连接。
22、在可选的实施方式中，所述有机保护层包括覆盖孔壁的主体段、第一延伸段和第二延伸段，所述第一延伸段为从主体段向内侧延伸并覆盖部分所述电极，所述第二延伸段为从主体段向外侧延伸并至少部分覆盖所述衬底。
23、第二方面，本实施例提供一种晶圆封装方法，用于制备前述任一项所述的晶圆封装结构，所述晶圆封装方法包括：
24、提供一基底；其中，所述基底包括衬底、第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层依次层叠设置在所述衬底上；所述第二材料层远离所述衬底的一侧间隔设有电极和叉指换能器；
25、在所述基底上开设通槽；其中，所述通槽贯穿所述第一材料层和所述第二材料层；
26、提供盖体；其中，所述盖体包括盖板和与所述盖板连接的侧板；
27、利用键合胶键合盖体和所述基底；其中，所述盖板与所述基底相对设置，所述盖板覆盖所述电极和所述叉指换能器，且所述盖板和所述叉指换能器之间预留有间隙；所述盖体、所述键合胶和所述基底共同形成容纳所述电极和所述叉指换能器的密闭空腔；所述键合胶设于所述通槽，所述键合胶与所述侧板连接；所述键合胶与所述通槽的槽壁之间有间隙；
28、在所述基底远离所述电极的一侧形成凸点；
29、沿切割道切割所述盖体、所述键合胶和所述基底。
30、在可选的实施方式中，在所述基底上开设通槽的步骤中，所述通槽的深度大于所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之和。
31、在可选的实施方式中，在所述基底远离所述电极的一侧形成凸点的步骤包括：
32、在所述衬底远离所述电极的一侧设有开孔；其中，所述开孔贯穿所述第一材料层和所述第二材料层，以露出所述电极；
33、在所述开孔的孔壁形成有机保护层；
34、在所述开孔内形成导电块；其中，所述导电块的一端与所述电极电连接，另一端与所述凸点电连接。
35、在可选的实施方式中，沿切割道切割所述盖体、所述键合胶和所述基底的步骤中：
36、所述切割道位于所述通槽内，所述切割道的宽度小于所述通槽的宽度；所述切割道内没有设置所述键合胶。
37、在可选的实施方式中，提供盖体的步骤中：
38、同一盖板上连接有多个侧板，相邻所述侧板相互隔开，隔开位置与所述基底上的切割道对应，且隔开距离大于切割道宽度。
39、第三方面，本专利技术提供一种滤波器封装方法，包括如前述实施方式中任一项所述的晶圆封装方法。
40、第四方面，本专利技术提供一种滤波器结构，包括如前述实施方式中任一项所述的晶圆封装结构。
41、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
42、本专利技术提供的晶圆封装结构，将键合胶设于通槽内，键合胶与侧板连接，且键合胶与通槽的槽壁有间隙，即键合胶并不与第一材料层和第二材料层接触，能防止第一材料层和第二材料层受到键合胶应力拉扯，因此有利于防止结构分层、失效，结构更加稳定、可靠。并且采用键合胶固定盖体，为叉指换能器提供可靠、稳定的密闭空腔，提高产品的结构强度和产品品质。
43、本专利技术提供的晶圆封装方法，采用键合工艺形成叉指换能器的工作所需的密闭空腔，结构稳定可靠。并且键合胶设于通槽内，键合胶与通槽的槽壁有间隙，不与第一材料层和第二材料层接触，有利于防止结构分层、失效，结构更加稳定、可靠。
44、本专利技术提供的滤波器封装方法以及滤波器结构，采用了上述的晶圆封装方法或晶圆封装结构，结构可靠，有效防止结构分层，提升产品品质。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述通槽贯穿部分所述衬底，所述通槽的深度大于所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述键合胶设于所述通槽的槽底和所述侧板之间。
4.根据权利要求3所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述键合胶覆盖所述侧板的周侧预设高度。
5.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述基底上设有切割道，所述切割道位于所述通槽内，所述切割道上未设置所述键合胶。
6.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板和所述盖板共同形成容置槽，所述叉指换能器和所述电极均位于所述容置槽内。
7.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板和所述通槽的槽壁有间隙。
8.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板采用金属，所述通槽的槽底设有金属层，所述侧板和所述金属层连接。
9.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述盖板和
10.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述通槽的槽底设有凹凸部。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述衬底远离所述电极的一侧设有开孔，所述开孔贯穿所述第一材料层和所述第二材料层，以露出所述电极；所述开孔的孔壁设有有机保护层；
12.根据权利要求11所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述有机保护层包括覆盖孔壁的主体段、第一延伸段和第二延伸段，所述第一延伸段为从主体段向内侧延伸并覆盖部分所述电极，所述第二延伸段为从主体段向外侧延伸并至少部分覆盖所述衬底。
13.一种晶圆封装方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至12中任一项所述的晶圆封装结构，所述晶圆封装方法包括：
14.根据权利要求13所述的晶圆封装方法，其特征在于，在所述基底上开设通槽的步骤中，所述通槽的深度大于所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之和。
15.根据权利要求13所述的晶圆封装方法，其特征在于，在所述基底远离所述电极的一侧形成凸点的步骤包括：
16.根据权利要求13所述的晶圆封装方法，其特征在于，沿切割道切割所述盖体、所述键合胶和所述基底的步骤中：
17.根据权利要求13所述的晶圆封装方法，其特征在于，提供盖体的步骤中：
18.一种滤波器封装方法，其特征在于，包括如权利要求13至17中任一项所述的晶圆封装方法。
19.一种滤波器结构，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的晶圆封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述通槽贯穿部分所述衬底，所述通槽的深度大于所述第一材料层的厚度和所述第二材料层的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述键合胶设于所述通槽的槽底和所述侧板之间。
4.根据权利要求3所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述键合胶覆盖所述侧板的周侧预设高度。
5.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述基底上设有切割道，所述切割道位于所述通槽内，所述切割道上未设置所述键合胶。
6.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板和所述盖板共同形成容置槽，所述叉指换能器和所述电极均位于所述容置槽内。
7.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板和所述通槽的槽壁有间隙。
8.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述侧板采用金属，所述通槽的槽底设有金属层，所述侧板和所述金属层连接。
9.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述盖板和所述侧板均采用金属材质，或者所述盖板采用硅或玻璃材质。
10.根据权利要求1所述的晶圆封装结构，其特征在于，所述通槽的槽底设有凹凸部。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的晶圆封...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕军，朱其壮，金科，朱杉，倪飞龙，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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