【技术实现步骤摘要】
本文中的描述通常涉及掩模制造和图案化过程。更具体地，描述涉及一种用于基于针对图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的设备和方法。
技术介绍
1、光刻投影设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供与ic的单层对应的图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如穿过图案形成装置上的图案来辐照已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有减小比率m(例如，4)，所以衬底被移动的速率f将是投影束扫描所述图案形成装置的速率的1/m倍。关于本文描述的光刻装置的更多信息可以从例如us 6,046,792中搜集到，该文献通过引用并入本文中。
2、在将所述图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后焙烤(peb)、显影、硬焙烤以
3、因而，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用多个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。这些层和特征通常使用例如淀积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，且然后将其分成单独的器件。这种器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案形成步骤，诸如在光刻设备中使用图案形成装置的光学光刻术和/或纳米压印光刻术，以将图案形成装置上的图案转印到衬底上，并且通常但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备的抗蚀剂显影、使用烘焙工具的衬底烘焙、使用蚀刻设备来使用图案进行蚀刻等。
4、如所提及的，光刻术是制造器件(诸如ic)中的核心步骤，其中，形成于衬底上的图案限定器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(mems)和其它器件。
5、随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加这遵循着通常称为“莫尔定律”的趋势。在当前的技术状态下，使用光刻投影设备来制造器件的多个层，光刻投影设备使用来自深紫外线照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而形成具有远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射的波长的一半)的尺寸的单个功能元件。
6、其中具有尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率极限的特征被印制的这种过程通常被称为低k1光刻术，它所依据的分辨率公式是cd＝k1×λ/na，其中，λ是所采用的辐射的波长(当前大多数情况下是248nm或193nm)，na是光刻投影设备中的投影光学元件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小)以及，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，在衬底上再现类似于由设计者所规划的形状和尺寸以实现特定电学功能性和性能的图案就变得越困难。为了克服这些困难，将复杂的精调整步骤应用到光刻投影设备、设计布局或图案形成装置。这些步骤包括例如但不限于：na和光学相干性设定的优化、自定义照射方案、使用相移图案形成装置、设计布局中的光学邻近效果校正(opc，有时也称作“光学和过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(ret)的其它方法。如本文中使用的术语“投影光学元件”应该被宽泛地解释为涵盖各种类型的光学系统，包括例如折射型光学器件、反射型光学器件、孔和反射折射型光学器件。术语“投影光学元件”也可以包括用于共同地或单个地引导、成形或控制投影辐射束的根据这些设计类型中的任一个来操作的部件。术语“投影光学元件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，无论光学部件位于光刻投影设备的光学路径上的什么地方。投影光学元件可以包括用于在来自源的辐射通过图案形成装置之前成形、调整和/或投影该辐射的光学部件，或者用于在该辐射通过图案形成装置之后成形、调整和/或投影该辐射的光学部件。投影光学元件通常不包括源和图案形成装置。
技术实现思路
1、根据实施例，提供一种基于针对所述图案化过程而估计的局部电场来调整所述图案化过程的模型中的目标特征的方法。所述方法包括利用硬件计算机系统获得所关注的掩模叠层区域。所述掩模叠层区域具有与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性。所关注的掩模叠层区域包括所述目标特征。所述方法包括利用所述硬件计算机系统基于与电磁波通过所关注的掩模叠层区域的传播相关联的一个或更多个特性来估计局部电场。所述局部电场是针对所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的一部分而估计的。所述方法包括由所述硬件计算机系统基于所述估计的局部电场来调整所述目标特征。
2、在实施例中，基于估计的局部电场来调整所述目标特征包括：由所述硬件计算机系统确定估计的局部电场在所述图案化过程的蚀刻期间对所述目标特征产生的效果、或估计的局部电场和所述目标特征对所述蚀刻产生的效果，以及由所述硬件计算机系统基于蚀刻期间对目标特征的估计影响来调整所述目标特征。
3、在实施例中，确定估计的局部电场对所述目标特征产生的效果包括：由所述硬件计算机系统确定所关注的掩模叠层区域的邻近于所述目标特征的部分中的导电部件上的图像电荷，和/或由所述硬件计算机系统求解泊松方程以确定所述局部电场。
4、在实施例中，所述目标特征是量测目标设计。在实施例中，所述方法还包括由硬件计算机系统迭代地重复估计所述局部电场和调整所述目标特征一次或更多次，以增强所述量测目标设计。在实施例中，所述方法还包括：利用所述硬件计算机系统增强所述量测目标设计，以减少在所述图案化过程的光致抗蚀剂显影之后所测量(显影后检查-adi)的重叠与蚀刻之后所测量(蚀刻后检查-aei)的重叠之间的估计差异。在实施例中，adi与aei之间的差异是重叠惩罚(adi–aei)。在实施例中，所述方法还包括：利用所述硬件计算机系统来确定针对aei重叠测量本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于确定目标特征设计的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：由所述硬件计算机系统确定所述所估计的局部电场在图案化过程的蚀刻期间对所述量测目标特征产生的效果；以及由所述硬件计算机系统基于对所述目标特征产生的所估计的效果确定与所述量测目标相关联的设计的特性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定所估计的局部电场产生的效果包括：由所述硬件计算机系统确定所述所关注的区域的至少邻近于所述量测目标特征的部分中的导电部件上的图像电荷；和/或由所述硬件计算机系统求解泊松方程以确定所述局部电场。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：由所述硬件计算机系统迭代地重复进行所述估计和所述确定一次或多次，以增强所述设计；和/或
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：利用所述硬件计算机系统来确定针对AEI重叠测量的结果的校正，和/或基于所增强的设计来确定所述AEI重叠测量的结果。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个特性包括一个或多个量测目标设计特性，所述一个或多个量测目标设计特性包括选自以下中的一项或多项：顶部光栅设计、对比度、或底部光栅设计。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：(1)由所述硬件计算机系统确定边缘放置；(2)由所述硬件计算机系统基于所述边缘放置来确定所述所估计的局部电场在所述图案化过程的蚀刻期间对所述设计产生的效果；以及(3)由所述硬件计算机系统根据基于所述边缘放置而估计的效果来确定所述设计的特性。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个特性包括各特征相对于彼此的布置、各单独层的导电部分彼此的邻近性、或所述所关注的区域相对于所述图案化过程的模型中的晶片的边缘和/或中心的定位。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：由所述硬件计算机系统基于所述所估计的局部电场来调整所述目标特征，以促成三维量测。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：模拟所述量测目标的使用电磁辐射的测量，并基于所述模拟的结果确定与所述量测目标相关联的设计的特性。
13.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括指令，所述指令当被计算机系统执行时被配置为使所述计算机系统执行根据权利要求1至12中的任一项所述的方法。
14.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质具有记录在其中的指令，所述指令当被计算机系统执行时被配置为使所述计算机系统执行根据权利要求1至12中的任一项所述的方法。
15.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括指令，所述指令当被计算机系统执行时被配置为使所述计算机系统至少：
16.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，被配置为使所述计算机系统确定所述设计的特性的所述指令还被配置为使所述计算机系统确定所述所确定的局部电场在图案化过程的蚀刻期间对所述量测目标特征产生的效果，以及基于对所述目标特征产生的所估计的效果确定与所述量测目标相关联的设计的特性。
17.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述指令还被配置为使所述计算机系统模拟所述量测目标的使用电磁辐射的测量，并基于所述模拟的结果确定与所述量测目标相关联的设计的特性。
18.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，被配置为使所述计算机系统确定所述设计的特性的所述指令还被配置为使所述计算机系统调整所述量测目标相对于掩模布局设计中的其它特征的放置，或添加一个或多个虚拟特征至所述设计。
...【技术特征摘要】
1.一种用于确定目标特征设计的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：由所述硬件计算机系统确定所述所估计的局部电场在图案化过程的蚀刻期间对所述量测目标特征产生的效果；以及由所述硬件计算机系统基于对所述目标特征产生的所估计的效果确定与所述量测目标相关联的设计的特性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定所估计的局部电场产生的效果包括：由所述硬件计算机系统确定所述所关注的区域的至少邻近于所述量测目标特征的部分中的导电部件上的图像电荷；和/或由所述硬件计算机系统求解泊松方程以确定所述局部电场。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：由所述硬件计算机系统迭代地重复进行所述估计和所述确定一次或多次，以增强所述设计；和/或
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：利用所述硬件计算机系统来确定针对aei重叠测量的结果的校正，和/或基于所增强的设计来确定所述aei重叠测量的结果。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个特性包括一个或多个叠层特性，所述一个或多个叠层特性包括选自以下中的一项或多项：层性质、叠层设计规则、或层集成要求。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个特性包括一个或多个量测目标设计特性，所述一个或多个量测目标设计特性包括选自以下中的一项或多项：顶部光栅设计、对比度、或底部光栅设计。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确定包括：(1)由所述硬件计算机系统确定边缘放置；(2)由所述硬件计算机系统基于所述边缘放置来确定所述所估计的局部电场在所述图案化过程的蚀刻期间对所述设计产生的效果；以及(3)由所述硬件计算机系统根据基于所述边缘放置而估计的效果来确定所述设计的特性。
10.根据权利要求1所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·J·F·范哈恩，L·P·范戴克，O·伊尔迪里姆，O·J·P·毛拉尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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