【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
2、半导体工业继续通过不断减小最小部件尺寸来改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区中。但是，随着最小部件尺寸减小，出现了应该解决的额外问题。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一衬底上方外延生长第一多层堆叠件；在第二衬底上方外延生长第二多层堆叠件，其中，所述第一衬底和所述第二衬底具有不同的晶体取向；将所述第一多层堆叠件接合至所述第二多层堆叠件；图案化所述第一多层堆叠件和所述第二多层堆叠件以形成鳍，所述鳍包括与第一伪纳米结构交替堆叠的多个下部纳米结构和位于所述多个下部纳米结构上方的多个上部纳米结构，所述多个上部纳米结构与第二伪纳米结构交替堆叠；用第一栅极堆叠件替换所述第一伪纳米结构，所述第一栅极堆叠件围绕所述多个下部纳米结构的每个；以及用第二栅极堆叠件替换所述第二伪纳米结构，所述第二栅极堆叠件围绕所述多个上部纳米结构的每个。
2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一半导体衬底上方外延生长第一半导体层和第二半导体层；在第二半导体衬底上方外延生长第三半导体层
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：上部纳米结构，位于下部纳米结构上方，所述上部纳米结构具有与所述下部纳米结构不同的晶体取向；隔离材料，位于所述上部纳米结构和所述下部纳米结构之间；下部栅极结构，位于所述下部纳米结构周围；上部栅极结构，位于所述上部纳米结构周围；下部源极/漏极区域，所述下部纳米结构在所述下部源极/漏极区域之间延伸；第一绝缘层，位于所述下部源极/漏极区域上方；以及上部源极/漏极区域，位于所述第一绝缘层上方，所述上部纳米结构在所述上部源极/漏极区域之间延伸。
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1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一多层堆叠件接合至所述第二多层堆叠件包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述鳍还包括图案化所述第一接合层和所述第二接合层。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衬底是(110)晶面取向的衬底，并且其中，所述第二衬底是(100)晶面取向的衬底。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，用所述第一栅极堆叠件替换所述第一伪纳米结构由所述多个下部纳米结构限定用于p型晶体管的沟道区域。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，用所述第二栅极堆叠件替换所述第二伪纳米结构由所述多个上部纳米结构限定用于n型晶体管的沟道区域。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衬底是(100)晶面取向的衬底，并且其中，所述第二衬底是(110)晶面取向的衬底。
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
10.一种半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一多层堆叠件接合至所述第二多层堆叠件包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述鳍还包括图案化所述第一接合层和所述第二接合层。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衬底是(110)晶面取向的衬底，并且其中，所述第二衬底是(100)晶面取向的衬底。
6.根据权利要求5所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡承峯，陈翰德，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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