【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电流传感器，具体涉及一种用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构。
技术介绍
1、塑料外壳、磁芯、电路板载流片是电流传感器的重要部件，磁芯、载流片和电路板在电流传感器内部如何安装对电流传感器的工作效率有重要的影响。通常情况下，电流传感器由塑料外壳、磁芯、电路板灌封在一起，不需要支架，塑料外壳直接提供磁芯和电路板的空间和固定方式。本专利技术公开了一种用于抗外磁场影响的电流传感器的支架结构，先由支架固定磁芯和电路板，成为一个中间件，便于下一步的装配。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术公开了一种用于抗外磁场影响的电流传感器的支架结构，先由支架固定磁芯和电路板，成为一个中间件，便于下一步的装配，同时，本专利技术设有新型机械结构，由支架结构提供磁芯和电路板的空间和固定方式，起到很好的电磁屏蔽效果。
2、本专利技术的技术方案为：一种用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，设有支架；所述支架底部设有底片(22)，支架外面覆盖保护壳(3)；所述保护壳(3)为方形槽体；所述方形槽体的开口内侧设有保护壳卡槽；所述底片(22)卡在所述保护壳卡槽中；所述底片(22)与所述保护壳(3)围城方形壳体；所述支架内部设有磁芯(4)和载流片(18)；
3、所述支架是由左支架(1)和右支架(2)组成的方形壳体结构；所述左支架(1)和所述右支架(2)均为槽形体；所述方形壳体结构上方卡有电路板(5)；所述左支架(1)的上方设有凸壳体；所述凸壳体与所述左支架(1)成一体结
4、所述右支架(2)的上方设有凸架体；所述凸架体两端分别设有电路板卡槽二(10)；所述凸架体中间设有电路板卡槽三(11)；所述右支架(2)内部设有右载流片卡槽(12)；所述右载流片卡槽(12)设有右载流片卡槽豁口；所述右载流片卡槽(12)上方设有磁芯支架(13)；所述磁芯支架(13)上方设有磁芯支架凸起(14)；
5、所述磁芯(4)为环状体；所述环状体设有磁芯豁口；所述磁芯(4)挂在所述磁芯支架(13)上；所述磁芯支架凸起(14)卡在所述磁芯豁口内；
6、所述电路板(5)是e形片体；所述e形片体设有竖横梁(17)、两个宽横梁(15)和细横梁(16)；所述竖横梁(17)卡在所述电路板卡槽一(8)中；所述宽横梁(15)插在所述电路板卡槽二(10)中；所述细横梁(16)卡在所述电路板卡槽三(11)中；
7、所述载流片(18)为片体结构；所述片体结构设有左载流片(19)和右载流片(20)；所述左载流片(19)和右载流片(20)由条形片体连接成一体结构；所述右载流片(20)的上端卡入所述右载流片卡槽(12)中；所述左载流片(19)的上端卡在所述左载流片卡槽(9)中；所述右载流片(20)上设有载流片凸起(21)；所述载流片凸起(21)插在所述右载流片卡槽豁口中。
8、优选的，所述支架通过卡槽固定在所述保护壳(3)内；
9、优选的，所述底片(22)由l形薄片和u形薄片组成；所述l形薄片和u形薄片成一体结构；所述底片(22)与所述保护壳(3)的侧面围城两个载流片出口(23)；所述左载流片(19)和右载流片(20)的末端分别从两个所述载流片出口(23)中伸出；
10、优选的，所述左支架(1)两侧分别设有卡环(6)；所述左支架(1)两侧的所述卡环(6)位置相对；所述右支架(2)的两侧分别设有卡头(7)；所述右支架(2)两侧的所述卡头(7)位置相对；所述左支架(1)的卡环(6)与所述右支架(2)的卡头(7)扣合；
11、优选的，所述凸架体与所述右支架(2)成一体结构；
12、优选的，所述右载流片卡槽(12)、所述磁芯支架(13)和所述磁芯支架凸起(14)成一体结构。
13、本专利技术有益效果：
14、1、本专利技术是一种新型机械结构，由支架结构提供磁芯和电路板的空间和固定方式，起到很好的电磁屏蔽效果；
15、2、先由支架固定磁芯和电路板，成为一个中间件，便于下一步的装配；
16、3、支架结构设有底板，便于固定载流片。
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1.一种用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，设有支架，其特征是：所述支架底部设有底片(22)，支架外面覆盖保护壳(3)；所述保护壳(3)为方形槽体；所述方形槽体的开口内侧设有保护壳卡槽；所述底片(22)卡在所述保护壳卡槽中；所述底片(22)与所述保护壳(3)围城方形壳体；所述支架内部设有磁芯(4)和载流片(18)；
2.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述支架通过卡槽固定在所述保护壳(3)内。
3.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述底片(22)由L形薄片和U形薄片组成；所述L形薄片和U形薄片成一体结构；所述底片(22)与所述保护壳(3)的侧面围城两个载流片出口(23)；所述左载流片(19)和右载流片(20)的末端分别从两个所述载流片出口(23)中伸出。
4.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述左支架(1)两侧分别设有卡环(6)；所述左支架(1)两侧的所述卡环(6)位置相对；所述右支架(2)的两侧分别设有卡头(7)；所述右支架(2)两侧
5.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述凸架体与所述右支架(2)成一体结构。
6.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述右载流片卡槽(12)、所述磁芯支架(13)和所述磁芯支架凸起(14)成一体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，设有支架，其特征是：所述支架底部设有底片(22)，支架外面覆盖保护壳(3)；所述保护壳(3)为方形槽体；所述方形槽体的开口内侧设有保护壳卡槽；所述底片(22)卡在所述保护壳卡槽中；所述底片(22)与所述保护壳(3)围城方形壳体；所述支架内部设有磁芯(4)和载流片(18)；
2.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述支架通过卡槽固定在所述保护壳(3)内。
3.根据权利要求1所述的用于抗外磁场影响的电流传感器支架结构，其特征是：所述底片(22)由l形薄片和u形薄片组成；所述l形薄片和u形薄片成一体结构；所述底片(22)与所述保护壳(3)的侧面围城两个载流片出口(23)；所述左载流片(...
【专利技术属性】
技术研发人员：章孟翼，潘琳斌，江剑枫，
申请(专利权)人：宁波泰丰源电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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