【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及感光性元件、及抗蚀图案的形成方法。
技术介绍
1、印刷电路板一般由光刻法制造。光刻法是指通过以下工序在基板上形成所期望的布线图案的方法。即，首先，在基板上形成由感光性的树脂组合物构成的层，并对该涂膜进行图案曝光及显影从而形成抗蚀图案。接着，通过蚀刻或镀覆处理形成导体图案。然后，通过去除基板上的抗蚀图案，在基板上形成所期望的布线图案。
2、印刷电路板的制造中，常使用感光性元件(感光性树脂层叠体)。作为使用该感光性元件的布线图案的形成方法、及适合其的感光性树脂组合物，存在许多已知例(专利文献1～4)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2012-037872号公报
6、专利文献2:国际公开第2016-104639号
7、专利文献3:日本特开2018-136531号公报
8、专利文献4:国际公开第2019-244724号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、然而，从显影性、分辨率、柔软性、显影液发泡性的观点来看，上述专利文献1～4所记载的材料均尚有进一步改良的空间。
3、例如，作为构成感光性树脂组合物的粘结剂聚合物，低分子·高苯乙烯聚合物的分辨率优异，然而，喷雾显影时除了显影液起泡以外，还存在显影装置停止后产生的气泡难以消失(消泡差)的问题。
4、推测这是因为喷洒显影液时产生的气泡由于溶解有抗蚀剂的显影液的表面张力而被稳定化
5、迄今为止一直在进行关于抑制显影时显影液的起泡的研究，但关于改善显影后的消泡至今尚未进行研究。
6、本专利技术是鉴于这些既存事实而提出的，本专利技术的目的在于提供一种显影装置停止后的显影液的消泡良好的感光性元件、及抗蚀图案的形成方法。
7、用于解决课题的手段
8、本专利技术人等发现通过以下技术手段可达成上述目的，从而完成了本专利技术。本专利技术的内容如下。
9、[1]
10、一种感光性元件，其具备支撑薄膜、及形成于所述支撑薄膜上的含有感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层；所述感光性树脂组合物含有：
11、(a)碱溶性高分子、
12、(b)具有烯属不饱和双键的化合物、
13、(c)敏化剂、以及
14、(d)阻聚剂；
15、所述(a)碱溶性高分子含有：单体成分含有芳香族烃基且重均分子量mw为20,000以下的碱溶性高分子；
16、所述(b)具有烯属不饱和双键的化合物为具有下述通式(b1)所表示的结构的化合物：
17、
18、(式(b1)中，r1及r2各自独立地表示氢或碳，a为碳数1～2的二价烃基，p为碳数3的二价烃基；(ao)及(po)的排列任选为无规或嵌段；m1+m2为0～10的整数，n为1～30的整数)。
19、[2]
20、根据[1]所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中n为2～15。
21、[3]
22、根据[1]或[2]所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中n为3～8。
23、[4]
24、根据[1]～[3]中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中(m1+m2)/n小于0.83。
25、[5]
26、根据[1]～[4]中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中(m1+m2)/n小于0.50。
27、[6]
28、根据[1]～[5]中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(a)碱溶性高分子与所述(b)具有烯属不饱和双键的化合物的和为基准，所述具有烯属不饱和双键的化合物(b1)的含量为0.1～10质量份。
29、[7]
30、根据[1]～[6]中任一项所述的感光性元件，其中，所述(a)碱溶性高分子含有重均分子量mw为8,000以上的碱溶性高分子。
31、[8]
32、根据[1]～[7]中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(a)碱溶性高分子的总量为基准，作为所述(a)碱溶性高分子的单体成分而含有的芳香族烃基为1～70质量份。
33、[9]
34、根据[1]～[8]中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(a)碱溶性高分子的总量为基准，作为所述(a)碱溶性高分子的单体成分而含有的芳香族烃基为10～60质量份。
35、[10]
36、根据[1]～[9]中任一项所述的感光性元件，其中，所述(b)具有烯属不饱和双键的化合物还含有具有下述通式(b2)或(b3)所表示的结构的化合物中的至少一种：
37、
38、(式(b2)中，b为碳数4的二价烃基，k为1～30的整数)；
39、
40、(式(b3)中，l为1～30的整数)。
41、[11]
42、根据[10]所述的感光性元件，其中，所述具有烯属不饱和双键的化合物(b2)或(b3)中的至少一种每1分子具有3个以上烯属不饱和双键。
43、[12]
44、根据[1]～[11]中任一项所述的感光性元件，其中，作为所述(b)具有烯属不饱和双键的化合物，还含有具有氢化双酚a结构的化合物(b4)。
45、[13]
46、根据[1]～[12]中任一项所述的感光性树脂组合物，其中，所述(c)敏化剂含有二苯甲酮化合物。
47、[14]
48、根据[1]～[13]中任一项所述的感光性元件，其中，所述(d)阻聚剂含有2,6-二叔丁基对甲酚。
49、[15]
50、一种抗蚀图案的形成方法，其包含：
51、层叠工序，将[1]～[14]中任一项所述的感光性元件层叠于基板上；
52、曝光工序，对所述感光性树脂层叠体的感光性树脂层进行曝光；以及
53、显影工序，将所述感光性树脂层的未曝光部显影去除。
54、专利技术的效果
55、根据本专利技术，可提供一种显影装置停止后的显影液消泡良好的感光性元件、及抗蚀图案的形成方法。
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1.一种感光性元件，其具备支撑薄膜、及形成于所述支撑薄膜上的含有感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层；所述感光性树脂组合物含有：
2.根据权利要求1所述的感光性元件，其中，所述通式(B1)中n为2～15。
3.根据权利要求1或2所述的感光性元件，其中，所述通式(B1)中n为3～8。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(B1)中(m1+m2)/n小于0.83。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(B1)中(m1+m2)/n小于0.50。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(A)碱溶性高分子与所述(B)具有烯属不饱和双键的化合物之和为基准，所述具有烯属不饱和双键的化合物(B1)的含量为0.1～10质量份。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的感光性元件，其中，所述(A)碱溶性高分子含有重均分子量Mw为8,000以上的碱溶性高分子。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(A)碱溶性高分子的总量为基准
9.根据权利要求1～8中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(A)碱溶性高分子的总量为基准，作为所述(A)碱溶性高分子的单体成分而含有的芳香族烃基为10～60质量份。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的感光性元件，其中，所述(B)具有烯属不饱和双键的化合物还含有具有下述通式(B2)或(B3)所表示的结构的化合物中的至少一种：
11.根据权利要求10所述的感光性元件，其中，所述具有烯属不饱和双键的化合物(B2)或(B3)中的至少一种每1分子具有3个以上烯属不饱和双键。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的感光性元件，其中，作为所述(B)具有烯属不饱和双键的化合物，还包含含有氢化双酚A结构的化合物(B4)。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的感光性树脂组合物，其中，所述(C)敏化剂含有二苯甲酮化合物。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的感光性元件，其中，所述(D)阻聚剂含有2,6-二叔丁基对甲酚。
15.一种抗蚀图案的形成方法，其包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种感光性元件，其具备支撑薄膜、及形成于所述支撑薄膜上的含有感光性树脂组合物的感光性树脂组合物层；所述感光性树脂组合物含有：
2.根据权利要求1所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中n为2～15。
3.根据权利要求1或2所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中n为3～8。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中(m1+m2)/n小于0.83。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的感光性元件，其中，所述通式(b1)中(m1+m2)/n小于0.50。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(a)碱溶性高分子与所述(b)具有烯属不饱和双键的化合物之和为基准，所述具有烯属不饱和双键的化合物(b1)的含量为0.1～10质量份。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的感光性元件，其中，所述(a)碱溶性高分子含有重均分子量mw为8,000以上的碱溶性高分子。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的感光性元件，其中，以所述(a)碱溶性高分子的总量为基准，作为所述(a)...
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