在一个示例中，一种方法包括向用于开关电压调节器(200)的驱动器提供信号以关断开关电压调节器(200)的高侧场效应晶体管(FET)(106A)。该方法还包括降低高侧FET(106A)的源极处的电压。该方法包括响应于该信号，关断耦合到高侧FET(106A)的栅极的下拉FET(204)。该方法还包括将电流从高侧FET(106A)换向到低侧FET(106B)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、电子系统中的开关电压调节器(也被称为开关电压转换器)接收输入电压和输入电流，并提供输出电压和输出电流以便操作电子系统中的部件。在操作中，开关电压调节器使功率晶体管(通常是金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))快速接通和关断，以生成输出电压和输出电流。控制器向功率晶体管提供信号以控制晶体管的接通和关断状态。开关电压调节器可以是降压转换器、升压转换器或降压-升压转换器。
技术实现思路
1、在一些示例中，一种方法包括向用于开关电压调节器的驱动器提供信号，以关断开关电压调节器的高侧场效应晶体管(fet)。该方法还包括降低高侧fet的源极处的电压。该方法包括响应于该信号，关断耦合到高侧fet的栅极的下拉fet。该方法还包括将电流从高侧fet换向到低侧fet。
2、在一些示例中，一种系统包括开关电压调节器的高侧fet，该高侧fet具有栅极、源极和漏极，该漏极适于耦合到电源。该系统还包括第一下拉fet，该第一下拉fet具有栅极、耦合到高侧fet的栅极的漏极，以及耦合到高侧fet的源极的源极。该系统包括第二下拉fet，该第二下拉fet具有栅极、耦合到高侧fet的栅极的漏极，以及耦合到高侧fet的源极的源极。该系统还包括第一fet，该第一fet具有栅极、耦合到第一下拉fet的栅极的漏极，以及耦合到高侧fet的源极的源极。该系统包括第二fet，该第二fet具有栅极、耦合到第一下拉fet的栅极的漏极，以及耦合到高侧fet的源极的源极。
3、在一些示例中，一种系统包括用于开关电压调节器的控制器。该系统还包括用于开关电压调节器的高侧场效应晶体管(fet)和低侧fet。该系统包括耦合到低侧fet和控制器的低侧驱动器。该系统还包括耦合到高侧fet和控制器的高侧驱动器，其中高侧驱动器被配置为响应于高侧fet的源极处的电压下降而关断耦合到高侧fet的下拉fet。
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【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述下拉FET是第一下拉FET，其中第二下拉FET耦合到所述高侧FET的所述栅极，并且其中所述方法包括所述第二下拉FET的所述栅极接收所述信号。
4.根据权利要求1所述的方法，其中关断所述下拉FET降低所述高侧FET的下拉强度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述下拉FET的漏极耦合到所述高侧FET的所述栅极，并且所述下拉FET的源极耦合到所述高侧FET的所述源极。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述低侧FET的漏极耦合到所述高侧FET的所述源极。
7.一种系统，其包括：
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述高侧FET的所述源极耦合到低侧FET的漏极。
9.根据权利要求7所述的系统，其中所述高侧FET的所述源极被配置为提供所述开关电压调节器的输出电压。
10.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一FET和所述第二FET被配置为关断所述第一下拉FET。
>11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一FET和所述第二FET被配置为响应于所述高侧FET的所述源极处的电压下降而关断所述第一下拉FET。12.根据权利要求7所述的系统，其中所述第二下拉FET被配置为响应于来自控制器的信号而接通，所述控制器被配置为关断所述高侧FET。
13.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一FET被配置为响应于所述高侧FET的所述源极处的电压下降而接通。
14.一种系统，包括：
15.根据权利要求14所述的系统，其中所述下拉FET具有栅极、耦合到所述高侧FET的栅极的漏极，以及耦合到所述高侧FET的源极的源极。
16.根据权利要求14所述的系统，其中所述下拉FET是第一下拉FET，并且所述系统包括：
17.根据权利要求16所述的系统，其中所述第二下拉FET被配置为响应于来自所述控制器的信号而接通，所述控制器被配置为关断所述高侧FET。
18.根据权利要求14所述的系统，其中关断所述下拉FET包括降低所述下拉FET的栅极到源极电压。
19.根据权利要求14所述的系统，其中响应于所述高侧FET的所述源极处的所述电压下降，所述高侧FET将电流换向到所述低侧FET。
20.根据权利要求14所述的系统，其中所述高侧FET的源极耦合到所述低侧FET的漏极。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述下拉fet是第一下拉fet，其中第二下拉fet耦合到所述高侧fet的所述栅极，并且其中所述方法包括所述第二下拉fet的所述栅极接收所述信号。
4.根据权利要求1所述的方法，其中关断所述下拉fet降低所述高侧fet的下拉强度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述下拉fet的漏极耦合到所述高侧fet的所述栅极，并且所述下拉fet的源极耦合到所述高侧fet的所述源极。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述低侧fet的漏极耦合到所述高侧fet的所述源极。
7.一种系统，其包括：
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述高侧fet的所述源极耦合到低侧fet的漏极。
9.根据权利要求7所述的系统，其中所述高侧fet的所述源极被配置为提供所述开关电压调节器的输出电压。
10.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一fet和所述第二fet被配置为关断所述第一下拉fet。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一fet和所述第二fet被配置为响应于所述高侧fet的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·I·布林克，W·达，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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