一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法技术

技术编号：41619881 阅读：4 留言：0更新日期：2024-06-13 02:21

本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层；在缓冲层生长N型DBR；腐蚀形成第一孔洞；沉积第一介质绝缘材料层；在N型DBR生长N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR；刻蚀形成第二孔洞，在第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；填充第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、垂直腔表面发射激光器（vertical cavity surface emitting laser，vcsel）为一种半导体激光二极管，以砷化镓等半导体材料为基础研制，有别于发光二极管（light-emitting diode，led）和激光二极管（laser diode，ld）等其他光源。与传统的边发射（edgeemitter）激光器不同，vcsel是从顶部表面垂直发射高功率光学激光束，具有体积小、圆形输出光斑、天然二维成像（2dimensions，2d）机构光、单纵模输出、阈值电流小、工作温度范围大、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。

2、随着物联网、人工智能（artificial intelligenc，ai）、第五代移动通信技术（5th-generation mobile communication technology，5g）技术的发展，三维成像（3dimensions，3d）和传感技术迎来了高速成长，撬动智能手机、增强现实技术（augmentedreality，ar）/虚拟现实技术（virtual reality，vr）、智能汽车等多个领域发展，加速万物互联时代的到来。vcsel作为3d成像和传感系统的核心器件，正处于智能互联产业的金字塔尖。目前以镓砷衬底为基础的短波红外vcsel，如850nm，980nm等波长的vcsel已经得到了大力的发展，并且得到了很好地应用。