System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半导体激光器与背光探测器集成芯片制造技术_技高网

一种半导体激光器与背光探测器集成芯片制造技术

技术编号:41617445 阅读:6 留言:0更新日期:2024-06-13 02:20
本发明专利技术提供了一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,包括激光器与背光探测器,激光器的背光面与背光探测器之间制作DBR结构;所述DBR结构间隔填充有低折射率介质材料。应用本技术方案可实现降低耦合成本,降低分立芯片组装成本和提高封装成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光纤通信,特别是一种半导体激光器与背光探测器集成芯片


技术介绍

1、光纤通信,传感等领域使用大量的半导体激光器,为保证激光器稳定可控的光功率输出,均采取光探测器对激光器谐振腔背光(区别于出光面)进行探测监控,从而实现对激光器注入电流的有效控制。

2、现绝大部分半导体激光器和光探测器都是分立芯片,采用不同方案独立制造,然后通过组装,使激光器背光面出光与光探测器有效耦合,封装在同一基底上。由于激光器条形谐振腔需要在出光面镀高透膜而在背光面镀高反膜以形成谐振和单面高效输出,且现有激光器和探测器结构存在巨大差异,导致激光器和探测器单片集成非常困难。目前存在一些集成方案上的探索,主要有三种方案:1.谐振腔侧面导光至光探测器;2.谐振腔尾端上部导光至光探测器;3谐振腔底部导光至光探测器。

3、上述三种方案均改变了激光器谐振腔结构,且无法避免探测器反射杂散光返回激光器谐振腔,从而影响激光器性能;且无法解决激光器背光面镀高反射膜工艺难题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,实现降低耦合成本,降低分立芯片组装成本和提高封装成品率。

2、为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,包括激光器与背光探测器,激光器的背光面与背光探测器之间制作dbr结构;所述dbr结构间隔填充有低折射率介质材料。

3、在一较佳的实施例中,所述dbr结构由半导体材料和间隔填充低折射率介质材料组成。

4、在一较佳的实施例中,所述激光器与背光探测器及dbr均设置与衬底的上面。

5、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:本专利技术采用dbr结构替代背光面高反射膜,解决集成芯片激光器背光镀膜难题。同时dbr双向反射的特性,可有效避免探测器反射杂散光问题,可达到和分立芯片组装方案同样的效果。本专利技术采用集成方案替代现有分立方案,有以下显而易见的优势:1.降低激光器与探测器分别制造的芯片产线流片工时和物料成本;2.集成芯片激光器和探测器是自耦合方案,降低耦合成本,降低分立芯片组装成本和提高封装成品率。

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【技术保护点】

1.一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,包括激光器与背光探测器,其特征在于,激光器的背光面与背光探测器之间制作DBR结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,其特征在于;所述DBR结构由半导体材料和间隔填充低折射率介质材料组成。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,其特征在于,所述激光器与背光探测器及DBR均设置于衬底的上面。

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,包括激光器与背光探测器,其特征在于,激光器的背光面与背光探测器之间制作dbr结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器与背光探测器集成芯片,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:李林苏辉
申请(专利权)人:福建中科光芯光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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