【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法。
技术介绍
1、异质结太阳能电池因具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高和衰减率低等优点，越来越受到光伏行业的青睐，是高转换效率太阳能电池的未来发展方向。
2、结合perc电池中管式炉工艺和异质结中的非晶或微晶钝化工艺，寻找出保持较高转换效率和设备综合成本较低的有效途径，对于异质结电池技术进一步发展具有较大的意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，可以改善载流子在电池背面传输引起的电学功率损失，能够提高电池效率，具有较高的可执行性和量产性。
2、本专利技术的目的通过如下技术方案实现：
3、一种带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，步骤a，准备正面形成n型异质结膜层、背面形成p型隧穿结构膜层的太阳能电池片；步骤b，在太阳能电池片的正面形成正面透明导电膜层，在太阳能电池片的背面形成背面透明导电膜层；步骤c，对太阳能电池片背面待覆盖背面电极的区域进行激光处理，使该区域的背面透明导电膜层的晶化率得到提高；步骤d，在太阳能电池片的正面形成正面电极，在太阳能电池片的背面形成背面电极。
4、较之现有技术而言，本专利技术的优点在于：
5、(1)采用正面n型异质结膜层、背面p型隧穿结构膜层的电池结构，具有钝化效果好，导电性佳的特点，既保证了电池的开路电压，又提升了电池填充因子。
6、(
7、(3)背面p型隧穿结构膜层取代传统异质结的非晶p层或微晶p层，减少了板式pecvd设备的投入，可以大幅降低异质结设备总成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，
2.根据权利要求1所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤A的具体方法为，
3.根据权利要求2所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：在完成步骤a1之后、进行步骤a2之前，在P型半导体膜层上形成保护膜层，该保护膜层可在步骤a2制绒后的清洗中去除。
4.根据权利要求2所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述P型半导体膜层为P型多晶硅膜层，其制备工艺为在隧穿氧化膜层上形成本征多晶硅层后，进行高温硼扩散；或者，在隧穿氧化膜层上形成本征多晶硅层后，通过离子注入硼源后进行高温退火扩散；或者，在隧穿氧化膜层上通过原位硼掺杂的方式形成P型非晶硅膜层或P型微晶硅膜层，再进行高温退火形成P型多晶硅膜层。
5.根据权利要求4所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述N型半导体膜层为N型掺氧微晶硅膜层。
6.根据权利要求2所述的带有P型隧穿结构的异质结
7.根据权利要求1-6任意一项所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C激光处理的处理深度H与背面透明导电膜层的厚度D、P型半导体膜层的厚度d的关系为H＝XD+Yd，其中X为0.3-1，Y为0-0.5。
8.根据权利要求7所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C激光处理的激光为波长在400-700nm之间的皮秒脉冲激光器以15-40W的激光功率所形成的。
9.根据权利要求7所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C激光处理的激光在太阳能电池片背面形成的光斑为圆型、椭圆型或矩形，激光光斑重叠率为0-30％。
10.根据权利要求7所述的带有P型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤C的激光处理，背面透明导电膜层表面的激光处理区域与覆盖背面电极的背电极区域重合或略宽；所述略宽为背电极区域位于激光处理区域的中间，未被背电极区域覆盖的激光处理区域形成环形结构，环形结构的宽度是背电极区域宽度的5％-20％。
...【技术特征摘要】
1.一种带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，
2.根据权利要求1所述的带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤a的具体方法为，
3.根据权利要求2所述的带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：在完成步骤a1之后、进行步骤a2之前，在p型半导体膜层上形成保护膜层，该保护膜层可在步骤a2制绒后的清洗中去除。
4.根据权利要求2所述的带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述p型半导体膜层为p型多晶硅膜层，其制备工艺为在隧穿氧化膜层上形成本征多晶硅层后，进行高温硼扩散；或者，在隧穿氧化膜层上形成本征多晶硅层后，通过离子注入硼源后进行高温退火扩散；或者，在隧穿氧化膜层上通过原位硼掺杂的方式形成p型非晶硅膜层或p型微晶硅膜层，再进行高温退火形成p型多晶硅膜层。
5.根据权利要求4所述的带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述n型半导体膜层为n型掺氧微晶硅膜层。
6.根据权利要求2所述的带有p型隧穿结构的异质结太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述隧穿氧化膜层的厚度为1.2-2.0nm；所述p型半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：林锦山，张超华，廖培灿，黄晓狄，黄天福，杨清霖，林泗镇，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。