含铜材料用蚀刻剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不产生短路的印刷线路板（或膜）的含铜材料用蚀刻剂组合物。其特征在于，由以（Ａ）选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分０．１～１５质量％、（Ｂ）具有１个羟基的二醇醚类化合物０．００１～５质量％、（Ｃ）将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到（多元）胺类化合物的活性氢上得到的化合物０．００１～５质量％、（Ｄ）选自磷酸及磷酸盐中的至少１种的磷酸成分０．１～５质量％、以及（Ｅ）选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸０．１～１０质量％为必须成分的水溶液构成。

Etchant composition for copper containing material

The present invention provides an etchant composition for a copper containing material that can form a printed circuit board (or film) that is poorly shaped and does not produce a short circuit. Characterized by oxidation (A) at least one agent selected from the group consisting of copper ions and iron ions in the 0.1 to 15 mass%, (B) glycol ether compounds having 1 hydroxyl groups of 0.001 to 5 mass%, (C) to ethylene oxide and propylene oxide in at least one plus to get (multiple) active hydrogen amine compounds on compounds 0.001 to 5 mass%, (D) selected from the group consisting of phosphoric acid and phosphate in the phosphate content of at least 1 of the 0.1 to 5 mass%, and (E) selected from the group consisting of hydrochloric acid and sulfuric acid in at least one of the inorganic acid of 0.1 to 10 mass% water solution essential component structure.

【技术实现步骤摘要】
賴材料用蚀刻剂组^ 本专利技术涉及一种^l材料用蚀刻剂组合物，特别涉及一种可以形状良好地 对微细图案的电糊己线进行蚀刻的，材料用蚀刻剂组^。
技术介绍
元件等。并且，伴,近年来电^H殳备的小型^^高功能化的要求，M印刷 ^f反的薄型化及电糊i线的高密度化。作为通it^显'，刻形成这样的 高密度电路配线的方法，有称为减去(廿歹卜，夕于4力法及半加成(七《7* ，、，4力法的方法。为了形成微细图案的电路配线，理想的状态是蚀刻部分没有残膜；^Ji 方看到的电路配线的侧面为直线(直线性)、电翻i线的剖面为矩形；显示出高 的蚀刻因子。但是，实际中，会产生残膜、和直线性的衞L侧向刻蚀、底蚀(7 》y—力少卜)、配线上部t;l小导致的蚀刻因子低等电糊己线的形状不良。因 此，希望湿法蚀刻可以抑制这些形状不良。形状不良的技术。例如，专利文献l中公开了一种利用半加成法来形成电路图案的方法，其 中，所述半加成';^f^J了以作为氧化剂的2#|失离子、盐酸、賴材^;刻促 进剂、和，材朴法刻抑制剂为必须成分的蚀刻剂組合物。在此，作为含铜材 料烛刻抑制剂，例如有在胺类^^物的活性UJi^口成环氧丙烷及环氧乙烷 得到的化洽物。jtk^卜，/>开了在该蚀刻剂组*中，作为使铜表面的洁净化效 果、流平性提高的成分，可以酉5^^。jtb^卜，专利文献2中公开了一种铜或铜*的蚀刻剂组^^，其中，所述 蚀刻剂組^由含有铜的氧化剂；和选自盐^^有才;U^it中的酸；和选自妙 ^J^i醇、以及多歲和妙^^醇的共聚物中的聚*的水溶液构成，并且可以抑制侧向蚀刻、配线上部变细。在此，作为铜的氧化剂，列举了铜离子及铁离子。再有，作为产生该铜离子的化^4勿，列举了氯化铜(n)、溴化铜(n) M^氧^^j(n);再有，作为产生铁离子的^^;，列举了氯化4失(in)、溴化 铁(ni)、魏铁(ni)、城铁(in)、硝酸铁(in)赠酸铁(ni)。进一步， 作为多^L^^^fci醇的共聚物，列举了乙二胺、二亚乙胺、三亚乙基四胺、四亚乙JJI胺、五亚乙基六胺或N-乙基乙二胺和聚乙二醇、聚丙二 醇或环氧乙烷 环氧丙:^聚物的共聚物。jH^卜，专利文献3中公开了一种蚀刻剂组^的，其中，所述蚀刻剂组^由含有氧化性金属离子源、和选自无才;im^有机酸中的至少一种的酸、和仅含有氮原子作为环内的杂原子的峻类、和选自二醇及二醇醚中的至少一种的水溶 液构成，并且可以抑制底蚀的产生。在此，作为氧化性金属离子源，列举了铜离子及铁离子。再有，作为酸，列举了磷酸。进一步，作为二醇醚，列举了 丙二醉乙醚、乙二解丁絲、3-甲基-3-甲M丁醇、二丙二醇曱絲、及 二甘醇丁叙。专利文献1:特开2003-138389号/>才艮专利文献2:特开2004-256901号公报专利文献3:特开2005-330572号/>才艮
技术实现思路
但是，在形i^敖细图案的电翻己线时，利用专利文献1及2中/^Hf的蚀刻 不能捧铜均一地蚀刻，因^b^产生电糊己线的形状不良(例如，直线 性的不^);5L^ji^^等问题。jHW卜，专利文献3公开的蚀刻剂组合物，分散性 差，因itb^产生以下问题由微细图案的脱液性恶化所引起的电路配线形状不 良(例如，部分底蚀)而导致电路剥落；；5U^自磷酸和铜或铁的盐的淤渣引M 生^i^等问题。本专利技术是为了解决上述问题而进行的，其目的在于提^种，材料用蚀 刻剂组合物，其可以制造防止微细图案的电路配线的形状不良、不会产生* 的印刷^1(，。本专利技术人等为了解决上述问题进行了专心的研究，结M现，具有特定配 合组成的，材料用蚀刻剂组合物可以解决上述问题，由此完成本专利技术。即，本专利技术的賴材料用蚀刻剂组^4为的特棘于，由以(A)选自铜离子及 铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1 ~ 15质J14、 (B)具有1个鞋基的二醇醚 类4^物0. 001 ~ 5质*%、 (C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多 元)胺类^^物的活性lUi得到的化合物0. 001 ~5质:T/。、 (D)选自磷^^磷酸 盐中的至少1种的磷g分0.1 ~5质*%、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一 种的无机酸0.1 ~ 10质量％为必须成分的水溶液构成。才Nt本专利技术，可以^^^种^1材料用蚀刻剂组合物，其可以制造防止微 细图案的电糊己线的形状不良、不产生短路的印刷^^( )。M实施方式本专利技术的賴材料用蚀刻剂组杨(以下称为蚀刻剂组*)是以(A)选 自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分、(B)具有1个錄的二醇醚类化 #、 (C)将环氧乙^^环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类^r^^的活性 lLh得到的化合物、(D)选自磷^A磷酸盐中的至少1种的磷^分、以及(E)选自盐酸及硫酸中的至少一种的无才;i^为必须成分的水溶液。(A)氧化剂成分(以下称为(A)成分)具有使賴材料IU纵而进行蚀刻 的作用。作为(A)成分，可以分别单独使用铜离子及铁离子或将它们混^f吏用。 通过分别酉￡^#1 (II) ^^及铁(111) ^^7作为供给源，可以使蚀刻剂组^7 中含有这些铜离子及铁离子。作为铜(n)化合物，例如可举出氯化铜(n)、溴^r铜(n)、 ^ i!L^铜(n) 及氬IU确(n)等。jH^卜，作为4失(niH^^，例3口可举出氯^4失(in)、 溴化铁(in)、多射匕铁(ni)、石j(L^铁(ni)、硝酸铁(in)赠酸铁(in)等。这 些^^可以单独^J J,也可以》v給两种以上^^)。 这些^^中，从 成本、蚀刻剂组^7的稳定'i^5L蚀刻ii;l的控制性出发，^iH/糊(n)、硫 酸铜(n)减化铁(in)，更舰驢铜(n)絲化铁(ni)。蚀刻剂组合物中的(A)成分的浓度以离子换算为0.1 ~ 15质J1i,M为i ~10质*%。在此，所谓离子换算，在单独^D铜离子或铁离子时，是指铜离子换 算或铁离子换算；在濕^f吏用铜离子及铁离子时，是指铜离子及铁离子二者的离子换算。(A)成分的狄不足0.1质堂/。时，蚀刻时间变长，因》b^产生織 剂老4 生产率斷氐的问题。jH^卜，减去法中，铜背面的Ni、 Cr阻挡层的蚀刻^#1氐，因》溯的,除去性斷氐。另一方面，(A)成分的^t^过i5质量y。 时，不負诚制蚀刻tt，因此，蚀刻因子斷氐。(B)具有1个羟基的二醇醚类^^4勿(以下称为(B)成W )具有提高蚀刻 剂组合物对电路配线图案的渗透性的作用，以及减少电路配线周围的蚀刻剂组 合物的滞留的作用。由此，可以使蚀刻剂纽/^^ii蚀刻及均匀化。(B) 成分是具有1个g， J^4i^^中残余的1个羟1^C^化而得到的 ^^。作为(B)成分，例如可举出乙二SI^甲醚、乙二SI4乙醚、乙二#4 丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丁醚、三，单甲醚、三甘醇 单乙醚、三甘醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、 一缩 二丙二醇单甲醚、 一缩二丙二醇单乙醚、 一缩二丙二醇单丁醚、二缩三丙二醇 单甲醚、4三丙^1@|#乙駄3-曱基3-曱HJ^-3-甲錄丁醇等低衬二醇 醚4^物；以及聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单乙醚、及聚乙二醇单丁醚等高分 子二醇醚^^。这些^^4勿可以单独^^J，也可以〉'^^2种以上^fM。 jH^卜， 这些^本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含铜材料用蚀刻剂组合物，其特征在于，由以　（Ａ）选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分０．１～１５质量％、　（Ｂ）具有１个羟基的二醇醚类化合物０．００１～５质量％、　（Ｃ）将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到（多 元）胺类化合物的活性氢上得到的化合物０．００１～５质量％、　（Ｄ）选自磷酸及磷酸盐中的至少１种的磷酸成分０．１～５质量％、以及　（Ｅ）选自盐酸及硫酸中的至少一种的无机酸０．１～１０质量％为必须成分的水溶液构成。

【技术特征摘要】
JP 2008-1-15 2008-0055171、一种含铜材料用蚀刻剂组合物，其特征在于，由以(A)选自铜离子及铁离子中的至少一种的氧化剂成分0.1～15质量％、(B)具有1个羟基的二醇醚类化合物0.001～5质量％、(C)将环氧乙烷及环氧丙烷中的至少一种加成到(多元)胺类化合物的活性氢上得到的化合物0.001～5质量％、(D)选自磷酸及磷酸盐...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田公彦，中村裕介，正元祐次，下泽正和，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：JP[日本]