Including the production method, an integrated circuit comprises a resistor memory: including the core device area and a peripheral circuit area of the interlayer dielectric layer; the inter layer dielectric layer respectively form a first interconnect structure and second interconnection structure; in the first interconnect structure and second interconnect structure forming a first dielectric layer and second dielectric layer on the surface; covering the interlayer dielectric layer and the first dielectric layer and the second dielectric layer of the first conductive layer; removing the peripheral circuit region the first conductive layer and a second dielectric layer exposed second interconnect structure in the core device area, retaining only the first conductive layer of the first dielectric layer; respectively formed second conductive layer and third conductive in the first layer and the second conductive layer on the interconnect structure; respectively formed second and third conductive layer on the first conductive layer and a second interconnection structure . The method enables the inter layer interconnection structure of the core device region and the peripheral circuit region while forming a resistive memory.
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括核心器件区域和外围电路区域； 在核心器件区域的层间介质层内形成第一互连结构，在外围电路区域 的层间介质层内形成第二互连结构，第一互连结构用于电连接核心器件区域的半导体器件，第二互连结构用于电连接外围电路区域的半导体器件； 在第一互连结构上形成第一介质层，在第二互连结构上形成第二介质层； 形成覆盖层间介质层以及第一介质层 和第二介质层的第一导电层； 去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，去除层间介质层上的第一导电层，保留第一介质层上的第一导电层； 在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电 层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍震雷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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