【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于tft栅极，更具体地说，特别涉及一种电子纸tft栅极结构及生产方法。
技术介绍
1、电子书阅读器需具有高刷新率及组装前光模组后tft器件仍能稳定工作的特性，tft技术是一种液晶显示屏技术，常用于平板电脑、智能手机、计算机显示器等电子设备上。tft器件由一组薄膜晶体管组成，每个像素点都有一个薄膜晶体管来控制其亮度和颜色。薄膜晶体管涉及非常薄的半导体薄膜和电容层，可以以较低的电压控制每个像素点，实现高分辨率、快速响应和色彩准确度等优点。
2、现有的电子书阅读器的tft器件具有以下缺点：
3、1、tft器件核心性能(ion开态电流/ioff关态电流/ss亚阈值摆幅)需要进一步提升，tft ion开态电流低，pixel电压充电率低，画面会存在模糊和残影现象，导致显示的效果差；
4、2、传统电子纸tft栅极为bottom gate结构，驱动性能不能满足电子书阅读器的高阶要求，且不具备遮光功能，其会导致前光模组照射tft器件时光生漏电流，pixel电压保持率低。
5、于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种电子纸tft栅极结构及生产方法，以期达到更具有更加实用价值性的目的。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种电子纸tft栅极结构及生产方法，以解决上述的问题。
2、一种电子纸tft栅极结构，包括tft器件，所述tft器件上设有便于使用的栅极机构，所述栅极机构包括vcom信号走线、s
3、优选的，所述oc有机层的上端部设有itopixel电极。
4、优选的，所述cst电容位于tft器件的一侧，所述source信号走线固定安装在tft器件的侧端部。
5、一种电子纸tft栅极结构生产方法，包括以下步骤：
6、s1：在glass无碱玻璃上铺设第一gi栅绝缘层，在第一gi栅绝缘层上设置半导体层、sd-source和sd-drain；
7、s2：在sd-source、sd-drain上铺设第二gi栅绝缘层，在第二gi栅绝缘层上铺设第二gate；
8、s3：在第二gate上铺设pv钝化层，在pv钝化层上铺设oc有机层，在oc有机层上铺设itopixel电极；
9、s4：进行tft电性测试；
10、s5：对tft的q板进行切割，对tft小片进行切割，得到tft成品
11、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
12、本专利技术中，通过设有新的栅极机构，提升了tft的开启速度，提高了用户在使用时的体验，使得在使用电子书设备时能够更快的进入页面，提高了本装置的使用性。
13、本专利技术中，通过设有新的栅极机构，使得tftion开态电流变高，高ion开态电流可以提高tft的开关速度，使其可以更快速地响应输入信号，提高显示屏的刷新率和响应速度，高ion开态电流可以帮助tft显示屏实现更优质的画质，提升画面的清晰度、亮度和对比度，同时减少模糊和残影现象，提升显示效果。
14、本专利技术中，通过设有新的栅极机构，使得pixel电压充电率高，高pixel电压充电率可以提高像素的刷新速度，使显示屏响应更快，减少动态场景中的残影和模糊现象，提高图像的清晰度和流畅度，高pixel电压充电率可以让像素更快速地切换颜色和亮度，提升显示屏的色彩表现力和对比度，改善画面的细节展现和色彩准确性。
15、本专利技术中，通过设有新的栅极机构，使得pixel电压保持率高，高pixel电压保持率可以保持像素在特定电压水平上的稳定性，减少画面闪烁或扭曲现象，提高显示图像的稳定性和一致性，可以使像素在转换状态时能够更快地保持原有的电压水平，减少像素间的相互影响和交叉感应，降低图像残影现象，提高显示效果。
16、本专利技术中，通过将topgate和bottomgate通过via过孔桥接在一起，形成相同的加载相同电位，相较于现有的gate信号走线的bottomgate形式，形成dualgate的结构；既制备出了遮光层，又能提升tft器件的核心性能；tftdp侧及fanout区的gate走线无需额外增加，ic材料及fpc材料与原有型号均可兼容，在产品物料成本无需增加的基础上，即可有效提升tft器件的核心性能，提升itopixel电极电压充电率和保持率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子纸TFT栅极结构，包括TFT器件(2)，其特征在于：所述TFT器件(2)上设有便于使用的栅极机构；
2.如权利要求1所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述第一GI栅绝缘层(31)的上端部设有半导体层(22)。
3.如权利要求2所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述第一GI栅绝缘层(31)的上端部固定安装有SD-Source(23)，所述第一GI栅绝缘层(31)的上端部还固定安装有SD-Drain(24)；
4.如权利要求3所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述SD-Source(23)和SD-Drain(24)的上端部铺设有第二GI栅绝缘层(32)。
5.如权利要求4所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述第二GI栅绝缘层(32)的上端部铺设有第二Gate(33)。
6.如权利要求5所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述第二Gate(33)的上端部铺设有PV钝化层(25)。
7.如权利要求6所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述PV钝化层(25)的上端
8.如权利要求7所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述OC有机层(8)的上端部设有ITOPixel电极(9)。
9.如权利要求8所述一种电子纸TFT栅极结构，其特征在于：所述Cst电容(7)位于TFT器件(2)的一侧，所述Source信号走线(3)固定安装在TFT器件(2)的侧端部。
...【技术特征摘要】
1.一种电子纸tft栅极结构，包括tft器件(2)，其特征在于：所述tft器件(2)上设有便于使用的栅极机构；
2.如权利要求1所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部设有半导体层(22)。
3.如权利要求2所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部固定安装有sd-source(23)，所述第一gi栅绝缘层(31)的上端部还固定安装有sd-drain(24)；
4.如权利要求3所述一种电子纸tft栅极结构，其特征在于：所述sd-source(23)和sd-drain(24)的上端部铺设有第二gi栅绝缘层(32)。
5.如权利要求4所述一种电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：文云东，高亚楼，
申请(专利权)人：蚌埠墨方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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