一种实现像素薄膜晶体管快速放电的驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种实现像素薄膜晶体管快速放电的驱动电路，所述驱动电路，用于通过提高关机时的像素电极关断电压，并将该提高的像素电极关断电压提供给栅极驱动器芯片进行控制，以实现液晶板中像素薄膜晶体管的快速放电。采用本发明专利技术，解决了关机画面异常的问题，提高了关机画面的品质。

Driving circuit for realizing quick discharge of pixel thin film transistor

The invention discloses a driving circuit for realizing rapid discharge of a pixel thin film transistor, the driving circuit for the pixel electrode by improving the shutdown of the turn off voltage, and the improved pixel electrode off voltage is supplied to the gate driver chip control, to realize the rapid discharge of a pixel thin film transistor liquid crystal panel. The invention solves the problem of abnormal screen screen and improves the quality of the off screen picture.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及实现像素快速放电的技术，尤其涉及一种薄膜晶体管(TFT) 液晶显示器(LCD)中实现像素TFT快速放电的驱动电路。
技术介绍
目前，TFT LCD的发光机制通常为通过对TFT LCD上各个像素施加不 同的电压使像素达到不同亮度，从而实现像素的不同灰度。现有TFTLCD基本 结构的组成结构如图l所示。图l中，TFTLCD的基本结构包括源极驱动器芯 片l、栅极驱动器芯片2和液晶板3。并且液晶板3上包括大量的像素。其中， 源极驱动器芯片1施加用于驱动液晶板3的数据线即信号线的驱动电压，通常 以接收显示数据的方式来驱动液晶板3的列显示；栅极驱动器芯片2施加用于 驱动液晶板3的栅极线即扫描线的驱动电压，通常控制逐行扫描， 一般以30Hz 以上的帧率对液晶板3进行逐行扫描，并根据亮或不亮的帧信号对源极驱动器 芯片1同步施加相应于帧信号的不同电压。这里需要指出的是，虽然图l中未 显示，但是现有TFTLCD的基本结构还包括向源极驱动器芯片l和栅极驱动 器芯片2提供各种控制信号的周边电路，比如外围驱动电路板PCB，其作为控 制电路，用于产生像素电极开启电压Von、像素电极关断电压Voff、数字电源 电压(DVDD),并提供给栅极驱动器芯片2进行控制。具体来说，开机后，首先帧控制信号STV产生，随即行控制信号CPV开 始工作，Von在CPV的上升沿被送到液晶板3的第一条栅极线上面，从而将第 一行栅极线打开，即通过栅极驱动器芯片2将Von送到第一行栅极线上，来打 开该行上面的所有像素TFT，随即源极驱动器芯片l将对应该行的数据电压一 并送入该行对应的像素上面，对像素电极进行充电，每个像素内部的液晶根据得到的数据电压进行对应地旋转，从而使得该像素显示对应的灰度；CPV呈周期性的变化，当CPV第二个上升沿来到时，Von被送到液晶板3的第二条栅极 线上面，意味着将打开第二行栅极线，同时将第一行栅极线关闭，而关闭第一 行栅极线就是通过栅极驱动器芯片2将Voff送到第一行栅极线上，将第一行栅 极线上面的各像素TFT关闭而实现的。像素TFT关闭意味着该像素电极上的电 荷被锁住，进而使得该灰度持续一帧的时间，待下一个STV信号过来时接收新 的数据电压，进而生成新的灰度。举例来说，现有TFTLCD中的像素驱动电路的组成结构如图2所示。该像 素驱动电路位于图l所示的液晶板3中。图2中，现有TFTLCD中的像素驱动 电路包括像素电极P和TFT。这里，像素由液晶电容Clc、液晶电阻Rlc、存储 电容Cs和TFT构成。液晶电容Clc一端连接到像素电极P，另一端连接到公共 电极Vcom，而像素电极P又与TFT漏极相连。其中，TFT的源极连接到TFT LCD 的数据线上，TFT的栅极连接到TFTLCD的栅极线上。这里，针对像素TFT而言，像素TFT具有开关功能，当像素的栅极电压为 Von时，像素TFT的栅极电压VgT与像素TFT的源极电压VsT差值很大，像素 TFT导通，从而使得该像素电极与其对应的数据线处于连通状态，那么当关机 时，该像素电极上所存储的电荷可以得到充分和迅速地释放；当像素的栅极电 压为Voff时，VgT与VsT差值很小，像素TFT断开，则该像素电极与对应的数 据线处于关断状态，二者无法连通。综上所述，针对现有TFTLCD中的像素驱动电路而言，关机时，当像素的 栅极电压为Voff时，最初像素TFT是断开的；随着关机导致TFTLCD中的电 源部分放电，Voff也不断放电。也就是说Voff由负电压慢慢向零电压靠近，从 而使VgT与VST差值不断增大，像素TFT由关断状态逐渐打开至半导通，此时， 像素电极与其对应的数据线处于半连通状态。而且，由于Voff始终很小，导致 VgT与Vst差惶依旧很小，产生的漏极电流很小。那么，在像素电极与其对应 的数据线处于半连通状态，而且Voff很小导致漏极电流很小的情况下，像素电 极在关机前所存储的电荷无法进行充分和迅速地释放，导致关机画面有图像残留的现象。也就是诱发了关机画面的异常。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种实现像素tft快速放电的驱动 电路，解决了关机画面异常的问题，提高了关机画面的品质。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的一种实现像素薄膜晶体管快速放电的驱动电路，所述驱动电路，用于通过 提高关机时的像素电极关断电压，并将所述提高的像素电极关断电压提供给栅 极驱动器芯片进行控制，以实现液晶板中像素薄膜晶体管的快速放电。其中，所述驱动电路，进一步用于提高关机时的像素电极关断电压至像素 电极开启电压。其中，所述驱动电路包括相连的绝缘栅极场效应三极管mos管和复位芯 片；其中，所述mos管，用于在所述驱动电路正常工作情况下处于关断状态；在驱 动电路电源关断情况下，从所述复位芯片接收低电平的电压后，导通mos管， 将mos管漏极端的电压提高至mos管源极端电压；并且此时所述mos管漏 极端的电压等于所述关机时的像素电极关断电压，所述mos管源极端电压等 于所述像素电极开启电压，将关机时的像素电极关断电压提高至像素电极开启电压；所述复位芯片，用于在驱动电路电源关断情况下，在接收的输入电压低于 极限电压的状态下，使复位芯片置低电平，并将所述低电平的电压输出给所述mos管。其中，所述驱动电路还包括开关二极管和蓄能电容；所述开关二极管的一 端连接到所述驱动电路中的第一连接点，另 一端连接到所述驱动电路中的第二连接点；所述蓄能电容的--端连接到所述第二连接点，另一端接地；所述mos 管的源极端连接到第二连接点，栅极端连接到所述复位芯片；开关二极管用于将接收的所述像素电极开启电压输出后，提供给蓄能电容和MOS管；蓄能电容用于从开关二极管接收输入电压后存储电荷；MOS管用 于将从开关二极管接收的输入电压输出。其中，所述MOS管进一步用于将MOS管的栅极端连接到所述复位芯片， MOS管将从所述开关二极管接收的输入电压，通过MOS管的漏极端输出。其中，所述驱动电路还包括第一分压电阻和第二分压电阻；所述第一分压 电阻的一端连接到所述第一连接点，另一端连接到所述驱动电路中的第三连接点；所述第二分压电阻的一端连接到所述第三连接点，另一端接地；所述复位 芯片的电压输入端连接到所述第三连接点，复位芯片的电压输出端连接到所述 MOS管的栅极端，复位芯片的接地端接地；第一分压电阻用于将接收的所述像素电极开启电压输出后，提供给第二分压电阻和复位芯片；复位芯片将从第一分压电阻接收的输入电压，通过与MOS 管的栅极端相连的所述电压输出端输出，并通过MOS管的栅极端输入，提供 给MOS管。其中，所述MOS管的类型为P沟道增强型MOS管。本专利技术的TFTLCD像素驱动电路是通过提高关机时的Voff,并将该提高的 Voff提供给栅极驱动器芯片进行控制，以实现液晶板中像素TFT快速放电的驱 动电路。该驱动电路是利用MOS管和复位芯片的特性来实现像素TFT快速放 电的。这里，所谓MOS管指绝缘栅极场效应三极管。具体来说，当该驱动电 路正常工作时，使MOS管处于关断状态；当该驱动电路电源关断时，随着该驱 动电路中电源电压的下降，复位芯片置低电平，使MOS管导通，促使MOS管 漏极端的电压置高，且近似等于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现像素薄膜晶体管快速放电的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路，用于通过提高关机时的像素电极关断电压，并将所述提高的像素电极关断电压提供给栅极驱动器芯片进行控制，以实现液晶板中像素薄膜晶体管的快速放电。

【技术特征摘要】
1、一种实现像素薄膜晶体管快速放电的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路，用于通过提高关机时的像素电极关断电压，并将所述提高的像素电极关断电压提供给栅极驱动器芯片进行控制，以实现液晶板中像素薄膜晶体管的快速放电。2、 根据权利要求l所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路，进一步 用于提高关机时的像素电极关断电压至像素电极开启电压。3、 根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括相连 的绝缘栅极场效应三极管mos管和复位芯片；其中，所述mos管，用于在所述驱动电路正常工作情况下处于关断状态；在驱 动电路电源关断情况下，从所述复位芯片接收低电平的电压后，导通mos管， 将mos管漏极端的电压提高至mos管源极端电压；并且此时所述mos管漏 极端的电压等于所述关机时的像素电极关断电压，所述mos管源极端电压等 于所述像素电极开启电压，将关机时的像素电极关断电压提高至像素电极开启 电压；所述复位芯片，用于在驱动电路电源关断情况下，在接收的输入电压低于 极限电压的状态下，使复位芯片置低电平，并将所述低电平的电压输出给所述 mos管。4、 根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括开 关二极管和蓄能电容；所述开关二极管的一端连接到所述驱动电路中的第一连接点，另一端连接到所述驱动电路中的第二连接点；所述蓄能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洁琼，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]