【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路芯片制造领域，具体为一种整流装置。
技术介绍
1、芯片制造包括光刻工艺，涂胶以及加热是光刻工艺中不可缺少的工序。在加热已完成涂胶工艺的基板的过程中，外部气体引入加热装置内，需要保证被热盘(hotplate,hp)加热的高温外部气体(例如n2)能均匀地流过基板表面，从而将从涂胶中挥发出的有机气体均匀带走，防止有机气体在涂胶上方聚集，从而导致涂胶沿基板径向分布不均匀。因此，基板上方气体流速均匀性非常重要。但是如何提高基板上方气体流速的均匀性是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、针对上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种用于改善基板上方气量分配的均匀性的整流装置。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种整流装置，包括盖体、进气分配板、扩散板和、盖体、进气管和排气管，所述进气分配板设置在所述扩散板的上方，所述扩散板的下方用于放置基板，所述进气管和所述排气管设置在所述盖体上，
4、所述进气分配板的上表面和所述盖体的内壁之间形成第一腔室，所述扩散板的下表面适于与所述基板之间形成第二腔室，所述进气分配板下表面的中心区域和所述扩散板的上表面之间形成第三腔室；
5、所述进气管的一端用于连接外部气源，另一端与所述第一腔室连通，所述排气管的一端用于连接至外部抽气装置，另一端与所述第三腔室连通；
6、所述进气分配板上设置多个进气孔，所述扩散板上开设有多个通孔，其中外部气体经所述进气管依次
7、所述通孔的深度依据流经所述通孔的流速设定，气体流速高的所述通孔的深度大于气体流速低的所述通孔的深度。
8、本专利技术还提供一种加热装置，加热装置包括所述的整流装置，以及加热组5件，所述整流装置盖在所述加热组件上形成密闭空间，用于设置所述基板，所
9、述加热组件用于加热所述基板。
10、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
11、本专利技术提供的整流装置包括进气分配板、扩散板、盖体和进气管和排气管，
12、其中扩散板上设有多个通孔，外部气体经所述进气管流经所述进气分配板并流0向所述基板表面，流经所述基板表面上方的气体再经多个所述通孔排出至所述
13、排气管，通孔的深度依据流经所述通孔的气体流速设定，气体流速高的通孔的深度大于气体流速低的通孔的深度。通孔深度大，一定程度上能够阻碍外部气体和挥发性气体的排出，气体流速高的通孔增高其深度能够减少外部气体流入
14、该通孔。对应地，减少的那部分外部气体则会聚集在深度小的通孔处并排出，5通孔深度小，更有利于外部气体和挥发性气体的排出，以此来均衡基板上方外
15、部气体的分配量。通过上述这种结构设计，最终实现在整个工艺过程中基板上方外部气体的均匀分配，外部气体和挥发性气体较为均匀的从扩散板排出。
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1.一种整流装置，其特征在于，包括盖体(1)、进气分配板(2)、扩散板(3)、进气管(5)和排气管(6)，所述进气分配板(2)设置在所述扩散板(3)的上方，所述扩散板(3)的下方用于放置基板(4)，所述进气管(5)和所述排气管(6)设置在所述盖体(1)上；
2.根据权利要求1所述的整流装置，其特征在于，所述排气管(6)的管口和所述扩散板(3)的中心对应设置，所述扩散板(3)包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域环绕在所述中心区域的外围，所述边缘区域的所述通孔(31)的深度小于所述中心区域的所述通孔(31)的深度。
3.根据权利要求1所述的整流装置，其特征在于，所述进气分配板(2)的边缘区域设置多个所述进气孔(21)，其中外部气体经所述进气管(5)流经所述进气孔(21)并流向所述基板(4)表面。
4.根据权利要求2所述的整流装置，其特征在于，所述通孔(31)的深度沿所述边缘区域至所述中心区域呈线性递增。
5.根据权利要求4所述的整流装置，其特征在于，沿着所述边缘区域至所述中心区域的方向上所述边缘区域与所述中心区域内的所述通孔(31)深度
6.根据权利要求2所述的整流装置，其特征在于，所述通孔(31)的深度沿所述边缘区域至所述中心区域呈阶梯式递增。
7.根据权利要求4或6所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处的所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离大于所述中心区域处所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离。
8.根据权利要求7所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离大于或等于所述中心区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离。
9.根据权利要求4或6所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离大于所述中心区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离。
10.根据权利要求9所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域与所述中心区域处的所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离均保持一致。
11.根据权利要求6所述的整流装置，其特征在于，所述中心区域包括围绕所述扩散板(3)中心由内到外依次环绕设置的第一中心区域、第二中心区域、第三中心区域和第四中心区域；
12.根据权利要求11所述的整流装置，其特征在于，沿着边缘区域至中心区域的方向上，所述第二中心区域处以及所述第四中心区域处对应的所述通孔(31)深度均是呈线性递增。
13.根据权利要求11所述的整流装置，其特征在于，所述第一中心区域内各处的所述通孔(31)深度相同，所述第三中心区域内各处的所述通孔(31)深度相同。
14.根据权利要求13所述的整流装置，其特征在于，所述第一中心区域内所述扩散板(3)下表面各处与所述基板(4)之间的距离保持一致，所述第三中心区域内所述扩散板(3)下表面各处与所述基板(4)之间的距离保持一致。
15.根据权利要求12所述的整流装置，其特征在于，沿着边缘区域至中心区域的方向上，所述第二中心区域处以及所述第四中心区域处的所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离均是呈线性递减。
16.根据权利要求11所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域的各处所述通孔(31)深度相同。
17.根据权利要求11所述的整流装置，其特征在于，所述扩散板(3)上表面各处与所述进气分配板(2)之间的距离相同。
18.根据权利要求1所述的整流装置，其特征在于，相邻所述通孔(31)之间间隔相同距离。
19.根据权利要求18所述的整流装置，其特征在于，相邻的三个所述通孔(31)之间呈正三角形排布设置。
20.根据权利要求18所述的整流装置，其特征在于，多个所述通孔(31)以多个虚拟同心圆的形式排布。
21.根据权利要求20所述的整流装置，其特征在于，一个所述同心圆上的各所述通孔(31)的深度是相同的，不同的所述同心圆上的所述通孔(31)的深度不一样。
22.根据权利要求21所述的整流装置，其特征在于，一个所述同心圆上的各所述通孔(31)的孔径是相同的，不同的所述同心圆上的所述通孔(31)的孔径不一样。
23.一种加热装置，其特征在于，包括权利要求1-22任一所述的整流装置，以及加热组件，所述整流装置盖在所述加热组件上形成密闭空间，用于设置所述基板(4)，所述加热组件用于加热所述基板(4)。
24.根据权利要求23所述的加热装置，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种整流装置，其特征在于，包括盖体(1)、进气分配板(2)、扩散板(3)、进气管(5)和排气管(6)，所述进气分配板(2)设置在所述扩散板(3)的上方，所述扩散板(3)的下方用于放置基板(4)，所述进气管(5)和所述排气管(6)设置在所述盖体(1)上；
2.根据权利要求1所述的整流装置，其特征在于，所述排气管(6)的管口和所述扩散板(3)的中心对应设置，所述扩散板(3)包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域环绕在所述中心区域的外围，所述边缘区域的所述通孔(31)的深度小于所述中心区域的所述通孔(31)的深度。
3.根据权利要求1所述的整流装置，其特征在于，所述进气分配板(2)的边缘区域设置多个所述进气孔(21)，其中外部气体经所述进气管(5)流经所述进气孔(21)并流向所述基板(4)表面。
4.根据权利要求2所述的整流装置，其特征在于，所述通孔(31)的深度沿所述边缘区域至所述中心区域呈线性递增。
5.根据权利要求4所述的整流装置，其特征在于，沿着所述边缘区域至所述中心区域的方向上所述边缘区域与所述中心区域内的所述通孔(31)深度均呈线性递增。
6.根据权利要求2所述的整流装置，其特征在于，所述通孔(31)的深度沿所述边缘区域至所述中心区域呈阶梯式递增。
7.根据权利要求4或6所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处的所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离大于所述中心区域处所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离。
8.根据权利要求7所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离大于或等于所述中心区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离。
9.根据权利要求4或6所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离大于所述中心区域处所述扩散板(3)下表面与所述基板(4)之间的距离。
10.根据权利要求9所述的整流装置，其特征在于，所述边缘区域与所述中心区域处的所述扩散板(3)上表面与所述进气分配板(2)之间的距离均保持一致。
11.根据权利要求6所述的整流装置，其特征在于，所述中心区域包括围绕所述扩散板(3)中心由内到外依次环绕设置的第一中心区域、第二中心区域、第三中心区域和第四中心区域；
12.根据权利要求11所述的整流装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓雪飞，程成，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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