【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波真空电子。更具体地，涉及一种集中衰减器的精密焊接方法。
技术介绍
1、行波管是一种宽频带高增益器件，管内微小的反射就容易引起自激振荡，使行波管无法正常工作。因此，必须通过在管内加入衰减器的方式，吸收掉多余的杂波和反射波，切断反馈通道。
2、集中衰减器是一种含有微波衰减材料的吸收体，能将吸收的能量以热能的方式传导出去，维持行波管正常工作状态。常用的集中衰减器材料包括衰减陶瓷，以渗碳氮化铝衰减陶瓷为例，由于其特殊的加工工艺，导致自身表面粗糙度较差，当集中衰减器放置于折叠波导槽内时，集中衰减器与折叠波导侧壁接触面之间存在大量微小空隙。在这种条件下，两者界面间实际接触面积十分有限，接触热阻较大，集中衰减器传热效率大大降低，致使功率容量下降，最终导致行波管因集中衰减器烧毁而损坏。利用ansys有限元分析软件对集中衰减器进行热仿真，集中衰减器最高温度高于400℃，该温度已经超过氮化铝材料的集中衰减器正常工作温度，长时间在此温度下工作将导致集中衰减器因过热而烧毁，从而使行波管整体失效。焊接工艺可以在一定程度上填补集中衰减器与折叠波导侧壁接触面之间的微小空隙，降低两者间接触热阻，但是现有的焊接工艺使焊接前后的集中衰减器匹配一致性较差，不能满足制管要求。
3、因此，急需提供一种集中衰减器的精密焊接方法，降低集中衰减器与折叠波导之间接触热阻，提高集中衰减器传热效率的同时，保证焊接前后集中衰减器的匹配一致性。
技术实现思路
1、基于以上背景，本专利技术的目的是提
2、为达到上述目的，本专利技术具体提供了一种集中衰减器的精密焊接方法，该方法包括以下步骤：
3、将集中衰减器的待焊接面进行金属化；
4、在金属化的待焊接面涂覆一定厚度的纳米银浆；
5、烘烤涂覆有纳米银浆的集中衰减器；
6、将烘烤后的集中衰减器放置于折叠波导槽内，进行真空焊接。
7、需要说明的是，折叠波导结构是由直波导周期性弯折而成，直波导包括a边和b边。集中衰减器放置于折叠波导周期尾部的直波导中，与直波导的a边经焊接嵌在折叠波导中。
8、本专利技术中，在金属化的集中衰减器上涂覆纳米银浆，通过烘烤、真空焊接等一系列操作，可将集中衰减器与折叠波导侧壁紧密贴合，从而降低两者间接触热阻。
9、优选地，所述纳米银浆的原料包括：纳米银粉和松油醇。
10、优选地，所述纳米银粉和松油醇的质量比为5-10:1。
11、优选地，所述纳米银粉的粒径为50-80nm。
12、其中，本专利技术限定的特定组成的纳米银浆可以更优地填补集中衰减器与折叠波导侧壁接触面之间的微小空隙，更进一步提高焊接前后集中衰减器的匹配一致性。
13、优选地，所述真空焊接在真空钎焊炉内进行，所述真空焊接包括以下步骤：以3-8℃/min的升温速率，从室温加热至200-300℃，保温15-20min，再以5-10℃/min的升温速率，加热至600-700℃，保温15-20min。其中，首次升温到达的焊接温度在可以使纳米银浆与折叠波导有效钎焊，二次升温到达的焊接温度可使松油醇分解完全，避免后续真空环境被污染。
14、优选地，所述真空焊接包括以下步骤：以5℃/min的升温速率，从室温加热至200℃，保温15min，再以8℃/min的升温速率，加热至600℃，保温15min。
15、优选地，使用磁控溅射设备进行金属化。
16、优选地，所述纳米银浆的涂覆厚度≦0.01mm。其中，纳米银浆的涂覆厚度过厚，可能从折叠波导槽内溢出，纳米银浆的涂覆厚度过薄，无法完全填补集中衰减器与折叠波导侧壁接触面之间的空隙。
17、优选地，所述烘烤是在50-60℃下烘烤5-8min。其中，烘烤使纳米银浆变粘稠，而在本专利技术的烘烤条件下纳米银浆粘度适中，与折叠波导侧壁紧密粘接，从而保证了后续焊接过程中衰减器与折叠波导的牢固结合。
18、优选地，涂覆纳米银浆之前，还包括用丙酮超声清洗集中衰减器的步骤。其中，涂覆纳米银浆之前应保证衰减器表面无任何污染物后再进行下一步操作。
19、优选地，在进行真空焊接之后，还包括在显微镜下对焊接质量进行外观检验的步骤。
20、优选地，所述集中衰减器的材料为氮化铝基、氧化铝基或氧化铍基衰减陶瓷。
21、另外，如无特殊说明，本专利技术所记载的任何范围包括端值以及端值之间的任何数值以及端值或者端值之间的任意数值所构成的任意子范围。本专利技术所有原料，对其纯度没有特别限制，本专利技术优选采用分析纯。本专利技术所有原料，其来源和简称均属于本领域常规来源和简称，在其相关用途的领域内均是清楚明确的，本领域技术人员根据简称以及相应的用途，能够从市售中购买得到或常规方法制备得到。
22、本专利技术的有益效果如下：
23、1、本专利技术提供的精密焊接方法操作简单，工艺可控性强，焊接后集中衰减器与折叠波件之间的钎缝组织界面清晰，集中衰减器与折叠波导侧壁贴合紧密、无明显孔洞，空隙部分得到了较好的填充，且焊接前后的集中衰减器匹配一致性良好。
24、2、集中衰减器与折叠波件经本专利技术的方法焊接后，集中衰减器功率容量明显提升，避免行波管因集中衰减器烧毁而损坏，整管可靠性大幅提高。
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1.一种集中衰减器的精密焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述纳米银浆的原料包括：纳米银粉和松油醇；优选地，所述纳米银粉和松油醇的质量比为5-10:1。
3.根据权利要求2所述的精密焊接方法，其特征在于，所述纳米银粉的粒径为50-80nm。
4.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述真空焊接在真空钎焊炉内进行；所述真空焊接包括以下步骤：以3-8℃/min的升温速率，从室温加热至200-300℃，保温15-20min，再以5-10℃/min的升温速率，加热至600-700℃，保温15-20min。
5.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，使用磁控溅射设备进行金属化。
6.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述纳米银浆的涂覆厚度≦0.01mm。
7.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述烘烤是在50-60℃下烘烤5-8min。
8.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，涂覆纳米银浆之前，还包括用
9.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，在进行真空焊接之后，还包括在显微镜下对焊接质量进行外观检验的步骤。
10.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述集中衰减器的材料为氮化铝基、氧化铝基或氧化铍基衰减陶瓷。
...【技术特征摘要】
1.一种集中衰减器的精密焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述纳米银浆的原料包括：纳米银粉和松油醇；优选地，所述纳米银粉和松油醇的质量比为5-10:1。
3.根据权利要求2所述的精密焊接方法，其特征在于，所述纳米银粉的粒径为50-80nm。
4.根据权利要求1所述的精密焊接方法，其特征在于，所述真空焊接在真空钎焊炉内进行；所述真空焊接包括以下步骤：以3-8℃/min的升温速率，从室温加热至200-300℃，保温15-20min，再以5-10℃/min的升温速率，加热至600-700℃，保温15-20min。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炤飞，谢青梅，刘世硕，吴玉娟，字张雄，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十二研究所，
类型：发明
国别省市：
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