【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装所述后测试组成。而半导体封装工艺是为了保护半导体芯片。常规的半导体封装结构包括双列直插式封装、球栅阵列封装、塑料方型扁平式封装、塑料扁平组件式封装、插针网格阵列封装、多芯片模块封装以及芯片尺寸封装等封装结构。在现有的半导体封装结构的制备过程中，为了提高模塑封装层与半导体芯片的接合紧密性，在封装基板上设置半导体芯片后，需要对半导体芯片进行刻蚀处理以在半导体芯片的表面形成凹凸结构，而刻蚀处理会损伤半导体芯片，进而造成半导体芯片的稳定性降低。如何省略刻蚀处理半导体芯片的工序，且确保模塑封装层与半导体芯片的接合紧密性，这引起了业界的广泛关注。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装结构及其制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装结构的制备方法，所述半导体封装结构的制备方法包括以下步骤：提供一导电基板，所述导电基板具有导电焊盘。提供半导体芯片，所述半导体芯片具有导电凸块，将所述半导体芯片设置在所述导电基板上，使得所述导电凸块与所述导电基板上的所述导电焊盘电连接；形成底部填充层，所述底部填充层填充在所述半导体芯片与所述导电基板之间的区域，且所述底部填充层包裹所述导电凸块和所述导电焊盘；形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述半导体芯片的上表面和侧面；利用原子层沉积工艺形成第一氧化铝层，形成第
3、作为优选的实施例，所述导电基板包括绝缘基材以及位于所述绝缘基材中的导电线路，所述导电线路与所述导电焊盘电连接。
4、作为优选的实施例，所述导电焊盘表面具有多个凹坑，所述导电焊盘和所述导电凸块之间通过导电焊料电连接，所述导电焊料填满多个所述凹坑。
5、作为优选的实施例，所述第一氧化硅层通过化学气相沉积法或原子层沉积工艺形成。
6、作为优选的实施例，所述第一反应气体中封端剂的占比为20-30%。
7、作为优选的实施例，所述热处理具体为：利用激光照射所述第一氧化铝层的表面，使得封端剂分解，从而形成具有凹坑的第一氧化铝层。
8、作为优选的实施例，通过喷涂工艺形成所述纳米线层，所述纳米线为硅纳米线、银纳米线、铜纳米线、二氧化硅纳米线、二氧化钛纳米线中的一种。
9、本专利技术还提出一种半导体封装结构，所述半导体封装结构采用任意一上述制备方法制备形成的。
10、相较于现有技术，本专利技术的半导体封装结构及其制备方法有如下的有益效果：在本专利技术中，为了省略刻蚀处理半导体芯片的工序，且同时提高模塑封装层与半导体芯片的接合紧密性，形成模塑层之前，预先在半导体芯片的上表面和侧面形成第一氧化硅层和第一氧化铝层，由于形成第一氧化铝层的反应气体包括封端剂，在后续的热处理工艺可以使得使得所述第一氧化铝层的表面形成凹坑，并在所述第一氧化铝层上涂覆形成纳米线层，然后再形成模塑层，由于第一氧化铝层的存在，形成模塑层的过程中可以增大二者之间的接触面积，增大机械接合力，且制备工艺简单，无需额外的刻蚀工序，为了进一步提高塑封层与半导体芯片之间的接合稳定性，进一步在第一氧化铝层的表面还设置有纳米线层，使得所述模塑层的一部分透过所述纳米线层而嵌入到所述凹坑中，可以进一步提高模塑层与导电基板、半导体芯片的机械接合力。
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1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述半导体封装结构的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导电基板包括绝缘基材以及位于所述绝缘基材中的导电线路，所述导电线路与所述导电焊盘电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导电焊盘表面具有多个凹坑，所述导电焊盘和所述导电凸块之间通过导电焊料电连接，所述导电焊料填满多个所述凹坑。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一氧化硅层通过化学气相沉积法或原子层沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一反应气体中封端剂的占比为20-30%。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述热处理具体为：利用激光照射所述第一氧化铝层的表面，使得封端剂分解，从而形成具有凹坑的第一氧化铝层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：通过喷涂工艺形成所述纳米线层，所述纳米线为硅
8.一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构采用权利要求1-7中任一项的制备方法制备形成的。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述半导体封装结构的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导电基板包括绝缘基材以及位于所述绝缘基材中的导电线路，所述导电线路与所述导电焊盘电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导电焊盘表面具有多个凹坑，所述导电焊盘和所述导电凸块之间通过导电焊料电连接，所述导电焊料填满多个所述凹坑。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述第一氧化硅层通过化学气相沉积法或原子层沉积工艺形成。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓林，孙国栋，
申请(专利权)人：日月新半导体威海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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