System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种太阳能电池的制备方法及系统技术方案_技高网

一种太阳能电池的制备方法及系统技术方案

技术编号:41591207 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-07 00:03
本申请公开了一种太阳能电池的制备方法及系统,应用于太阳能电池技术领域,用以解决现有技术中存在的无法监控隧穿氧化层的制备情况的问题。具体为:在电池片上形成隧穿氧化层;测量第一厚度数据,根据第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据;确定隧穿氧化层的质量数据满足第一质量要求时,在隧穿氧化层上形成非晶硅层;测量第二厚度数据,根据第二厚度数据确定非晶硅层的质量数据;确定非晶硅层的质量数据满足第二质量要求时,依次进行退火晶化处理、清洗制绒处理、表面钝化处理以及金属化处理,以得到太阳能电池。这样,在隧穿氧化层与非晶硅层的制备工序分离的基础上,实现隧穿氧化层和非晶硅层的制备情况的监控,减少低效片的产生。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种太阳能电池的制备方法及系统


技术介绍

1、太阳能电池,是一种通过光伏效应将光能直接转化为电能的电力设备。目前,最常见的太阳能电池是topcon(thin oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)电池。topcon电池的核心结构由电池的超薄氧化层和重掺杂多晶硅层组成,二者共同形成钝化接触结构。超薄氧化层使多子电子隧穿进入多晶硅层的同时,可阻挡少子的空穴复合,进而使电子在多晶硅层横向传输被金属收集,极大降低了金属接触复合电流,提升了电池的开路电压和短路电流,从而提升了电池效率。因此,topcon电池的工艺核心为厚度1-2nm的隧穿氧化层的制备。

2、目前,隧穿氧化层的制备是要是基于太阳能电池的lpcvd路线或pecvd路线进行制备。当前lpcvd与pecvd路线中,隧穿氧化层和非晶硅层是同步进行沉积制备,无法监控隧穿氧化层的制备情况。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法及系统,用以解决现有技术存在的无法监控隧穿氧化层的制备情况的问题。

2、本申请实施例提供的技术方案如下:

3、一方面,本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法,包括:

4、在电池片上形成隧穿氧化层;

5、测量电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据;其中,质量数据包括厚度和/或均匀性数据;

6、确定隧穿氧化层的质量数据满足第一质量要求时,在隧穿氧化层上形成非晶硅层;

7、测量电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据第二厚度数据确定非晶硅层的质量数据;

8、确定非晶硅层的质量数据满足第二质量要求时,对已形成非晶硅层的电池依次进行退火晶化处理、清洗制绒处理、表面钝化处理以及金属化处理,以得到太阳能电池。

9、在一种可能的实施方式中,测量电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据之后,还包括:

10、确定隧穿氧化层的质量数据不满足第一质量要求时,去除隧穿氧化层,重新形成隧穿氧化层,直至隧穿氧化层的质量数据满足第一质量要求时,在隧穿氧化层上形成非晶硅层。

11、在一种可能的实施方式中,测量电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据第二厚度数据确定非晶硅层的质量数据之后,还包括:

12、确定非晶硅层的质量数据不满足第二质量要求时,去除非晶硅层,重新形成非晶硅层,直至非晶硅层的质量数据满足第二质量要求时,对已形成非晶硅层的电池依次进行退火晶化处理、清洗制绒处理、表面钝化处理以及金属化处理。

13、在一种可能的实施方式中,测量电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据,包括:

14、在已形成隧穿氧化层的电池片的预设位置进行测量,得到预设数量的第一厚度数据;

15、基于预设数量的第一厚度数据的平均值确定隧穿氧化层的厚度;

16、基于预设数量的第一厚度数据中的最大值、最小值以及第一厚度数据的平均值确定隧穿氧化层的均匀性数据。

17、在一种可能的实施方式中,测量电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据第二厚度数据确定非晶硅层的质量数据,包括:

18、在已形成非晶硅层的电池片的预设位置进行测量,得到预设数量的第二厚度数据;

19、基于预设数量的第二厚度数据的平均值确定非晶硅层的厚度;

20、基于预设数量的第二厚度数据中的最大值、最小值以及第二厚度数据的平均值确定隧穿氧化层的均匀性数据。

21、在一种可能的实施方式中,在电池片上形成隧穿氧化层,包括:

22、利用lpcvd机台,采用热氧化的方式在电池片上沉积隧穿氧化层。

23、在一种可能的实施方式中,在隧穿氧化层上形成非晶硅层,包括:

24、利用pecvd机台,在隧穿氧化层上沉积非晶硅层。

25、在一种可能的实施方式中,在电池片上形成隧穿氧化层之前,还包括:

26、对电池片进行抛光处理。

27、另一方面,本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备系统,包括:主控设备、氧化层制备设备、测量设备、非晶硅层制备设备、退火晶化设备、清洗制绒设备、表面钝化设备以及金属化设备;主控设备分别与氧化层制备设备、测量设备、非晶硅层制备设备、退火晶化设备、清洗制绒设备、表面钝化设备以及金属化设备连接;

28、氧化层制备设备,用于在电池片上形成隧穿氧化层;

29、测量设备,用于测量电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,还用于测量电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据;

30、非晶硅层制备设备,用于在隧穿氧化层上形成非晶硅层;

31、主控设备,用于根据根据第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据;在确定隧穿氧化层的质量数据满足第一质量要求时,控制非晶硅层制备设备在隧穿氧化层上形成非晶硅层;其中,质量数据包括厚度和/或均匀性数据;还用于根据第二厚度数据确定非晶硅层的质量数据;在确定非晶硅层的质量数据满足第二质量要求时,控制退火晶化设备、清洗制绒设备、表面钝化设备以及金属化设备,对已形成非晶硅层的电池依次进行退火晶化处理、清洗制绒处理、表面钝化处理以及金属化处理;

32、退火晶化设备,用于对电池片进行退火晶化处理;

33、清洗制绒设备,用于对电池片进行清洗制绒处理;

34、表面钝化设备,用于对电池片进行表面钝化处理;

35、金属化设备,用于对电池片进行金属化处理。

36、在一种可能的实施方式中,氧化层制备设备为lpcvd机台,非晶硅层制备设备为pecvd机台。

37、本申请实施例的有益效果如下:

38、本申请实施例中,通过分别形成隧穿氧化层和非晶硅层,实现隧穿氧化层与非晶硅层的制备工序分离,在制备工序分离的基础上,形成隧穿氧化层后通过测量的第一厚度数据确定的隧穿氧化层的质量数据,可以实现对隧穿氧化层的制备情况的监控;形成隧穿氧化非晶硅层后通过测量的第二厚度数据确定的非晶硅的质量数据,可以实现对非晶硅层的制备情况的监控。通过对隧穿氧化层和非晶硅层的制备情况的监控,可以保证制备过程的稳定性,减少低效片的产生。

39、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地可以从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据所述第一厚度数据确定的所述隧穿氧化层的质量数据之后,还包括:

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据所述第二厚度数据确定所述非晶硅层的质量数据之后,还包括:

4.如权利要求1-3任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据所述第一厚度数据确定的所述隧穿氧化层的质量数据,包括:

5.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据所述第二厚度数据确定所述非晶硅层的质量数据,包括:

6.如权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在电池片上形成隧穿氧化层,包括:

7.如权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层,包括:</p>

8.如权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在电池片上形成隧穿氧化层之前,还包括:

9.一种太阳能电池的制备系统,其特征在于,包括:主控设备、氧化层制备设备、测量设备、非晶硅层制备设备、退火晶化设备、清洗制绒设备、表面钝化设备以及金属化设备;所述主控设备分别与所述氧化层制备设备、所述测量设备、所述非晶硅层制备设备、所述退火晶化设备、所述清洗制绒设备、所述表面钝化设备以及所述金属化设备连接;

10.如权利要求9所述的太阳能电池的制备系统,其特征在于,所述氧化层制备设备为LPCVD机台,所述非晶硅层制备设备为PECVD机台。

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据所述第一厚度数据确定的所述隧穿氧化层的质量数据之后,还包括:

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据所述第二厚度数据确定所述非晶硅层的质量数据之后,还包括:

4.如权利要求1-3任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的隧穿氧化层的第一厚度数据,根据所述第一厚度数据确定的所述隧穿氧化层的质量数据,包括:

5.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述测量所述电池片上形成的非晶硅层的第二厚度数据,根据所述第二厚度数据确定所述非晶硅层的质量数据,包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:蒋富辉马擎天陈曙鑫
申请(专利权)人:环晟光伏江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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