【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子，具体而言，涉及一种有源驱动电路以及可靠性试验装置。
技术介绍
1、近年来，以sic mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，碳化硅场效应管）为代表的宽禁带半导体器件广泛应用于直流-直流变换器、光伏逆变器、电机驱动器等场景中。与si基器件相比，sic mosfet具有更低的导通电阻、更好的高温性能和更高的阻断电压；在动态性能方面，sic mosfet具有更快的开关频率上限，有助于电力电子装置整体功率密度及效率的提升。
2、为了使sic mosfet的高频优势得到充分利用，现有技术中提出了利用有源栅极驱动电路实现开关暂态过程的优化，按功率放大方式可以分为变驱动电阻型、变驱动电压型和抽出/注入驱动电流型。
3、但是，进行门极可靠性试验时，驱动电路不仅需要提供瞬时大电流，同时还要对电流实现快速控制，而目前的sic mosfet驱动电路并不能满足可靠性试验的指标要求。
技术实现思路
1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种有源驱动电路以及可靠性试验装置，以解决现有技术中sic mosfet驱动电路并不能满足可靠性试验的指标要求的问题。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提供了一种有源驱动电路，所述有源驱动电路包括：正电压源单元、负电压源单元、第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及
4、所述正电压源单元的第一正极与所述第一脉冲开关的第一端连接，所述正电压源单元的第二正极与所述第一反偏单元的一端连接，所述第一反偏单元的另一端与所述第一开关的第一端连接，所述正电压源单元用于向待测器件提供正驱动电压；
5、所述第一脉冲开关的第三端用于接入第一脉冲信号，所述第一脉冲开关的第二端与所述第一开关的第一端连接；
6、所述负电压源单元的第一负极与所述第二脉冲开关的第一端连接，所述负电压源单元的第二负极与所述第二反偏单元的一端连接，所述第二反偏单元的另一端与所述第二开关的第一端连接，所述负电压源单元用于向所述待测器件提供负驱动电压；
7、所述第二脉冲开关的第三端用于接入第二脉冲信号，所述第二脉冲开关的第二端与所述第二开关的第一端连接；
8、所述第一开关的第二端与所述第二开关的第二端均连接至所述待测器件的第一端，所述待测器件的第二端、所述正电压源单元的负极以及所述负电压源的正极均接地。
9、可选地，所述正电压源单元包括：正高电压源、正低电压源；
10、所述正高电压源的负极和所述正低电压源的负极均接地，所述正高电压源的正极与所述第一脉冲开关的第一端连接；
11、所述正低电压源单元的正极与所述第一反偏单元的一端连接，所述第一反偏单元的另一端与所述第一脉冲开关的第二端均连接至所述第一开关的第一端。
12、可选地，所述负电压源单元包括：负高电压源、负低电压源；
13、所述负高电压源的正极和所述负低电压源的正极均接地，所述负高电压源的负极与所述第二脉冲开关的第一端连接；
14、所述负低电压源单元的负极与所述第二反偏单元的一端连接，所述第二反偏单元的另一端与所述第二脉冲开关的第二端均连接至所述第二开关的第一端。
15、可选地，所述有源驱动电路还包括：第一电阻以及第二电阻；
16、所述第一电阻的一端与所述正高电压源的正极连接，所述第一电阻的另一端与所述第一脉冲开关的第一端连接；
17、所述第二电阻的一端与所述正低电压源的正极连接，所述第二电阻的另一端与第一反偏单元的一端连接；
18、可选地，所述有源驱动电路还包括：第三电阻以及第四电阻；
19、所述第三电阻的一端与所述负高电压源的负极连接，所述第三电阻的另一端与所述第二脉冲开关的第一端连接；
20、所述第四电阻的一端与所述负低电压源的负极连接，所述第四电阻的另一端与第二反偏单元的一端连接。
21、可选地，所述有源驱动电路还包括：第五电阻；
22、所述第五电阻的一端与所述第一开关的第二端以及所述第二开关的第二端连接，所述第五电阻的另一端与待测器件连接。
23、可选地，所述第一脉冲开关和第二脉冲开关分别为碳化硅场效应管。
24、可选地，所述第一开关和第二开关分别为碳化硅场效应管。
25、可选地，所述第一反偏单元和所述第二反偏单元分别为二极管。
26、第二方面，本申请提供了一种可靠性试验装置，包括：脉冲产生装置以及第一方面所述的有源驱动电路；
27、所述脉冲产生装置与所述有源驱动电路中的第一开关的控制端、第二开关的控制端、第一脉冲开关的第三端以及第二脉冲开关的第三端连接，所述脉冲产生装置用于向所述第一脉冲开关提供第一脉冲信号、向所述第二脉冲开关提供第二脉冲信号、向所述第一开关提供第三脉冲信号以及向所述第二开关提供第四脉冲信号，所述第三脉冲信号和所述第四脉冲信号互补，所述第一脉冲信号的发射时间在所述第三脉冲信号的发射时间之后且间隔第一预设时长，所述第二脉冲信号的发射时间在所述第四脉冲信号的发射时间之后且间隔第二预设时长；
28、所述有源驱动电路用于在所述第一脉冲信号、所述第二脉冲信号、所述第三脉冲信号以及所述第四脉冲信号的作用下，向待测器件注入电流或从所述待测器件抽出电流。
29、本申请的有益效果是：通过控制第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及第二反偏单元，对正电压源单元和负电压源单元提供的驱动电压进行调整，从而在待测器件门极形成持续时间极短的正高电压脉冲或负高电压脉冲，在提供瞬时大电流的同时实现对电流的快速控制，有效的增大了开通、关断过程中的瞬态驱动电流，以满足门极可靠性试验中的门极电压变化率要求。
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1.一种有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路包括：正电压源单元、负电压源单元、第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及第二反偏单元；
2.根据权利要求1所述的有源驱动电路，其特征在于，所述正电压源单元包括：正高电压源、正低电压源；
3.根据权利要求2所述的有源驱动电路，其特征在于，所述负电压源单元包括：负高电压源、负低电压源；
4.根据权利要求2所述的有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路还包括：第一电阻以及第二电阻；
5.根据权利要求3所述的有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路还包括：第三电阻以及第四电阻；
6.根据权利要求1所述的有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路还包括：第五电阻；
7.根据权利要求1-6任一项所述的有源驱动电路，其特征在于，所述第一脉冲开关和第二脉冲开关分别为碳化硅场效应管。
8.根据权利要求1-6任一项所述的有源驱动电路，其特征在于，所述第一开关和第二开关分别为碳化硅场效应管。
9.根据权利要求1-6任一项所述的有
10.一种可靠性试验装置，其特征在于，包括：脉冲产生装置以及权利要求1-9任一项所述的有源驱动电路；
...【技术特征摘要】
1.一种有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路包括：正电压源单元、负电压源单元、第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及第二反偏单元；
2.根据权利要求1所述的有源驱动电路，其特征在于，所述正电压源单元包括：正高电压源、正低电压源；
3.根据权利要求2所述的有源驱动电路，其特征在于，所述负电压源单元包括：负高电压源、负低电压源；
4.根据权利要求2所述的有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路还包括：第一电阻以及第二电阻；
5.根据权利要求3所述的有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路还包括：第三电阻以...
【专利技术属性】
技术研发人员：李景灏，陈辉，丁文建，施贻蒙，李军，
申请(专利权)人：杭州飞仕得科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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