System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利申请总体涉及射频功率放大器,并且具体涉及,可配置临界功率保护值的射频功率放大器的保护电路。
技术介绍
1、现有射频功率放大器通常在功率输出级串联多个二极管到地,当输出级电压摆幅超过串联二极管阈值电压之和时,输出级电压摆幅被固定为串联二极管阈值电压之和。即通过二极管的钳位作用实现保护功能,避免烧毁。
2、射频功率放大器通常会用在不同的电源电压场合,如3v、4v、5v等,电源电压直接决定了射频功放输出级的电压摆幅,因此,采用串联二极管到地的方式,其输出摆幅临界值即为串联二极管阈值电压之和,为一个固定值,难以适应不同电源电压的应用场景。此外,单个二极管的阈值电压通常为0.7v~1v,增加或减少串联二极管的个数,其临界值的变化步进较大,难以做到精确调节。
技术实现思路
1、本专利技术旨在解决现有功率保护电路难以精确调节其关断时的临界输出电压摆幅,即临界输出功率,以及难以适应不同电源电压应用场景的问题。
2、本申请提出一种可配置临界功率保护值的射频功率放大器的保护电路,从而实现对临界功率保护值的精准调节,同时能够适应多种电源电压的应用场景。
3、本专利技术的一方面提出了一种射频功率放大器的保护电路,包括:输出摆幅检测电路,其连接到射频功率放大器的输出级用于检测所述射频功率放大器的输出级的电压摆幅,并且包括在射频功率放大器的输出级和地gnd之间串联连接的md个二极管、mr个电阻和mnmos个nmos管,每个nmos管均以二极管形式连接;n型电流
4、其中,md、mr和mnmos均为大于或等于1的整数。
5、其中,所述放大器包括带有输出缓冲级的运算放大器。
6、其中,所述n型电流镜电路1、所述n型电流镜电路2和所述p型电流镜电路包括共源共栅电流镜或低电压共源共栅电流镜。
7、其中,当所述射频功率放大器输出端的电压摆幅超过所述输出摆幅检测电路的阈值电压时,在所述n型电流镜电路1中产生电流。
8、其中,所述n型电流镜电路1包括nmos管n1和n2,所述p型电流镜电路包括pmos管p1和p2,所述n型电流镜电路2包括nmos管n5和n6,其中,nmos管n2和n1的大小的比例为kn1,pmos管p2和p1的大小的比例kp,nmos管n6和n5的大小的比例kn2;其中,所述n型电流镜电路1的nmos管n1和nmos管n2的源极都连接到地gnd,所述n型电流镜电路1将nmos管n1上的电流镜像到nmos管n2,并且将镜像的电流经由nmos管n2的漏级提供给所述p型电流镜电路的pmos管p1的漏级和栅极,所述p型电流镜电路的pmos管p1和p2的源极都连接到电源电压vdd,pmos管p2的漏级连接到所述可配置电阻网络,所述p型电流镜电路将pmos管p1上的电流镜像到pmos管p2并且在pmos管p2的漏级和所述可配置电阻网络之间的节点1产生控制电压v1;所述n型电流镜电路2的nmos管n5经由电阻r2连接到放大器的输出端,所述n型电流镜电路2用于将放大器的输出端在nmos管n5上产生的电流镜像到nmos管n6,并且镜像的电流作为下拉电流接入到功率放大器的偏置电路中。
9、其中,所述输出摆幅检测电路包括在射频功率放大器的输出级和地gnd之间串联连接的二极管d1、电阻r1和nmos管n1和n3,其中nmos管n1的漏极和栅极共同连接到nmos管n3的源极,nmos管3的漏极和栅极共同连接到电阻r1的一端,电阻r1的另一端连接到二极管d1的负极,二极管d1的正极连接到射频功率放大器的输出级;所述n型电流镜电路1还包括nmos管n4,所述n型电流镜电路1镜像的电流经由nmos管n4提供给所述p型电流镜电路的pmos管p1的漏级和栅极,其中nmos管n4的源极连接到nmos管n2的漏级,nmos管n4的栅极连接到nmos管n3的栅极,nmos管n4的漏级连接到pmos管p1的漏级和栅极。
10、其中,所述输出摆幅检测电路包括在射频功率放大器的输出级和地gnd之间串联连接的二极管d1和d2、电阻r1和nmos管n1、n3和n7,其中nmos管n1的漏极和栅极共同连接到nmos管n3的源极,nmos管n3的漏极和栅极共同连接到nmos管n7的源极,nmos管7的漏极和栅极共同连接到电阻r1的一端,电阻r1的另一端连接到二极管d2的负极,二极管d2的正极连接到二极管d1的负极,二极管d1的正极连接到射频功率放大器的输出级;所述n型电流镜电路1还包括nmos管n4和n8,所述n型电流镜电路1镜像的电流经由nmos管n4和n8提供给所述p型电流镜电路的pmos管p1的漏级和栅极,其中nmos管n4的源极连接到nmos管n2的漏级,nmos管n4的栅极连接到nmos管n3的栅极,nmos管n4的漏级连接到nmos管n8的源极,nmos管n8的栅极连接到nmos管n7的栅极,nmos管n8的漏级连接到pmos管p1的漏级和栅极。
11、其中,所述可配置电阻网络包括电阻r3、r4至rn以及开关3、开关4至开关n,其中,开关3和电阻r3、r4至rn依次串联连接在节点1和地之间,其中,开关3、开关4至开关n中每一个的第一端都连接到节点1,开关3的第二端连接到电阻r3的第一端,开关4的第二端连接到电阻r3的第二端和电阻r4的第一端,并且开关n的第二端连接到电阻rn-1的第二端和电阻rn的第一端,电阻rn的第二端连接到地。
12、其中,所述可配置电阻网络包括并联连接在节点1和地之间的第3电阻单元到第n电阻单元,其中,第3电阻单元包括串联连接的电阻r3和开关3,第4电阻单元包括串联连接的r4和开关4,并且第n电阻单元包括串联连接的电阻rn和开关n。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种射频功率放大器的保护电路,包括:
2.根据权利要求1所述的保护电路,
3.根据权利要求1所述的保护电路,
4.根据权利要求1所述的保护电路,其中,所述N型电流镜电路1、所述N型电流镜电路2和所述P型电流镜电路包括共源共栅电流镜或低电压共源共栅电流镜。
5.根据权利要求1所述的保护电路,其中,当所述射频功率放大器输出端的电压摆幅超过所述输出摆幅检测电路的阈值电压时,在所述N型电流镜电路1中产生电流。
6.根据权利要求1所述的保护电路,
7.根据权利要求6所述的保护电路,其中,
8.根据权利要求6所述的保护电路,其中,
9.根据权利要求6-8中的任何一项所述的保护电路,
10.根据权利要求6-8中的任何一项所述的保护电路,
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器的保护电路,包括:
2.根据权利要求1所述的保护电路,
3.根据权利要求1所述的保护电路,
4.根据权利要求1所述的保护电路,其中,所述n型电流镜电路1、所述n型电流镜电路2和所述p型电流镜电路包括共源共栅电流镜或低电压共源共栅电流镜。
5.根据权利要求1所述的保护电路,其中,当所述射频功率放大器输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶嘉蒙,李东岳,彭凤雄,李锦程,钱永学,黄鑫,孟浩,
申请(专利权)人:北京昂瑞微电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。