【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉存储器材料领域，特别是涉及一种存储器介质材料的制备方法、一种存储器介质材料、及一种存储器。
技术介绍
1、随着5g、人工智能(ai)、云计算等前沿技术的兴起，高密度数据传输对存储器的处理速度、功耗、容量和可靠性都提出了更高的要求。在当前主流的存储器技术中，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)具有结构简单、单位面积的存储密度高等优势。然而处理速度和存储容量依然无法适应市场需求。在动态随机存储器中，超过55％的晶粒面积被存储阵列(电容器)占据，电容的体积和漏电流直接决定了动态随机存储器的单片容量和读写速度。为降低动态随机存储器中电容体积，目前多采用减小介电厚度来实现表面积缩放，但随之带来的漏电流增加，无法满足应用需要。需要开发一种新的存储器介质材料，避免介质层厚度减小带来的漏电流增加问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种存储器介质材料的制备方法、一种存储器介质材料、及一种存储器，以避免介质层厚度减小带来的漏电流增加问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种存储器介质材料的制备方法，所述方法包括：
3、采用高介电常数金属氧化物对高绝缘电阻率的存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料；
4、将所述第一介质材料与粘结剂混合，压制为内芯胚体；
5、在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料，得到高介电常数以及高绝缘电阻率的存储器介质材料；。
6
7、采用至少两种高介电常数金属氧化物对存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料；其中，至少两种高介电常数金属氧化物包括至少一个施主金属氧化物，以及至少一个受主金属氧化物。
8、可选地，所述高介电常数金属氧化物包括al2o3、ta2o5、la2o3、eu2o3中的至少两种。
9、可选地，所述高介电常数金属氧化物与所述高绝缘电阻率之间的摩尔比为0.05～0.15：0.97～0.99。
10、可选地，所述在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料与所述内芯胚体之间的质量比为1.5～2.5：1。
11、可选地，所述采用高介电常数金属氧化物对高绝缘电阻率的存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料的步骤，包括：
12、将高介电常数金属氧化物与高绝缘电阻率的存储器介质基料混合，得到第一混合物；
13、将第一混合物、去离子水、球磨料添加至球磨机中，在球磨机中研磨8～16小时，得到第二混合物；
14、在150～250℃下烘干第二混合物；
15、将所述第二混合物经过粉筛，得到第一介质材料。
16、可选地，所述将所述第一介质材料与粘结剂混合，压制为内芯胚体的步骤，包括：
17、将所述第一介质材料与粘结剂混合，得到第三混合物；
18、炒制所述第三混合物后，将第三混合物经过粉筛；
19、将第三混合物压制为内芯胚体。
20、可选地，所述在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料，得到高介电常数以及高绝缘电阻率的存储器介质材料的步骤，包括：
21、将存储器介质基料、去离子水、球磨料添加至球磨机中，在球磨机中研磨8～16小时，得到第四混合物；
22、在150～250℃下烘干第四混合物；
23、将所述第四混合物经过粉筛，得到存储器介质粉料；
24、将所述存储器介质粉料与粘结剂混合，得到第五混合物；
25、炒制所述第五混合物后，将第五混合物经过粉筛；
26、将第五混合物压制为存储器介质颗粒；
27、将所述存储器介质颗粒放置于所述内芯胚体外部周围；
28、在1.5～2.5mpa的条件下，将所述存储器介质颗粒压制于所述内芯胚体外部，形成生胚；
29、在500～600℃下，加热所述存储器介质生胚3～5小时，使所述存储器介质生胚中的所述粘结剂排出，得到排胶生胚；
30、将所述排胶生胚放置于1400～1500℃下的烧结炉中，保温8～12小时，得到高介电常数以及高绝缘电阻率的存储器介质材料。
31、本专利技术实施例中还提供一种存储器介质材料，其采用如本专利技术实施例所述的方法制备得到。
32、本专利技术实施例中还提供一种存储器，其采用如本专利技术实施例所述的存储器介质材料制备得到。
33、与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：
34、通过本专利技术实施例提供的存储器介质材料的制备方法，所述方法包括：采用高介电常数金属氧化物对高绝缘电阻率的存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料；将所述第一介质材料与粘结剂混合，压制为内芯胚体；在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料，得到高介电常数以及高绝缘电阻率的存储器介质材料。通过具有高介电常数的内芯胚体，可以使得存储器介质材料可以较好的适应于动态随机存储器对高存储密度、高数据读写速度的需求。同时，在内芯胚体外部设置高绝缘电阻率的存储器介质基料，可以有效地减轻漏电流增加问题，同时也可以满足动态随机存储器对高存储密度、高数据读写速度的需求，整体有效提高了存储器介质材料的介电性能。
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1.一种存储器介质材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用高介电常数金属氧化物对存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高介电常数金属氧化物包括Al2O3、Ta2O5、La2O3、Eu2O3中的至少两种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高介电常数金属氧化物与所述高绝缘电阻率之间的摩尔比为0.05～0.15：0.97～0.99。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料与所述内芯胚体之间的质量比为1.5～2.5：1。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用高介电常数金属氧化物对高绝缘电阻率的存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料的步骤，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一介质材料与粘结剂混合，压制为内芯胚体的步骤，包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述内芯胚体外
9.一种存储器介质材料，其特征在于，其采用如权利要求1-8任一项所述的方法制备得到。
10.一种存储器，其特征在于，其采用如权利要求9所述的存储器介质材料制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器介质材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用高介电常数金属氧化物对存储器介质基料进行掺杂，得到第一介质材料的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高介电常数金属氧化物包括al2o3、ta2o5、la2o3、eu2o3中的至少两种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高介电常数金属氧化物与所述高绝缘电阻率之间的摩尔比为0.05～0.15：0.97～0.99。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述内芯胚体外部包围所述存储器介质基料与所述内芯胚体之间的质量比为1.5～2....
【专利技术属性】
技术研发人员：王梦龙，李拓，邹晓峰，王长红，苏康，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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