【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，具体涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出越来越高的要求。
2、在晶圆片级芯片规模封装(wafer level chip scale packaging，简称wlcsp)技术中，布线层是由金属铜和介电层组成的多层堆栈。凸点下金属层在介质层的表面存在直角结构，该直角结构容易产生应力集中，对下层的介质层造成损伤，进而将会影响到产品的可靠性。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决布线层中凸点下金属层的导角结构引起的产品的可靠性问题。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体结构，包括：
3、基底，基底中设置有半导体元件，基底的表面暴露有开口，开口暴露与半导体元件电性连接的接口；
4、凹槽，环绕开口设置于基底的表面；
5、凸点下金属层，填充开口，并自开口内延伸至位于基底的表面的凹槽内，填充凹槽。
6、可选地，基底包括：
7、半导体衬底，半导体衬底的表面设置有半导体元件；
8、介质层，设置于半导体衬底的表面上，介质层内设置有再布线层，
9、可选地，介质层包括：
10、第一介质层，设置于半导体衬底的表面，再布线层设置于第一介质层的表面，并贯穿第一介质层，以与半导体衬底表面的半导体元件形成电性连接。
11、第二介质层，设置于所再布线层的表面，开口设置于第二介质层，并暴露部分再布线层。
12、可选地，凹槽的截面的底部呈圆弧状。
13、可选地，凹槽的截面顶端的开口宽度大于底端的开口宽度，并且由顶端至底端的方向上，凹槽的截面的开口宽度逐渐减小，顶端为凹槽的开口端。
14、可选地，凹槽的截面为圆弧形、矩形、楔形、锯齿形中的一种或者多种的组合。
15、可选地，介质层为聚酰亚胺层。
16、可选地，半导体结构还包括：
17、凸点上金属层，设置于凸点下金属层上，且远离凸点下金属层的一面呈半球形。
18、可选地，凸点上金属层为锡银层，凸点下金属层为铜层。
19、可选地，再布线层为铜层、铝层或者钛层中的一种。
20、与现有技术相比，本技术所述的半导体结构至少具备如下有益效果：
21、本技术的半导体结构包括基底、凹槽以及凸点下金属层。其中，基底中设置有半导体元件，基底的表面暴露有开口，该开口暴露与半导体元件电性连接的接口。凹槽环绕开口设置于基底的表面。凸点下金属层填充开口，并自开口内延伸至基底表面的凹槽内，填充凹槽。由此，凸点下金属层在基底的表面的端部并未形成尖端部位，而是填充凹槽形成应力缓冲部，通过形成于凹槽内的凸点下金属层可以缓解应力集中，避免凸点下金属层形成直角结构，对下层基底产生应力损伤，提高产品的可靠性。
22、并且，本技术仅在形成开口之后增加一次曝光步骤即可实现，曝光所需的能量为形成开口时的曝光能量的一半，不需要额外增加材料，成本较低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面的底部呈圆弧状。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面顶端的开口宽度大于底端的开口宽度，并且由所述顶端至所述底端的方向上，所述凹槽的截面的开口宽度逐渐减小，所述顶端为所述凹槽的开口端。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面为圆弧形、矩形、楔形、锯齿形中的一种或者多种的组合。
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层为聚酰亚胺层。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸点上金属层为锡银层，所述凸点下金属层为铜层。
10.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述再布线层为铜层、铝层或者钛
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面的底部呈圆弧状。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面顶端的开口宽度大于底端的开口宽度，并且由所述顶端至所述底端的方向上，所述凹槽的截面的开口宽度逐渐减小，所述顶端为所述凹槽的开口端。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，章春燕，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。