【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种封装结构及封装结构的形成方法。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，简称rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surface acoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integratedpassive devices，ipd)滤波器等。
2、目前，无线通信设备的射频前端芯片的封装过程还有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种封装结构及封装结构的形成方法，以改善无线通信设备的射频前端芯片的封装过程。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装结构，包括：第一晶片，所述第一晶片包括：第一器件以及第一电互连结构，所述第一电互连结构与所述第一器件电连接；位于所述第一晶片上的第一连接层，所述第一连接层的一端电连接所述第一电互连结构；位于所述第一晶片上的保护层，所述保护层覆盖所述第一器件，所述第一连接层位于所述保护层内，且所述保护层暴露出所述第一连接层的另一端表面；位于保护层上的第一凸块，所述第一凸块与所述第一连接层的另一端电连接。
3、可选的，所述保护层的材料包括有机材料。
4、可选的，所述第一器件包
5、可选的，所述第一电互连结构包括：若干层垂直堆叠的插塞和位于插塞上的金属层；所述第一连接层位于顶层的金属层上。
6、可选的，还包括：第二晶片，所述第二晶片包括：第二器件及第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述第二器件电连接；位于所述第二晶片上的第二凸块，所述第二凸块与所述第二电互连结构电连接。
7、可选的，所述第二器件包括无源器件，所述无源器件包括：声表面波滤波器或体声波滤波器。
8、可选的，还包括：基板，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述第一晶片通过第一凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片通过第二凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片与所述基板之间包括空隙，所述第二器件暴露于所述空隙中。
9、可选的，还包括：位于基板第一面上的塑封层，所述第一晶片和第二晶片位于所述塑封层内。
10、可选的，还包括：位于第一连接层上的第三连接层，所述第一凸块位于第三连接层上；所述第一连接层在第一晶片上的投影位于所述第三连接层在第一晶片上的投影范围内。
11、相应地，本专利技术技术方案还提供一种封装结构的形成方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括：第一器件以及第一电互连结构，所述第一电互连结构与所述第一器件电连接；形成位于所述第一晶片上的第一连接层，所述第一连接层的一端电连接所述第一电互连结构；在第一晶片上形成保护层，所述保护层覆盖所述第一器件，所述第一连接层位于所述保护层内，且所述保护层暴露出所述第一连接层的另一端表面；在保护层上形成第一凸块，所述第一凸块与所述第一连接层的另一端电连接。
12、可选的，所述保护层的形成方法包括：在第一晶片上形成保护材料层，所述保护材料层覆盖所述第一连接层；平坦化所述保护材料层，直至暴露出第一连接层的另一端表面，形成所述保护层。
13、可选的，所述第一器件包括有源器件，所述有源器件包括：功率放大器、低噪声放大器、半导体开关或互补金属氧化物半导体器件。
14、可选的，还包括：提供第二晶片，所述第二晶片包括：第二器件及第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述第二器件电连接；在所述第二晶片上形成第二凸块，所述第二凸块与所述第二电互连结构电连接。
15、可选的，所述第二器件包括无源器件，所述无源器件包括：声表面波滤波器或体声波滤波器。
16、可选的，还包括：提供基板，所述基板包括相对的第一面和第二面；将所述第一晶片通过第一凸块放置于所述基板第一面，将所述第二晶片通过第二凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片与所述基板之间包括空隙，所述第二器件暴露于所述空隙中。
17、可选的，还包括：在基板第一面上形成塑封层，所述第一晶片和第二晶片位于所述塑封层内。
18、可选的，在形成第一凸块之前，还包括：在第一连接层上形成第三连接层，所述第一凸块位于第三连接层上；所述第一连接层在第一衬底上的投影位于所述第三连接层在第一衬底上的投影范围内。
19、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
20、本专利技术的技术方案，通过在第一晶片上形成保护层，所述保护层覆盖第一器件，第一连接层嵌入保护层内，再在第一连接层上形成第一凸块，所述保护层对第一晶片表面起到保护作用，从而能够减少第一晶片表面的颗粒污染、表面脏污、表面划伤以及裂纹等缺陷，能够提升第一晶片的良率；此外，所述保护层对第一晶片起到保护作用，使得第一晶片在使用过程中不容易出现水汽渗入问题，提升可靠性；此外，先在第一晶片上形成保护层，再在第一连接层上形成第一凸块，保护层能够减少第一凸块的焊接不良情况，不易出现虚焊、爬锡等问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的材料包括有机材料。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一器件包括有源器件，所述有源器件包括：功率放大器、低噪声放大器、半导体开关或互补金属氧化物半导体器件。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电互连结构包括：若干层垂直堆叠的插塞和位于插塞上的金属层；所述第一连接层位于顶层的金属层上。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二晶片，所述第二晶片包括：第二器件及第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述第二器件电连接；位于所述第二晶片上的第二凸块，所述第二凸块与所述第二电互连结构电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二器件包括无源器件，所述无源器件包括：声表面波滤波器或体声波滤波器。
7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括：基板，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述第一晶片通过第一凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片通过第二凸块放置于所
8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于基板第一面上的塑封层，所述第一晶片和第二晶片位于所述塑封层内。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于第一连接层上的第三连接层，所述第一凸块位于第三连接层上；所述第一连接层在第一晶片上的投影位于所述第三连接层在第一晶片上的投影范围内。
10.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在第一晶片上形成保护材料层，所述保护材料层覆盖所述第一连接层；平坦化所述保护材料层，直至暴露出第一连接层的另一端表面，形成所述保护层。
12.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件包括有源器件，所述有源器件包括：功率放大器、低噪声放大器、半导体开关或互补金属氧化物半导体器件。
13.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：提供第二晶片，所述第二晶片包括第二器件及第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述第二器件电连接；在所述第二晶片上形成第二凸块，所述第二凸块与所述第二电互连结构电连接。
14.如权利要求13所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二器件包括无源器件，所述无源器件包括：声表面波滤波器或体声波滤波器。
15.如权利要求13所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：提供基板，所述基板包括相对的第一面和第二面；将所述第一晶片通过第一凸块放置于所述基板第一面，将所述第二晶片通过第二凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片与所述基板之间包括空隙，所述第二器件暴露于所述空隙中。
16.如权利要求15所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在基板第一面上形成塑封层，所述第一晶片和第二晶片位于所述塑封层内。
17.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在形成第一凸块之前，还包括：在第一连接层上形成第三连接层，所述第一凸块位于第三连接层上；所述第一连接层在第一衬底上的投影位于所述第三连接层在第一衬底上的投影范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的材料包括有机材料。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一器件包括有源器件，所述有源器件包括：功率放大器、低噪声放大器、半导体开关或互补金属氧化物半导体器件。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电互连结构包括：若干层垂直堆叠的插塞和位于插塞上的金属层；所述第一连接层位于顶层的金属层上。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二晶片，所述第二晶片包括：第二器件及第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述第二器件电连接；位于所述第二晶片上的第二凸块，所述第二凸块与所述第二电互连结构电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二器件包括无源器件，所述无源器件包括：声表面波滤波器或体声波滤波器。
7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括：基板，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述第一晶片通过第一凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片通过第二凸块放置于所述基板第一面，所述第二晶片与所述基板之间包括空隙，所述第二器件暴露于所述空隙中。
8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于基板第一面上的塑封层，所述第一晶片和第二晶片位于所述塑封层内。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于第一连接层上的第三连接层，所述第一凸块位于第三连接层上；所述第一连接层在第一晶片上的投影位于所述第三连接层在第一晶片上的投影范围内。
10.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，方敏强，缪东华，司文全，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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