【技术实现步骤摘要】
本申请涉及制造半导体部件的工艺及设备，特别涉及一种cvd反应装置。
技术介绍
1、在半导体制造领域中，通常会通过化学气相沉积(cvd)的方式将半导体材料外延生长在基板上。基板基本上是圆盘状的单晶硅材料，一般称为晶圆。在生产过程中，晶圆会维持高温且暴露在一种或多种化学前驱物的环境中，上述前驱物可以是在基板表面上进行反应或分解，产生符合期待的沉积物。在一些情况下，需要将承载晶圆的载台加热至较高温度，使得晶圆能根据制程的需要保持在500℃至1200℃之间,借以达到晶圆制程温度。对于一些比较严苛的制程，往往需要将晶圆温度波动控制在目标温度的±1℃内。这使得载台的温度控制面临着严苛的挑战：须保证载台所有区域都处于适当的温度范围。否则，处于不适当温度区域的晶圆上生长出的材料往往存在质量缺陷。
2、目前，温度检测器透过反应器的壁检测反应器内载台的温度。由于载台在反应器内转动，温度检测器的探测区域实际上是围绕载台转动轴线的圆环区域。圆环区域的温度分布不均，导致温度检测器的检测结果存在较大波动。如此，不便于依据温度检测器的检测结果对载台的温度进行控制。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种cvd反应装置，减小载台的温度测量结果的波动范围。
2、为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：
3、一方面，提供了一种cvd反应装置，cvd反应装置包括反应器、载台以及第一探测组件。反应器具有内腔；载台容置于内腔内，并能够绕穿过自身的轴线相对反应器转动，载台
4、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件相对反应器固定设置；第一导热件位于载台背向承载表面一侧，并与载台的第一预定区域具有间隙。
5、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，定义第一导热件在载台背向承载表面的另一侧面上的正投影为第一投影，在载台旋转时，第一投影形成一个环形运动路径，第一预定区域配置为载台的与环形运动路径相对应的局部区域。
6、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，反应器具有将内腔与外界连通的检测通孔，第一探测组件设于检测通孔内，第一导热件包括面向内腔的第一表面及遮盖检测通孔的第二表面，第一检测件用于检测第一导热件的第二表面的温度。
7、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一探测组件还包括封堵件。其中，第一导热件嵌设于检测通孔靠近内腔的一端，封堵件封堵检测通孔的另一端，并与反应器的壁之间形成密封，封堵件至少沿预定方向对红外辐射透明，第一导热件和第一检测件沿预定方向位于封堵件的两侧，第一检测件透过封堵件检测第一导热件的第二表面的温度。
8、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，封堵件包括管体以及端盖。管体在预定方向延伸，管体的两端敞开，管体的内表面设置有镀层，以反射红外辐射，第一导热件封盖管体的一端；端盖封盖管体的另一端，端盖对红外辐射透明；其中，第一检测件透过端盖检测第一导热件的第二表面的温度。
9、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，cvd反应装置还包括隔热件；其中，第一导热件包括面对第一预定区域设置的第一表面及面向第一检测件的第二表面，第一检测件用于检测第一导热件的第二表面的温度，隔热件包覆第一导热件除第一表面和第二表面以外的部分。
10、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件的材质与载台的材质一致。
11、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，cvd反应装置还包括第二探测组件。第二探测组件位于轴线外，第二探测组件自反应器外部贯通反应器的壁并至少部分伸入内腔，在载台绕轴线转动时，第二探测组件和载台绕轴线相对运动；第二探测组件至少包括伸入内腔的第二导热件及设于反应器外部的第二检测件，第二导热件与载台的第二预定区域相对设置，以使得第二预定区域的热量能够传递至第二导热件，从而使得第二导热件的温度与第二预定区域的温度相关联，第一导热件和第二导热件在载台的径向间隔设置；第二检测件用于检测第二导热件的温度。
12、除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件和第二导热件在载台的周向间隔设置。
13、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
14、本申请实施例中，第一导热件位于轴线外，在载台绕轴线转动时，第一导热件和载台绕轴线相对运动。第一导热件与载台的第一预定区域相邻设置，以使得第一预定区域的热量能够传递至第一导热件，从而使得第一导热件的温度与第一预定区域的温度相关联。第一导热件能够反应第一预定区域的平均温度。即使第一预定区域在载台的周向温度分布不均匀，第一检测件检测到的第一导热件上的温度不会存在较大波动。由此，减小了载台的温度测量结果的波动范围，更便于控制载台的温度。
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1.一种CVD反应装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述CVD反应装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述CVD反应装置，其特征在于，所述第一探测组件还包括：
6.如权利要求5所述CVD反应装置，其特征在于，所述封堵件包括：
7.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，
9.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，还包括：
10.如权利要求9所述CVD反应装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种cvd反应装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述cvd反应装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述cvd反应装置，其特征在于，
4.如权利要求2所述cvd反应装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述cvd反应装置，其特征在于，所述第一探测组件还包括：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：无锡先为科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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